Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Кашкаров Павел Константинович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 51
Научных статей: 50

Статистика просмотров:
Эта страница:1439
Страницы публикаций:24176
Полные тексты:8832
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail: ,

https://www.mathnet.ru/rus/person44793
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. А. С. Ильин, А. Н. Мацукатова, М. Н. Мартышов, А. В. Емельянов, В. В. Рыльков, В. А. Демин, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, М. В. Ковальчук, “Мемристоры для нейроморфных вычислительных систем: основные параметры и способы их оптимизации”, УФН, 196:4 (2026),  369–382  mathnet; A. S. Ilin, A. N. Matsukatova, M. N. Martyshov, A. V. Emelyanov, V. V. Rylkov, V. A. Demin, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, M. V. Kovalchuk, “Memristors for neuromorphic computing systems: basic parameters and methods of their optimization”, Phys. Usp., 69:4 (2026), 344–356  isi
2025
2. П. П. Пахольчук, Д. В. Шулейко, В. А. Барбашов, С. В. Заботнов, С. А. Козюхин, П. К. Кашкаров, “Formation of laser-induced periodic surface structures on an As$_{50}$Se$_{50}$ film under femtosecond laser irradiation with wavelengths of 400–800 nm”, Наносистемы: физика, химия, математика, 16:6 (2025),  908–914  mathnet
2023
3. Л. Н. Григорьева, А. С. Ильин, М. Н. Мартышов, К. А. Савин, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, “Влияние наночастиц кремния на проводимость полианилина”, Физика твердого тела, 65:4 (2023),  624–628  mathnet  elib
4. М. Н. Мартышов, А. В. Павликов, Е. В. Кытина, О. В. Пинчук, Т. П. Савчук, Е. А. Константинова, В. Б. Зайцев, П. К. Кашкаров, “Влияние условий синтеза на структурные, оптические и электрофизические свойства нанокомпозитов TiO$_2$/Cu$_x$O”, ЖТФ, 93:2 (2023),  249–255  mathnet  elib
5. А. В. Колчин, С. В. Заботнов, Д. В. Шулейко, П. И. Лазаренко, В. Б. Глухенькая, С. А. Козюхин, П. К. Кашкаров, “Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при фемтосекундном лазерном облучении”, Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023),  145–153  mathnet  elib
6. М. Н. Мартышов, В. В. Смирнова, А. С. Ильин, В. Б. Платонов, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, “Особенности проводимости композитов нановолокон ZnO и NiO”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  20–23  mathnet  elib
2022
7. В. Ю. Нестеров, О. И. Соколовская, Л. А. Головань, Д. В. Шулейко, А. В. Колчин, Д. Е. Преснов, П. К. Кашкаров, А. В. Хилов, Д. А. Куракина, М. Ю. Кириллин, Е. А. Сергеева, С. В. Заботнов, “Лазерная фрагментация кремниевых микрочастиц в жидкостях для решения задач биофотоники”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  160–170  mathnet [V. Yu. Nesterov, O. I. Sokolovskaya, L. A. Golovan, D. V. Shuleiko, A. V. Kolchin, D. E. Presnov, P. K. Kashkarov, A. V. Khilov, D. A. Kurakina, M. Yu. Kirillin, E. A. Sergeeva, S. V. Zabotnov, “Laser fragmentation of silicon microparticles in liquids for solution of biophotonics problems”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 160–170  isi  scopus] 9
2021
8. О. И. Соколовская, С. В. Заботнов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, Д. А. Куракина, Е. А. Сергеева, М. Ю. Кириллин, “Перспективы применения кремниевых наночастиц, полученных методом лазерной абляции, для гипертермии злокачественных опухолей”, Квантовая электроника, 51:1 (2021),  64–72  mathnet  elib [O. I. Sokolovskaya, S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, D. A. Kurakina, E. A. Sergeeva, M. Yu. Kirillin, “Prospects for using silicon nanoparticles fabricated by laser ablation in hyperthermia of tumours”, Quantum Electron., 51:1 (2021), 64–72  isi  scopus] 9
2020
9. А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, “Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена”, Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  379–386  mathnet  elib; A. N. Matsukatova, A. V. Emelyanov, A. A. Minnekhanov, V. A. Demin, V. V. Rylkov, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, “Second-order nanoscale thermal effects in memristive structures based on poly-$p$-xylylene”, JETP Letters, 112:6 (2020), 357–363  isi  scopus 9
10. А. В. Скобёлкина, Ф. В. Кашаев, А. В. Колчин, Д. В. Шулейко, Т. П. Каминская, Д. Е. Преснов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, “Формирование кремниевых наночастиц методом импульсной лазерной абляции пористого кремния в жидкостях”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  13–16  mathnet  elib; A. V. Skobelkina, F. V. Kashaev, A. V. Kolchin, D. V. Shuleiko, T. P. Kaminskaya, D. E. Presnov, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, “Silicon nanoparticles formed via pulsed laser ablation of porous silicon in liquids”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 687–690 15
11. А. В. Колчин, Д. В. Шулейко, А. В. Павликов, С. В. Заботнов, Л. А. Головань, Д. Е. Преснов, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, А. А. Попов, П. К. Кашкаров, “Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  43–46  mathnet  elib; A. V. Kolchin, D. V. Shuleiko, A. V. Pavlikov, S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, D. E. Presnov, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, A. A. Popov, P. K. Kashkarov, “Femtosecond laser annealing of multilayer thin-film structures based on amorphous germanium and silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 560–563 8
12. А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, Д. А. Сахарутов, А. Ю. Вдовиченко, Р. А. Камышинский, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, С. Н. Чвалун, П. К. Кашкаров, “Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  25–28  mathnet  elib; A. N. Matsukatova, A. V. Emelyanov, A. A. Minnekhanov, D. A. Saharutov, A. Yu. Vdovichenko, R. A. Kamyshinskiy, V. A. Demin, V. V. Ryl'kov, P. A. Forsh, S. N. Chvalun, P. K. Kashkarov, “Memristors based on poly($p$-xylylene) with embedded silver nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 73–76 20
13. С. В. Заботнов, Д. А. Куракина, Ф. В. Кашаев, А. В. Скобёлкина, А. В. Колчин, Т. П. Каминская, А. В. Хилов, П. Д. Агрба, Е. А. Сергеева, П. К. Кашкаров, М. Ю. Кириллин, Л. А. Головань, “Структурные и оптические свойства наночастиц, формируемых методом лазерной абляции пористого кремния в жидкостях; перспективы применения в биофотонике”, Квантовая электроника, 50:1 (2020),  69–75  mathnet  elib [S. V. Zabotnov, D. A. Kurakina, F. V. Kashaev, A. V. Skobelkina, A. V. Kolchin, T. P. Kaminskaya, A. V. Khilov, P. D. Agrba, E. A. Sergeeva, P. K. Kashkarov, M. Yu. Kirillin, L. A. Golovan, “Structural and optical properties of nanoparticles formed by laser ablation of porous silicon in liquids: Perspectives in biophotonics”, Quantum Electron., 50:1 (2020), 69–75  isi  scopus] 11
2019
14. С. В. Заботнов, А. В. Колчин, Ф. В. Кашаев, А. В. Скобёлкина, В. Ю. Нестеров, Д. Е. Преснов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, “Анализ структуры наночастиц, формируемых методом лазерной абляции пористого кремния и микрочастиц кремния в воде”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  22–25  mathnet  elib; S. V. Zabotnov, A. V. Kolchin, F. V. Kashaev, A. V. Skobelkina, V. Yu. Nesterov, D. E. Presnov, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, “Structural analysis of nanoparticles formed via laser ablation of porous silicon and silicon microparticles in water”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1085–1088 8
2018
15. А. А. Миннеханов, Е. В. Вахрина, Е. А. Константинова, П. К. Кашкаров, “Особенности процессов накопления заряда в наногетероструктурах на основе оксидов титана и молибдена”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018),  270–275  mathnet  elib; M. A. Minnekhanov, E. V. Vakhrina, E. A. Konstantinova, P. K. Kashkarov, “Features of charge accumulation processes in nanoheterostructures based on titanium and molybdenum oxides”, JETP Letters, 107:4 (2018), 264–268  isi  scopus 6
16. К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, В. А. Демин, В. В. Рыльков, А. В. Ситников, П. К. Кашкаров, “Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  20–28  mathnet  elib; K. È. Nikiruy, A. V. Emelyanov, V. A. Demin, V. V. Ryl'kov, A. V. Sitnikov, P. K. Kashkarov, “A precise algorithm of memristor switching to a state with preset resistance”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 416–419 43
2017
17. Д. М. Жигунов, И. А. Каменских, А. М. Лебедев, Р. Г. Чумаков, Ю. А. Логачев, С. Н. Якунин, П. К. Кашкаров, “Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремния”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  496–501  mathnet  elib; D. M. Zhigunov, I. A. Kamenskikh, A. M. Lebedev, R. G. Chumakov, Yu. A. Logachev, S. N. Yakunin, P. K. Kashkarov, “X-ray reflectivity and photoelectron spectroscopy of superlattices with silicon nanocrystals”, JETP Letters, 106:8 (2017), 517–521  isi  scopus 4
18. Д. В. Шулейко, С. В. Заботнов, Д. М. Жигунов, А. А. Зеленина, И. А. Каменских, П. К. Кашкаров, “Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  205–211  mathnet  elib; D. V. Shuleiko, S. V. Zabotnov, D. M. Zhigunov, A. A. Zelenina, I. A. Kamenskikh, P. K. Kashkarov, “Photoluminescence of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and oxide superlattices”, Semiconductors, 51:2 (2017), 196–202 6
19. Д. М. Жигунов, А. С. Ильин, П. А. Форш, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, П. К. Кашкаров, “Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101  mathnet  elib; D. M. Zhigunov, A. S. Ilyin, P. A. Forsh, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, P. K. Kashkarov, “Luminescence of solar cells with $a$-Si:H/$c$-Si heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 496–498 7
20. А. А. Миннеханов, Е. А. Константинова, В. И. Пустовой, П. К. Кашкаров, “Влияние условий формирования и хранения наночастиц кремния, полученных методом лазерно-индуцированного пиролиза моносилана, на природу и свойства дефектов в них”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  27–34  mathnet  elib; A. A. Minnekhanov, E. A. Konstantinova, V. I. Pustovoi, P. K. Kashkarov, “The influence of the formation and storage conditions of silicon nanoparticles obtained by laser-induced pyrolysis of monosilane on the nature and properties of defects”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 424–427 4
21. С. В. Заботнов, Ф. В. Кашаев, Д. В. Шулейко, М. Б. Гонгальский, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, Д. А. Логинова, П. Д. Агрба, Е. А. Сергеева, М. Ю. Кириллин, “Кремниевые наночастицы как контрастирующие агенты в методах оптической биомедицинской диагностики”, Квантовая электроника, 47:7 (2017),  638–646  mathnet  elib [S. V. Zabotnov, F. V. Kashaev, D. V. Shuleiko, M. B. Gongalsky, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, D. A. Loginova, P. D. Agrba, E. A. Sergeeva, M. Yu. Kirillin, “Silicon nanoparticles as contrast agents in the methods of optical biomedical diagnostics”, Quantum Electron., 47:7 (2017), 638–646  isi  scopus] 20
2016
22. А. С. Ильин, Н. П. Фантина, М. Н. Мартышов, П. А. Форш, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, П. К. Кашкаров, “Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  619–623  mathnet  elib; A. S. Ilyin, N. P. Fantina, M. N. Martyshov, P. A. Forsh, A. S. Chizhov, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, P. K. Kashkarov, “Effect of cadmium-selenide quantum dots on the conductivity and photoconductivity of nanocrystalline indium oxide”, Semiconductors, 50:5 (2016), 607–611 3
2015
23. А. В. Емельянов, В. А. Демин, И. М. Антропов, Г. И. Целиков, З. В. Лаврухина, П. К. Кашкаров, “Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства”, ЖТФ, 85:1 (2015),  114–117  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, V. A. Demin, I. M. Antropov, G. I. Tselikov, Z. V. Lavrukhina, P. K. Kashkarov, “Effect of the thickness of the TiO$_x$/TiO$_2$ layers on their memristor properties”, Tech. Phys., 60:1 (2015), 112–115 11
24. Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, “Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1184–1188  mathnet  elib; E. A. Forsh, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, “Specific features of the optical and photoelectric properties of nanocrystalline indium oxide”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1149–1153 6
25. А. С. Ильин, Н. П. Фантина, М. Н. Мартышов, П. А. Форш, А. С. Воронцов, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, П. К. Кашкаров, “Влияние напряжения на чувствительность нанокристаллического оксида индия к диоксиду азота в условиях ультрафиолетовой подсветки”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  97–102  mathnet  elib; A. S. Ilyin, N. P. Fantina, M. N. Martyshov, P. A. Forsh, A. S. Vorontsov, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, P. K. Kashkarov, “Voltage effect on the sensitivity of nanocrystalline indium oxide to nitrogen dioxide under ultraviolet irradiation”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 252–254 5
2014
26. А. В. Емельянов, А. Г. Казанский, П. К. Кашкаров, О. И. Коньков, Н. П. Кутузов, В. Л. Лясковский, П. А. Форш, М. В. Хенкин, “Изменение структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной лазерной кристаллизации”, Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  1–8  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, A. G. Kazanskii, P. K. Kashkarov, O. I. Kon'kov, N. P. Kutuzov, V. L. Lyaskovskii, P. A. Forsh, M. V. Khenkin, “Modification of the structure and hydrogen content of amorphous hydrogenated silicon films under conditions of femtosecond laser-induced crystallization”, Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 141–144 2
2013
27. А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469  isi  elib  scopus 10
28. М. В. Хенкин, А. В. Емельянов, А. Г. Казанский, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, Е. И. Теруков, Д. Л. Орехов, P. Roca i Cabarrocas, “Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1283–1287  mathnet  elib; M. V. Khenkin, A. V. Emelyanov, A. G. Kazanskii, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, E. I. Terukov, D. L. Orekhov, P. Roca i Cabarrocas, “Influence of the fabrication conditions of polymorphous silicon films on their structural, electrical and optical properties”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1271–1274 4
29. К. В. Буньков, Л. А. Головань, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, M. Kulmas, V. Sivakov, “Зависимость эффективности комбинационного рассеяния света в ансамблях кремниевых нанонитей от длины волны возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  329–333  mathnet  elib; K. V. Bunkov, L. A. Golovan, K. A. Gonchar, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, M. Kulmas, V. Sivakov, “Dependence of the efficiency of Raman scattering in silicon nanowire arrays on the excitation wavelength”, Semiconductors, 47:3 (2013), 354–357 5
2012
30. А. В. Емельянов, А. Г. Казанский, П. К. Кашкаров, О. И. Коньков, Е. И. Теруков, П. А. Форш, М. В. Хенкин, А. В. Кукин, M. Beresna, P. Kazansky, “Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  769–774  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, A. G. Kazanskii, P. K. Kashkarov, O. I. Kon'kov, E. I. Terukov, P. A. Forsh, M. V. Khenkin, A. V. Kukin, M. Beresna, P. Kazansky, “Effect of the femtosecond laser treatment of hydrogenated amorphous silicon films on their structural, optical, and photoelectric properties”, Semiconductors, 46:6 (2012), 749–754 24
31. Д. М. Жигунов, Н. В. Швыдун, А. В. Емельянов, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, В. Н. Семиногов, “Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  369–375  mathnet  elib; D. M. Zhigunov, N. V. Shvydun, A. V. Emelyanov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, V. N. Seminogov, “Photoluminescence study of the structural evolution of amorphous and crystalline silicon nanoclusters during the thermal annealing of silicon suboxide films with different stoichiometry”, Semiconductors, 46:3 (2012), 354–359 6
2011
32. В. Я. Гайворонский, Л. А. Головань, М. А. Копыловский, Ю. В. Громов, С. В. Заботнов, Н. А. Пискунов, П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко, “Двухфотонное поглощение и нелинейная рефракция двулучепреломляющих пленок мезопористого кремния”, Квантовая электроника, 41:3 (2011),  257–261  mathnet  elib [V. Ya. Gayvoronsky, L. A. Golovan, M. A. Kopylovsky, Yu. V. Gromov, S. V. Zabotnov, N. A. Piskunov, P. K. Kashkarov, V. Yu. Timoshenko, “Two-photon absorption and nonlinear refraction of birefringent mesoporous silicon films”, Quantum Electron., 41:3 (2011), 257–261  isi  scopus] 9
2010
33. Е. А. Константинова, В. Я. Гайворонский, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, “Исследование спиновых центров в нанокристаллическом диоксиде титана с высокой степенью фотокаталитической активности”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1093–1097  mathnet  elib; E. A. Konstantinova, V. Ya. Gayvoronsky, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, “Study of spin centers in nanocrystalline titanium dioxide with a high degree of photocatalytic activity”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1059–1063 9
34. Е. А. Агафонова, М. Н. Мартышов, П. А. Форш, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, “Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  367–371  mathnet  elib; E. A. Agafonova, M. N. Martyshov, P. A. Forsh, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, “Effect of thermal oxidation on charge carrier transport in nanostructured silicon”, Semiconductors, 44:3 (2010), 350–353 4
2009
35. Г. А. Марциновский, Г. Д. Шандыбина, Ю. С. Дементьева, Р. В. Дюкин, С. В. Заботнов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, “Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009),  1339–1345  mathnet  elib; G. A. Martsinovskii, G. D. Shandybina, Yu. S. Dementieva, R. V. Dyukin, S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, “Generation of surface electromagnetic waves in semiconductors under the action of femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1298–1304 22
36. Л. А. Головань, С. В. Заботнов, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, “Учет динамической деполяризации в модели эффективной среды для описания оптических свойств анизотропных наноструктурированных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  230–234  mathnet  elib; L. A. Golovan, S. V. Zabotnov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, “Consideration for the dynamic depolarization in the effective-medium model for description of optical properties for anisotropic nanostructured semiconductors”, Semiconductors, 43:2 (2009), 218–222 10
2007
37. Е. А. Константинова, В. А. Демин, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, “ЭПР-диагностика фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода на поверхности нанокристаллов кремния”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  65–68  mathnet; E. A. Konstantinova, V. A. Demin, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, “EPR diagnostics of the photosensitized generation of singlet oxygen on the surface of silicon nanocrystals”, JETP Letters, 85:1 (2007), 59–62  isi  scopus 23
38. Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, “Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем”, УФН, 177:6 (2007),  619–638  mathnet; L. A. Golovan, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, “Optical properties of porous-system-based nanocomposites”, Phys. Usp., 50:6 (2007), 595–612  isi  scopus 181
2006
39. С. В. Заботнов, Л. А. Головань, И. А. Остапенко, Ю. В. Рябчиков, А. В. Червяков, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, В. В. Яковлев, “Фемтосекундное наноструктурирование кремниевых поверхностей”, Письма в ЖЭТФ, 83:2 (2006),  76–79  mathnet; S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, I. A. Ostapenko, Yu. V. Ryabchikov, A. V. Chervyakov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, V. V. Yakovlev, “Femtosecond nanostructuring of silicon surfaces”, JETP Letters, 83:2 (2006), 69–71  isi  scopus 30
2005
40. М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617  mathnet; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497  isi  scopus 12
41. С. В. Заботнов, И. А. Остапенко, Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, Г. Д. Шандыбина, “Генерация третьей гармоники от поверхности кремния, структурированной фемтосекундными лазерными импульсами”, Квантовая электроника, 35:10 (2005),  943–946  mathnet [S. V. Zabotnov, I. A. Ostapenko, L. A. Golovan, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, G. D. Shandybina, “Third harmonic generation from a silicon surface structured by femtosecond laser pulses”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 943–946  isi] 10
2003
42. Л. А. Головань, В. А. Мельников, С. О. Коноров, А. Б. Федотов, С. А. Гаврилов, А. М. Желтиков, П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко, Г. И. Петров, Л. Ли, В. В. Яковлев, “Эффективная генерация второй гармоники при рассеянии в пористом фосфиде галлия”, Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  229–233  mathnet; L. A. Golovan, V. A. Melnikov, S. O. Konorov, A. B. Fedotov, S. A. Gavrilov, A. M. Zheltikov, P. K. Kashkarov, V. Yu. Timoshenko, G. I. Petrov, L. Li, V. V. Yakovlev, “Efficient second-harmonic generation by scattering from porous gallium phosphide”, JETP Letters, 78:4 (2003), 193–197  scopus 18
2001
43. А. Б. Федотов, А. М. Желтиков, А. П. Тарасевич, М. В. Алфимов, А. А. Иванов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, А. А. Подшивалов, В. И. Белоглазов, Дж. Хаус, Д. фон дер Линде, “Управление локализацией света и эффективностью нелинейно-оптических взаимодействий коротких лазерных импульсов в дырчатых волноводах”, Квантовая электроника, 31:5 (2001),  387–390  mathnet [A. B. Fedotov, A. M. Zheltikov, A. P. Tarasevitch, M. V. Alfimov, A. A. Ivanov, L. A. Golovan, P. K. Kashkarov, A. A. Podshivalov, V. I. Beloglazov, J. W. Haus, D. Linde, “Controlled light localisation and nonlinear-optical interactions of short laser pulses in holey fibres”, Quantum Electron., 31:5 (2001), 387–390  isi] 2
1998
44. Р. В. Волков, В. М. Гордиенко, М. С. Джиджоев, Б. В. Каменев, П. К. Кашкаров, Ю. В. Пономарев, А. Б. Савельев, В. Ю. Тимошенко, А. А. Шашков, “Генерация жесткого рентгеновского излучения при облучении пористого кремния сверхинтенсивными фемтосекундными лазерными импульсами”, Квантовая электроника, 25:1 (1998),  3–4  mathnet [R. V. Volkov, V. M. Gordienko, M. S. Dzhidzhoev, B. V. Kamenev, P. K. Kashkarov, Yu. V. Ponomarev, A. B. Savel'ev, V. Yu. Timoshenko, A. A. Shashkov, “Generation of hard x-ray radiation by irradiation of porous silicon with ultraintense femtosecond laser pulses”, Quantum Electron., 28:1 (1998), 1–2  isi] 14
45. П. К. Кашкаров, Б. В. Каменев, Е. А. Константинова, А. И. Ефимова, А. В. Павликов, В. Ю. Тимошенко, “Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях”, УФН, 168:5 (1998),  577–582  mathnet; P. K. Kashkarov, B. V. Kamenev, E. A. Konstantinova, A. I. Efimova, A. V. Pavlikov, V. Yu. Timoshenko, “Dynamics of nonequilibrium charge carriers in silicon quantum wires”, Phys. Usp., 41:5 (1998), 511–515  isi 21
1992
46. П. К. Кашкаров, М. В. Русина, В. Ю. Тимошенко, “Модификация коэффициента отражения полупроводников A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при импульсном лазерном облучении”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1835–1837  mathnet
47. П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко, “Модификация спектра мелких состояний арсенида галлия под действием импульсного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1321–1322  mathnet
1988
48. В. И. Емельянов, П. К. Кашкаров, Н. Г. Чеченин, Т. Дитрих, “Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении”, Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2259–2263  mathnet  isi
1987
49. А. Ю. Абдуллаев, С. В. Говорков, П. К. Кашкаров, Н. И. Коротеев, Г. И. Петров, И. Л. Шумай, “Нелинейно-оптическая диагностика деформации решетки при термическом окислении кремния”, Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1898–1901  mathnet  isi
1984
50. П. К. Кашкаров, А. В. Петров, “Изменение параметров поверхностных состояний кремния при лазерном облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  555–558  mathnet
1998
51. Р. В. Волков, В. М. Гордиенко, М. С. Джиджоев, Б. В. Каменев, П. К. Кашкаров, Ю. В. Пономарев, А. Б. Савельев-Трофимов, В. Ю. Тимошенко, А. А. Шашков, “Генерация жесткого рентгеновского излучения при облучении пористого кремния сверхинтенсивными фемтосекундными лазерными импульсами («Квантовая электроника», 1998, т. 25, № 1, с.3–4 ).”, Квантовая электроника, 25:2 (1998),  192  mathnet 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026