|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
М. П. Михайлова, В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius, “Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1393–1399   ; M. P. Mikhailova, V. A. Berezotets, R. V. Parfen'ev, L. V. Danilov, M. O. Safonchik, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius, “Vertical transport in type-II heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1343–1349 |
3
|
|
2013 |
| 2. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1037–1042 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 |
2
|
|
