|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Э. П. Домашевская, Е. А. Михайлюк, Т. В. Прокопова, Н. Н. Безрядин, “Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 313–317   ; È. P. Domashevskaya, E. A. Mikhailyuk, T. V. Prokopova, N. N. Bezryadin, “Deep centers at the interface in In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs and In$_{2}$Te$_{3}$/InAs heterostructures”, Semiconductors, 50:3 (2016), 309–313 |
|
2014 |
| 2. |
Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, С. В. Кузубов, Ю. Н. Власов, Г. А. Панин, А. В. Кортунов, “Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена”, Письма в ЖТФ, 40:3 (2014), 20–26 ; N. N. Bezryadin, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, S. V. Kuzubov, Yu. N. Vlasov, G. A. Panin, A. V. Kortunov, “Passivation of the GaP(111) surface by treatment in selenium vapors”, Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 104–107 |
1
|
|
2012 |
| 3. |
Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, Ю. Н. Власов, А. А. Стародубцев, “Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний $n$-GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 756–760 ; N. N. Bezryadin, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, Yu. N. Vlasov, A. A. Starodubtsev, “Effect of the finishing treatment of a gallium arsenide surface on the spectrum of electron states in $n$-GaAs (100)”, Semiconductors, 46:6 (2012), 736–740 |
7
|
|
