|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. В. Васильев, А. В. Вишняков, В. А. Стучинский, “Аналитическая модель для расчета пространственного разрешения ИК фотоприемных матриц с малым размером пикселей”, ЖТФ, 95:11 (2025), 2235–2240   |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Стучинский, А. В. Вишняков, В. В. Васильев, “Об определении длины диффузии носителей заряда в материале абсорбера матричных HgCdTe-фотоприемников из профилей сканирования пятна засветки”, ЖТФ, 94:1 (2024), 132–137 |
|
2016 |
| 3. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
|
2011 |
| 4. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков, “Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)”, Письма в ЖТФ, 37:4 (2011), 1–7 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, S. A. Dvoretskii, A. V. Predein, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, A. V. Sorochkin, A. O. Suslyakov, “Infrared focal plane assemblies based on HgCdTe/Si(310) heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 148–150 |
|
