|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. Н. Слаповский, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, А. В. Клековкин, “Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 461–466   ; D. N. Slapovskiy, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, A. V. Klekovkin, “Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures”, Semiconductors, 51:4 (2017), 438–443 |
2
|
| 2. |
А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, “Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 96–103 ; A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, “The thermal stability of nonalloyed ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1043–1046 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
К. Н. Томош, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Р. А. Хабибуллин, С. С. Арутюнян, П. П. Мальцев, “Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1434–1438 ; K. N. Tomosh, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, R. A. Khabibullin, S. S. Arutyunyan, P. P. Maltsev, “Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si$_{3}$N$_{4}$ passivation”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1416–1420 |
5
|
| 4. |
С. С. Арутюнян, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1138–1142 ; S. S. Arutyunyan, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “On a two-layer Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGaN/GaN HEMTs”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1117–1121 |
6
|
|
