|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. В. Боряков, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Ершов, “Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1183–1191   ; A. V. Boryakov, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Ershov, “Chemical and phase compositions of multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$ structures subjected to high-temperature annealing”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1206–1214 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
