|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
В. В. Светухин, А. С. Кадочкин, В. Д. Рисованый, “Определение параметров центров накопления гелия в карбиде кремния по спектрам термодесорбции”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 87–94   ; V. V. Svetukhin, A. S. Kadochkin, V. D. Risovany, “Determining the parameters of helium accumulation centers in irradiated silicon carbide from thermodesorption spectra”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 226–228 |
1
|
|
2009 |
| 2. |
Ю. С. Нагорнов, Е. С. Пчелинцева, Б. М. Костишко, Д. А. Корнилов, В. М. Радченко, В. Д. Рисованый, “Моделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 113–125 |
1
|
|
