|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, T. V. L'vova, A. M. Malyarenko, “Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 474–484   ; Semiconductors, 50:4 (2016), 466–477 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
N. T. Bagraev, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, E. N. Kalabukhova, L. E. Klyachkin, A. A. Koudryavtsev, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, D. V. Savchenko, B. D. Shanina, “Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 663–671 ; Semiconductors, 49:5 (2015), 649–657 |
1
|
|
2014 |
| 3. |
Э. Ю. Даниловский, Н. Т. Баграев, “Матрица проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1676–1685 ; È. Yu. Danilovskii, N. T. Bagraev, “Conductance matrix of multiterminal semiconductor devices with edge channels”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1636–1644 |
1
|
| 4. |
Э. Ю. Даниловский, Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Д. С. Гец, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1549–1554 ; È. Yu. Danilovskii, N. T. Bagraev, A. L. Chernev, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, “Biosensors based on a method for determining the conductance matrix of multiterminal semiconductor nanostructures”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1512–1517 |
|
2013 |
| 5. |
Н. Т. Баграев, Д. С. Гец, Э. Ю. Даниловский, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 503–509 ; N. T. Bagraev, D. S. Gets, È. Yu. Danilovskii, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, “On the electrically detected cyclotron resonance of holes in silicon nanostructures”, Semiconductors, 47:4 (2013), 525–531 |
3
|
|
2012 |
| 6. |
Н. Т. Баграев, Е. С. Брилинская, Э. Ю. Даниловский, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. В. Романов, “Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 90–95 ; N. T. Bagraev, E. S. Brilinskaya, È. Yu. Danilovskii, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. V. Romanov, “The de Haas-van Alphen effect in nanostructures of cadmium fluoride”, Semiconductors, 46:1 (2012), 87–92 |
7
|
| 7. |
Н. Т. Баграев, Э. Ю. Даниловский, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, “Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 77–89 ; N. T. Bagraev, È. Yu. Danilovskii, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, “Spin interference of holes in silicon nanosandwiches”, Semiconductors, 46:1 (2012), 75–86 |
11
|
|
