|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
| 1. |
И. В. Антонова, С. А. Смагулова, Е. П. Неустроев, В. А. Скуратов, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, “Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 591–595   ; I. V. Antonova, S. A. Smagulova, E. P. Neustroev, V. A. Skuratov, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, “Charge spectroscopy of SiO$_2$ layers with embedded silicon nanocrystals modified by irradiation with high-energy ions”, Semiconductors, 45:5 (2011), 582–586 |
2
|
|
2010 |
| 2. |
Е. Ф. Венгер, С. И. Кириллова, Н. Е. Корсунская, Т. Р. Стара, Л. Ю. Хоменкова, А. В. Саченко, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski, “Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс”, Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010), 1224–1228 ; E. F. Venger, S. I. Kirillova, N. E. Korsunskaya, T. R. Stara, L. Yu. Khomenkova, A. V. Sachenko, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski, “SStudy of the layer-substrate interface in nc-SiO$_2$–$p$-Si”, Semiconductors, 44:9 (2010), 1187–1191 |
| 3. |
С. Н. Шамин, В. Р. Галахов, В. И. Аксенова, А. Н. Карпов, Н. Л. Шварц, З. Ш. Яновицкая, В. А. Володин, И. В. Антонова, Т. Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, “Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si”, Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 550–555 ; S. N. Shamin, V. R. Galakhov, V. I. Aksenova, A. N. Karpov, N. L. Shwartz, Z. Sh. Yanovitskaya, V. A. Volodin, I. V. Antonova, T. B. Ezhevskaya, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, “X-ray and infrared spectroscopy of layers produced by cosputtering of spatially separated SiO$_2$ and Si sources”, Semiconductors, 44:4 (2010), 531–536 |
8
|
|
Обратная связь: