|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, Д. А. Здоровейщев, Ю. А. Дудин, М. В. Дорохин, А. А. Скрылев, “Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSi$_x$”, Физика твердого тела, 65:3 (2023), 509–512   |
|
2018 |
| 2. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
А. В. Боряков, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Ершов, “Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1183–1191 ; A. V. Boryakov, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Ershov, “Chemical and phase compositions of multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$ structures subjected to high-temperature annealing”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1206–1214 |
3
|
|
2016 |
| 4. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 5. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
2015 |
| 6. |
А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, И. В. Ерофеева, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, “Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1649–1653 ; A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, I. V. Erofeeva, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, “CoPt ferromagnetic injector in light-emitting Schottky diodes based on InGaAs/GaAs nanostructures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1601–1604 |
16
|
|
2014 |
| 7. |
М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, “Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом”, ЖТФ, 84:12 (2014), 102–106 ; M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, “Spin injection of electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs light-emitting diode structures with a tunnel junction”, Tech. Phys., 59:12 (2014), 1839–1843 |
2
|
| 8. |
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844 ; D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, “Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes”, Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820 |
3
|
|
