|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, Е. В. Гущина, Ж. К. Толепов, А. С. Жакыпов, О. Ю. Приходько, “Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 443–447   |
|
2018 |
| 2. |
О. Ю. Приходько, С. Л. Михайлова, Е. С. Мухаметкаримов, К. Даутхан, С. Я. Максимова, Г. А. Исмайлова, К. А. Тауасаров, Л. В. Михайлов, “Термическая стабильность поверхностного плазмонного резонансного поглощения в нанокомпозитных пленках
$a$-С:Н$\langle$Ag+TiО$_{2}\rangle$”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 758–762 ; O. Yu. Prikhodko, S. L. Mikhailova, E. S. Mukhametkarimov, K. Dautkhan, S. Ya. Maksimova, G. A. Ismailova, K. A. Tauasarov, L. V. Mikhailov, “Thermal stability of surface plasmon resonance absorption in $a$-С:Н$\langle$Ag+TiО$_{2}\rangle$ nanocomposite films”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 864–869 |
|
2016 |
| 3. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Д. Арсова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, О. Ю. Приходько, “Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, D. Arsova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, O. Yu. Prikhodko, “Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode”, Semiconductors, 50:7 (2016), 941–946 |
1
|
|
2012 |
| 4. |
Н. Ж. Алмасов, О. Ю. Приходько, К. Д. Цэндин, “Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As$_2$Se$_3$:Bi, полученных двумя различными методами”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1319–1321 ; N. G. Almasov, O. Yu. Prikhodko, K. D. Tsendin, “Inversion of the impurity conductivity sign in As$_2$Se$_3$:Bi films deposited by two different methods”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1296–1298 |
|
