|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649   ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
16
|
|
2015 |
| 2. |
О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов, “Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1360–1366 ; O. Naumova, E. G. Zaytseva, B. I. Fomin, M. A. Ilnitskii, V. P. Popov, “Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1316–1322 |
9
|
|
2014 |
| 3. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, О. В. Наумова, А. Н. Назаров, “Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1348–1353 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, O. Naumova, A. N. Nazarov, “Quantum corrections to threshold voltages for fully depleted SOI transistors with two independent gates”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1312–1317 |
6
|
|
