|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332   |
3
|
|
2015 |
| 2. |
Р. В. Кузьмин, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1258–1261 ; R. V. Kuz'min, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, “Defect-related luminescence in silicon $p^+$–$n$ junctions”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1222–1225 |
3
|
|
2014 |
| 3. |
Н. Т. Баграев, Р. В. Кузьмин, А. С. Гурин, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, “Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1646–1653 ; N. T. Bagraev, R. V. Kuz'min, A. S. Gurin, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, “Optically detected cyclotron resonance in heavily boron-doped silicon nanostructures on $n$-Si (100)”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1605–1612 |
3
|
|
2013 |
| 4. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, “Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1530–1535 ; N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, R. V. Kuz'min, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, “Features of the electroluminescence spectra of quantum-confined silicon $p^+$–$n$ heterojunctions in the infrared spectral region”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1517–1522 |
2
|
| 5. |
М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин, “Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1204–1209 ; M. M. Mezdrogina, L. S. Kostina, E. I. Belyakova, R. V. Kuz'min, “Emission intensity in the visible and IR spectral ranges from Si-based structures formed by direct bonding with simultaneous doping with erbium (Er) and europium (Eu)”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1193–1197 |
2
|
|
2012 |
| 6. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, “Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 289–303 ; N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, R. V. Kuz'min, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, “Infrared luminescence from silicon nanostructures heavily doped with boron”, Semiconductors, 46:3 (2012), 275–288 |
5
|
|
2011 |
| 7. |
Ю. В. Тубольцев, М. М. Мездрогина, Е. М. Хилькевич, Ю. В. Чичагов, Н. К. Полетаев, Р. В. Кузьмин, “Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов”, ЖТФ, 81:9 (2011), 77–81 ; Yu. V. Tuboltsev, M. M. Mezdrogina, E. M. Khilkevich, Yu. V. Chichagov, N. K. Poletaev, R. V. Kuz'min, “Setup for taking the radiation spectra of wideband semiconductors”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1297–1301 |
|
