|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, П. Н. Воронцов-Вельяминов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1235–1242   ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, P. N. Vorontsov-Velyaminov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Hopping conductivity and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1186–1193 |
10
|
| 2. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123 ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
3
|
|
2016 |
| 3. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
5
|
|
2015 |
| 4. |
А. А. Леонидов, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 77–83 ; A. A. Leonidov, V. V. Sherstnev, E. A. Grebenshchikova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mode synchronization in a laser with coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 801–803 |
1
|
|
2014 |
| 5. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, А. А. Леонидов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1434–1438 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, A. A. Leonidov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1399–1403 |
|
