|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. Ф. Реутов, С. Н. Дмитриев, А. С. Сохацкий, А. Г. Залужный, “Особенности влияния облучения ионами железа на развитие гелиевых, водородных и дейтериевых блистеров в кремнии”, ЖТФ, 87:2 (2017), 221–227   ; V. F. Reutov, S. N. Dmitriev, A. S. Sokhatskii, A. G. Zaluzhny, “Effect of bombardment with iron ions on the evolution of helium, hydrogen, and deuterium blisters in silicon”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 248–254 |
|
2016 |
| 2. |
В. Ф. Реутов, С. Н. Дмитриев, А. С. Сохацкий, А. Г. Залужный, “Влияние неупругих и упругих потерь энергии ионов Хе на развитие водородных блистеров в кремнии”, ЖТФ, 86:1 (2016), 32–36 ; V. F. Reutov, S. N. Dmitriev, A. S. Sokhatskii, A. G. Zaluzhny, “Effect of inelastic and elastic energy losses of Xe ions on the evolution of hydrogen blisters in silicon”, Tech. Phys., 61:1 (2016), 28–32 |
|
2015 |
| 3. |
В. Ф. Реутов, С. Н. Дмитриев, А. С. Сохацкий, А. Г. Залужный, “Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1335–1338 ; V. F. Reutov, S. N. Dmitriev, A. S. Sokhatskii, A. G. Zaluzhny, “Influence of the ionization-energy losses of high-energy bismuth ions on the development of helium blisters in silicon”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1290–1293 |
|
