|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, Р. А. Котекин, А. Б. Пашковский, “Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 48–50   |
|
2023 |
| 2. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28 |
| 3. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, А. Б. Пашковский, “Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 28–30 |
|
2022 |
| 4. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
| 5. |
С. А. Богданов, А. А. Борисов, С. Н. Карпов, М. В. Кулиев, А. Б. Пашковский, Е. В. Терёшкин, “Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 44–46 |
|
2021 |
| 6. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
|
2019 |
| 7. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, “Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 11–14 ; A. B. Pashkovskii, S. A. Bogdanov, “Localization of upper-valley electrons in a narrow-bandgap channel: a possible additional mechanism of current increase in DA-DpHEMT”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1020–1023 |
1
|
|
