|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, Е. П. Kириленко, А. В. Горячев, А. В. Лютцау, “Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами $^{64}$Zn$^{+}$ и $^{16}$O$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 827–835   ; V. V. Privezentsev, E. P. Kirilenko, A. V. Goryachev, A. V. Lutzau, “Formation of precipitates in Si implanted with $^{64}$Zn$^{+}$ and $^{16}$O$^{+}$ ions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 961–968 |
|
