|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596   ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
|
2015 |
| 2. |
К. В. Феклистов, Д. С. Абрамкин, В. И. Ободников, В. П. Попов, “Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 52–60 ; K. V. Feklistov, D. S. Abramkin, V. I. Obodnikov, V. P. Popov, “Doping silicon with erbium by recoil implantation”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 788–792 |
6
|
|
