|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. В. Белолипецкий, М. О. Нестоклон, И. Н. Яссиевич, “Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO$_{2}$: подбор параметров эмпирического метода сильной связи”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1145–1149   ; A. V. Belolipetskiy, M. O. Nestoklon, I. N. Yassievich, “Simulation of electron and hole states in Si nanocrystals in a SiO$_{2}$ matrix: choice of parameters of the empirical tight-binding method”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1264–1268 |
5
|
|
2016 |
| 2. |
O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 639–642 ; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631 |
2
|
|
2014 |
| 3. |
А. В. Белолипецкий, О. Б. Гусев, А. П. Дмитриев, Е. И. Теруков, И. Н. Яссиевич, “Трионы в кремниевых нанокристаллах в матрице аморфного гидрогенизированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 249–252 ; A. V. Belolipetskiy, O. B. Gusev, A. P. Dmitriev, E. I. Terukov, I. N. Yassievich, “Trions in silicon nanocrystals in an amorphous hydrogenated silicon matrix”, Semiconductors, 48:2 (2014), 235–238 |
3
|
|
