|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. Е. Иешкин, А. А. Татаринцев, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Скрылева, “Эволюция состава и рельефа поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в процессе распыления ионами аргона”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 676–682   |
|
2023 |
| 2. |
А. Е. Иешкин, В. С. Черныш, Д. С. Киреев, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Скрылева, “Преимущественное распыление сплава NiTi атомарными и кластерными ионами”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023), 34–38 |
4
|
|
2022 |
| 3. |
А. Е. Иешкин, Т. С. Ильина, Д. А. Киселев, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Скрылева, G. Suchaneck, Ю. Н. Пархоменко, “Распыление и формирование рипплов на кристалле LiNbO$_3$ под действием кластерных ионов”, Физика твердого тела, 64:10 (2022), 1489–1501 |
| 4. |
В. С. Черныш, А. Е. Иешкин, Д. С. Киреев, Д. К. Миннебаев, Е. А. Скрылева, Б. Р. Сенатулин, “Преимущественное распыление при облучении сплавов газовыми кластерными ионами”, ЖТФ, 92:12 (2022), 1943–1950 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
В. П. Панченко, Н. Ю. Табачкова, А. А. Иванов, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Андреев, “Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_{4}$Sb$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 959–962 ; V. P. Panchenko, N. Yu. Tabachkova, A. A. Ivanov, B. R. Senatulin, E. A. Andreev, “Preparation and properties of Zn$_{4}$Sb$_{3}$-based thermoelectric material”, Semiconductors, 51:7 (2017), 920–923 |
| 6. |
В. П. Панченко, Н. Ю. Табачкова, А. А. Иванов, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Андреев, “Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_4$Sb$_3$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 748–751 ; V. P. Panchenko, N. Yu. Tabachkova, A. A. Ivanov, B. R. Senatulin, E. A. Andreev, “Preparation and properties of Zn$_4$Sb$_3$-based thermoelectric material”, Semiconductors, 51:6 (2017), 714–717 |
3
|
|
