|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs $p$–$i$–$n$-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 453–460   |
|
2023 |
| 2. |
В. А. Козлов, В. И. Николаев, В. В. Шпейзман, Р. Б. Тимашов, А. О. Поздняков, С. И. Степанов, “Влияние химико-механической обработки кремниевых пластин на морфологию их поверхности и прочность”, ЖТФ, 93:5 (2023), 643–653 |
|
2022 |
| 3. |
В. А. Козлов, В. И. Николаев, В. В. Шпейзман, Р. Б. Тимашов, А. О. Поздняков, С. И. Степанов, “Исследование прочности тонких пластин кремния в зависимости от методов обработки их поверхности при утонении”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 28–32 |
|
2016 |
| 4. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, V. A. Kozlov, “Study of deep levels in GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:7 (2016), 924–928 |
9
|
|
2014 |
| 5. |
И. Л. Шульпина, В. В. Ратников, В. А. Козлов, Ф. Ю. Солдатенков, В. Е. Войтович, “Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 84:10 (2014), 149–152 ; I. L. Shul'pina, V. V. Ratnikov, V. A. Kozlov, F. Yu. Soldatenkov, V. E. Voitovich, “Estimation of quality of GaAs substrates used for constructing semiconductor power devices”, Tech. Phys., 59:10 (2014), 1566–1569 |
5
|
|
