|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, М. С. Скакунов, А. С. Сотникова, С. М. Гущин, В. Е. Земляков, “Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 23–26   |
|
2024 |
| 2. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, В. Е. Земляков, “Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 393–399 |
|
2023 |
| 3. |
В. М. Калыгина, О. С. Киселева, В. В. Копьев, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, “Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr”, ЖТФ, 93:11 (2023), 1631–1636 |
|
2022 |
| 4. |
В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, “Фотодиоды на основе структур Ga$_2$O$_3$/$n$-GaAs, способные работать в автономном режиме”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 928–932 |
|
2017 |
| 5. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник, “Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 240–246 ; I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. L. Oleynik, “On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 232–238 |
3
|
|
