|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Б. И. Селезнев, Г. Я. Москалев, Д. Г. Федоров, “Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 848–853   ; B. I. Seleznev, G. Ya. Moskalev, D. G. Fedorov, “On the photon annealing of silicon-implanted gallium-nitride layers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 832–838 |
3
|
|
