|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. И. Алтухов, И. С. Касьяненко, А. В. Санкин, Б. А. Билалов, А. С. Сигов, “Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл–твердые растворы на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1190–1194   ; V. I. Altukhov, I. S. Kasyanenko, A. V. Sankin, B. A. Bilalov, A. S. Sigov, “Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1168–1172 |
1
|
|
