|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1532–1536   ; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 |
2
|
| 2. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 27–35 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787 |
|
