|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
К. В. Феклистов, Д. С. Абрамкин, В. И. Ободников, В. П. Попов, “Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 52–60   ; K. V. Feklistov, D. S. Abramkin, V. I. Obodnikov, V. P. Popov, “Doping silicon with erbium by recoil implantation”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 788–792 |
6
|
|
1992 |
| 2. |
Н. Н. Герасименко, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов, “Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1651–1653 |
|
