|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
В. В. Овчаров, В. И. Рудаков, В. П. Пригара, А. Л. Куреня, “Влияние степени легирования на температурную бистабильность в кремниевой пластине”, ЖТФ, 84:8 (2014), 67–76   ; V. V. Ovcharov, V. I. Rudakov, V. P. Prigara, A. L. Kurenya, “Effect of the doping level on temperature bistability in a silicon wafer”, Tech. Phys., 59:8 (2014), 1171–1179 |
2
|
|
2012 |
| 2. |
В. И. Рудаков, Е. А. Богоявленская, Ю. И. Денисенко, “Влияние отжига на формирование high-$k$ диэлектрика в системе W/ультратонкий HfO$_2$/Si-подложка”, Письма в ЖТФ, 38:21 (2012), 48–55 ; V. I. Rudakov, E. A. Bogoyavlenskaya, Yu. I. Denisenko, “Annealing effect on the formation of high-$k$ dielectric in the W/ultrathin HfO$_2$/Si-substrate system”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 982–984 |
3
|
|
2011 |
| 3. |
В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, С. Г. Симакин, “Особенности формирования CoSi$_2$ при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 37:3 (2011), 36–44 ; V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, S. G. Simakin, “Features of CoSi$_2$ phase formation by two-stage rapid thermal annealing of Ti/Co/Ti/Si(100) structures”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 112–115 |
|
