|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, М. В. Учаев, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Р. А. Бабунц, С. Я. Килин, “NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре”, Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1647–1653  |
| 2. |
К. В. Лихачев, М. В. Учаев, М. М. Логинова, И. П. Вейшторт, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025), 306–313 |
|
2024 |
| 3. |
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373 ; K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Local diagnostics of spin defects in irradiated SiC Schottky diodes”, JETP Letters, 120:5 (2024), 354–359 |
| 4. |
К. В. Лихачев, И. П. Вейшторт, М. В. Учаев, А. В. Батуева, В. В. Яковлева, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 82–88 ; K. V. Likhachev, I. P. Veishtort, M. V. Uchaev, A. V. Batueva, V. V. Yakovleva, A. S. Gurin, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Fully optical scanning spectroscopy of the anticrossing of electron and nuclear spin levels in a 4H-SiC crystal”, JETP Letters, 119:2 (2024), 78–83 |
4
|
|
2023 |
| 5. |
K. V. Likhachev, M. V. Uchaev, I. D. Breev, A. V. Ankudinov, R. A. Babunts, P. G. Baranov, S. V. Kidalov, “ODMR active bright sintered detonation nanodiamonds obtained without irradiation”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 113 |
|
