|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
И. С. Федосов, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. С. Солодовник, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, А. Е. Жуков, “Исследование излучения микродискового лазера, монолитно интегрированного с оптическим волноводом”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 388–391  |
| 2. |
Н. А. Фоминых, И. С. Федосов, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, М. С. Солодовник, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, А. Е. Жуков, “Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 11–14  |
|
2023 |
| 3. |
С. В. Балакирев, Д. В. Кириченко, С. Д. Комаров, А. С. Драгунова, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, М. С. Солодовник, “Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 276–281 |
|
2022 |
| 4. |
С. В. Балакирев, Д. В. Кириченко, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, М. М. Ерёменко, М. С. Солодовник, “Исследование влияния ультрамалого потока мышьяка на процессы формирования наноструктур In(As)/GaAs методом капельной эпитаксии”, Физика твердого тела, 64:8 (2022), 943–947 |
| 5. |
С. В. Балакирев, М. М. Ерёменко, Е. А. Лахина, Д. В. Кириченко, Н. А. Шандыба, Н. Е. Черненко, О. А. Агеев, М. С. Солодовник, “Исследование особенностей эпитаксиального роста GaAs на подложках Si, модифицированных фокусированными ионными пучками”, Физика твердого тела, 64:6 (2022), 605–611 |
| 6. |
Н. А. Шандыба, Н. Е. Черненко, С. В. Балакирев, М. М. Еременко, Д. В. Кириченко, М. С. Солодовник, “Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 759–764 |
|
2016 |
| 7. |
О. А. Агеев, С. В. Балакирев, М. С. Солодовник, М. М. Еременко, “Влияние взаимодействия в системе Ga–As–O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 1011–1018 ; O. A. Ageev, S. V. Balakirev, M. S. Solodovnik, M. M. Eremenko, “Effect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1045–1052 |
19
|
| 8. |
О. А. Агеев, М. С. Солодовник, С. В. Балакирев, И. А. Михайлин, “Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло”, ЖТФ, 86:7 (2016), 15–21 ; O. A. Ageev, M. S. Solodovnik, S. V. Balakirev, I. A. Mikhaylin, “Monte Carlo investigation of the influence of V/III flux ratio on GaAs/GaAs(001) submonolayer epitaxy”, Tech. Phys., 61:7 (2016), 971–977 |
16
|
| 9. |
В. И. Авилов, О. А. Агеев, Б. Г. Коноплев, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник, О. Г. Цуканова, “Исследование фазового состава наноразмерных структур, полученных локальным анодным окислением пленок титана”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 612–618 ; V. I. Avilov, O. A. Ageev, B. G. Konoplev, V. A. Smirnov, M. S. Solodovnik, O. G. Tsukanova, “Study of the phase composition of nanostructures produced by the local anodic oxidation of titanium films”, Semiconductors, 50:5 (2016), 601–606 |
15
|
|
