|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
А. П. Бахтинов, В. Н. Водопьянов, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринский, В. В. Нетяга, В. В. Вишняк, В. Л. Карбовский, О. С. Литвин, “Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni–C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2050–2061   ; A. P. Bakhtinov, V. N. Vodop'yanov, Z. D. Kovalyuk, Z. R. Kudrynskyi, V. V. Netyaga, V. V. Vishnjak, V. L. Karbovskii, O. S. Litvin, “Morphology, chemical composition, and electrical characteristics of hybrid (Ni–C) nanocomposite structures grown on the van der Waals GaSe(0001) surface”, Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2118–2130 |
2
|
|
2013 |
| 2. |
А. П. Бахтинов, В. Н. Водопьянов, В. И. Иванов, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин, “Влияние внешних воздействий на самоорганизацию наноструктур теллуридов свинца и олова на поверхности (111) BaF$_2$ в условиях, близких к термодинамическому равновесию”, Физика твердого тела, 55:1 (2013), 163–176 ; A. P. Bakhtinov, V. N. Vodop'yanov, V. I. Ivanov, Z. D. Kovalyuk, O. S. Litvin, “Influence of external factors on the self-organization of lead and tin telluride nanostructures on the BaF$_2$(111) surface under conditions close to the thermodynamic equilibrium”, Phys. Solid State, 55:1 (2013), 181–195 |
5
|
|
2012 |
| 3. |
А. П. Бахтинов, В. Н. Водопьянов, В. В. Нетяга, З. Р. Кудринский, О. С. Литвин, “Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 356–368 ; A. P. Bakhtinov, V. N. Vodop'yanov, V. V. Netyaga, Z. R. Kudrynskyi, O. S. Litvin, “Surface morphology and electrical properties of Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$ hybrid structures fabricated on the basis of a layered semiconductor with nanoscale ferroelectric inclusions”, Semiconductors, 46:3 (2012), 342–353 |
8
|
|
