|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. В. Балакирев, Д. В. Кириченко, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, М. М. Ерёменко, М. С. Солодовник, “Исследование влияния ультрамалого потока мышьяка на процессы формирования наноструктур In(As)/GaAs методом капельной эпитаксии”, Физика твердого тела, 64:8 (2022), 943–947   |
| 2. |
С. В. Балакирев, М. М. Ерёменко, Е. А. Лахина, Д. В. Кириченко, Н. А. Шандыба, Н. Е. Черненко, О. А. Агеев, М. С. Солодовник, “Исследование особенностей эпитаксиального роста GaAs на подложках Si, модифицированных фокусированными ионными пучками”, Физика твердого тела, 64:6 (2022), 605–611 |
| 3. |
Н. А. Шандыба, Н. Е. Черненко, С. В. Балакирев, М. М. Еременко, Д. В. Кириченко, М. С. Солодовник, “Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 759–764 |
|
2016 |
| 4. |
О. А. Агеев, С. В. Балакирев, М. С. Солодовник, М. М. Еременко, “Влияние взаимодействия в системе Ga–As–O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 1011–1018 ; O. A. Ageev, S. V. Balakirev, M. S. Solodovnik, M. M. Eremenko, “Effect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1045–1052 |
19
|
|
