|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, О. П. Казарова, С. И. Дорожкин, В. А. Солтамов, “Изотопически модифицированный карбид кремния: полупроводниковая платформа для квантовых технологий”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 114–120   |
|
2011 |
| 2. |
Д. Д. Авров, А. В. Булатов, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев, “О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H”, Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 289–294 ; D. D. Avrov, A. V. Bulatov, S. I. Dorozhkin, A. O. Lebedev, Yu. M. Tairov, A. Yu. Fadeev, “Mechanisms of defect formation in ingots of 4H silicon carbide polytype”, Semiconductors, 45:3 (2011), 277–283 |
3
|
|
Обратная связь: