|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Т. В. Котерева, В. А. Гавва, В. А. Липский, А. В. Нежданов, Ю. С. Белозеров, А. Д. Буланов, В. Г. Плотниченко, “Дисперсия показателя преломления и спектры комбинационного рассеяния света монокристалла германия, обогащенного изотопом $^{70}$Ge”, Оптика и спектроскопия, 133:7 (2025), 734–740   |
|
2024 |
| 2. |
Т. В. Котерева, В. А. Гавва, В. А. Липский, А. В. Нежданов, В. Г. Плотниченко, А. Д. Буланов, “Влияние атомной массы и изотопной разупорядоченности на фононные спектры кристаллов изотопно-обогащенного германия”, Физика твердого тела, 66:8 (2024), 1425–1430 |
|
2023 |
| 3. |
А. М. Гибин, Н. В. Абросимов, А. Д. Буланов, В. А. Гавва, “Теплопроводность монокристаллов изотопно-обогащенного германия $^{70}$Ge, $^{72}$Ge, $^{74}$Ge в интервале 80–310 K”, Физика твердого тела, 65:8 (2023), 1448–1452 |
| 4. |
Г. И. Кропотов, В. Е. Рогалин, И. А. Каплунов, А. А. Шахмин, С. А. Филин, А. Д. Буланов, “Изотопический сдвиг ИК полос поглощения монокристаллов германия”, Оптика и спектроскопия, 131:6 (2023), 888–892 |
|
2016 |
| 5. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
|
