|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
К. С. Жидяев, А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, И. В. Самарцев, А. В. Кудрин, “Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 48–52  |
|
2024 |
| 2. |
К. С. Жидяев, А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, И. В. Самарцев, А. В. Кудрин, “Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора”, Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 156–160  |
|
2023 |
| 3. |
И. В. Самарцев, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, А. Б. Чигинева, К. С. Жидяев, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, С. М. Планкина, А. В. Нежданов, А. В. Ершов, “InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 495–500 |
|
2022 |
| 4. |
А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, К. С. Жидяев, В. Е. Котомина, И. В. Самарцев, “Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 134–138 |
|
2018 |
| 5. |
И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463 ; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 |
1
|
|
