Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Тарасов Илья Сергеевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 140
Научных статей: 138

Статистика просмотров:
Эта страница:1054
Страницы публикаций:39533
Полные тексты:20783
профессор
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person47044
Список публикаций на Google Scholar
https://zbmath.org/authors/ai:tarasov.i-s
https://mathscinet.ams.org/mathscinet/MRAuthorID/211056

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2018
1. Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200  mathnet  elib; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 7
2017
2. Л. А. Кулакова, А. В. Лютецкий, И. С. Тарасов, “Поляризационные эффекты в гетеролазерах In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs на квантовой яме”, Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1684–1690  mathnet  elib; L. A. Kulakova, A. V. Lyutetskiy, I. S. Tarasov, “Polarization effects in quantum-well In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs heterolasers”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1706–1712
3. З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers”, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964 16
4. П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
5. А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37  mathnet  elib; A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “All-optical modulator cells based on AlGaAs/GaAs/InGaAs 905-nm laser heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 101–103 3
2016
6. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Ю. К. Бобрецова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, Yu. K. Bobretsova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402 8
7. А. В. Бабичев, A. Bousseksou, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324  mathnet  elib; A. V. Babichev, A. Bousseksou, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, E. V. Nikitina, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, “Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 $\mu$m”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1299–1303 21
8. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Я. В. Лубянский, И. С. Тарасов, “Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272
9. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 8
10. П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 3
11. С. А. Иванов, Н. В. Никоноров, А. И. Игнатьев, В. В. Золотарев, Я. В. Лубянский, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838  mathnet  elib; S. A. Ivanov, N. V. Nikonorov, A. I. Ignatiev, V. V. Zolotarev, Ya. V. Lubyanskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Narrowing of the emission spectra of high-power laser diodes with a volume Bragg grating recorded in photo-thermo-refractive glass”, Semiconductors, 50:6 (2016), 819–823 8
12. З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 5
13. З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781  isi  scopus] 6
2015
14. А. Ю. Егоров, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Е. В. Никитина, M. Tchernycheva, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577  mathnet  elib; A. Yu. Egorov, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, E. V. Nikitina, M. Tchernycheva, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-$\mu$m under current pumping”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1527–1530 17
15. З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1553–1557  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Comparative analysis of the effects of electron and hole capture on the power characteristics of a semiconductor quantum-well laser”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1506–1510 1
16. Н. А. Берт, А. Д. Бондарев, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, Я. В. Лубянский, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, К. Р. Аюшева, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов, “Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433  mathnet  elib; N. A. Bert, A. D. Bondarev, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, Ya. V. Lubyanskiy, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, A. N. Petrunov, N. A. Pikhtin, K. R. Ayusheva, I. N. Arsent'ev, I. S. Tarasov, “Properties of AlN films deposited by reactive ion-plasma sputtering”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1383–1387 11
17. А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1108–1114  mathnet  elib; A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Optical-cell model based on the lasing competition of mode structures with different Q-factors in high-power semiconductor lasers”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1083–1089 4
18. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, А. В. Попов, “Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, A. V. Popov, “Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) hetermostructures with anomalously high carrier mobility”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1019–1024 1
19. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Investigations of nanodimensional Al$_2$O$_3$ films deposited by ion-plasma sputtering onto porous silicon”, Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920 24
20. П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. С. Тарасов, “Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  8–15  mathnet  elib; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, I. S. Tarasov, “Mapping of laser diode radiation intensity by atomic-force microscopy”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 870–873 2
21. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  10–16  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Suppressing the process of charge carrier delocalization in high-power pulse-pumped semiconductor lasers”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 263–265 7
22. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Ya. V. Lubyanskiy, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Integrated high-order surface diffraction gratings for diode lasers”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1091–1097  isi  scopus] 19
23. Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883  mathnet  elib [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883  isi  scopus] 2
24. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606  isi  scopus] 15
25. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600  isi  scopus] 20
2014
26. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, А. С. Леньшин, А. Д. Бондарев, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, A. S. Len'shin, A. D. Bondarev, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Structure and optical properties of thin Al$_2$O$_3$ films deposited by the reactive ion-plasma sputtering method on GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1527–1531 9
27. Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, А. Д. Бондарев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1377–1382  mathnet  elib; N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, A. D. Bondarev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “On the temperature delocalization of carriers in GaAs/AlGaAs/InGaAs quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1342–1347 8
28. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 10
29. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Васильева, Н. А. Пихтин, А. В. Рожков, А. В. Горбатюк, В. В. Золотарев, Д. А. Веселов, А. В. Жаботинский, А. А. Петухов, И. С. Тарасов, Т. А. Багаев, М. В. Зверков, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Vasil'eva, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, A. V. Gorbatyuk, V. V. Zolotarev, D. A. Veselov, A. V. Zhabotinsky, A. A. Petukhov, I. S. Tarasov, T. A. Bagaev, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “On the control efficiency of a high-power laser thyristor emitting in the 890–910 nm spectral range”, Semiconductors, 48:5 (2014), 697–699 18
30. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, В. В. Золотарев, И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, П. С. Копьев, “Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, V. V. Zolotarev, I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, P. S. Kop'ev, “Multi-wavelength integrated optical-laser emission modulator based on semiconductor heterostructures”, Semiconductors, 48:5 (2014), 691–696 1
31. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, В. В. Золотарев, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  705–709  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, V. V. Zolotarev, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Analysis of the emission efficiency of powerful semiconductor lasers under closed-mode threshold lasing conditions”, Semiconductors, 48:5 (2014), 686–690 3
32. В. В. Шамахов, А. В. Лютецкий, К. В. Бахвалов, И. С. Шашкин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  388–391  mathnet  elib; V. V. Shamakhov, A. V. Lyutetskiy, K. Bakhvalov, I. S. Shashkin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Laser-diode bars based on AlGaAsP/GaAs heterostructures emitting at a wavelength of 850 nm”, Semiconductors, 48:3 (2014), 373–376 7
33. Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996  mathnet  elib [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996  isi  scopus] 40
34. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, К. В. Бахвалов, Я. В. Лубянский, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, “Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков”, Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, K. V. Bakhvalov, Ya. V. Lubyanskiy, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “Spectral characteristics of multimode semiconductor lasers with a high-order surface diffraction grating”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 907–911  isi  scopus] 7
35. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805  isi  scopus] 3
2013
36. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Винокуров, А. Д. Бондарев, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, И. С. Тарасов, “Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Vinokurov, A. D. Bondarev, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, I. S. Tarasov, “AlGaAs/GaAs diode lasers (1020–1100 nm) with an asymmetric broadened single transverse mode waveguide”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1079–1083 13
37. Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, “Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “850-nm diode lasers with different ways of compensating for internal mechanical stresses in an AlGaAs:P/GaAs heterostructure”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1075–1078 7
38. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов, “Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128  mathnet  elib; V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, “Semiconductor lasers with internal wavelength selection”, Semiconductors, 47:1 (2013), 122–126 8
39. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Ю. Лешко, А. В. Рожков, И. С. Тарасов, “Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме”, Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  9–16  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. Yu. Leshko, A. V. Rozhkov, I. S. Tarasov, “Semiconductor InGaAs/GaAs injection lasers with waveguides based on a single quantum well”, Tech. Phys. Lett., 39:4 (2013), 364–366 6
40. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432  mathnet  elib [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432  isi  scopus] 2
2012
41. Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1321–1325 12
42. В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1339–1343  mathnet  elib; V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, G. I. Ryabtsev, A. S. Smal, M. A. Shchemelev, D. A. Vinokurov, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1316–1320 7
43. И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов, “Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238  mathnet  elib; I. S. Shashkin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, “Temperature dependence of the threshold current density in semiconductor lasers ($\lambda$ = 1050–1070 nm)”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1211–1215 11
44. И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233  mathnet  elib; I. S. Shashkin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Thermal delocalization of carriers in semiconductor lasers ($\lambda$ = 1010–1070 nm)”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1207–1210 11
45. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1067–1073  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Effect of the number of quantum wells in the active region on the linearity of the light-current characteristic of a semiconductor laser”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1044–1050 7
46. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, А. С. Леньшин, М. С. Смирнов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, A. S. Len'shin, M. S. Smirnov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and spectral features of MOCVD Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/GaAs (100) alloys”, Semiconductors, 46:6 (2012), 719–729 18
47. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, A. V. Bobyl', N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, D. A. Sakseev, I. S. Tarasov, V. N. Sheremet, M. A. Yagovkina, “Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density”, Semiconductors, 46:3 (2012), 334–341 9
48. В. В. Васильева, Д. А. Винокуров, В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257  mathnet  elib; V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. N. Petrunov, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, Z. N. Sokolova, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “High-order diffraction gratings for high-power semiconductor lasers”, Semiconductors, 46:2 (2012), 241–246 8
2011
49. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1553–1559  mathnet  elib; Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Capture of charge carriers and output power of a quantum well laser”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1494–1500 18
50. П. В. Середин, А. В. Глотов, В. Е. Терновая, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, V. E. Ternovaya, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Spinodal decomposition of Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ quaternary alloys”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1433–1440 25
51. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, В. В. Забродский, И. С. Тарасов, “Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, V. V. Zabrodskii, I. S. Tarasov, “Analysis of quenching conditions of Fabry–Perot mode lasing in semiconductor stripe-contact lasers”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1378–1385 20
52. Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, A. D. Bondarev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Diode lasers emitting at 1220 nm with a highly strained GaInAs quantum well and GaAsP compensating layers MOCVD-grown on a GaAs substrate”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1364–1368 3
53. Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Н. А. Рудова, И. С. Тарасов, “Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1274–1278  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, A. D. Bondarev, N. A. Rudova, I. S. Tarasov, “Diode lasers emitting at 1190 nm with a highly strained GaInAs quantum well and GaAsP compensating layers MOCVD-grown on a GaAs substrate”, Semiconductors, 45:9 (2011), 1227–1230 6
54. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, Н. А. Рудова, А. Ю. Лешко, И. С. Тарасов, “Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  682–687  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, N. A. Rudova, A. Yu. Leshko, I. S. Tarasov, “Electroluminescence and absorption spectra of low-optical-loss semiconductor lasers based on InGaAs/AlGaAs/GaAs QW heterostructures”, Semiconductors, 45:5 (2011), 673–678 13
55. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, З. Н. Соколова, А. Ю. Лешко, И. С. Тарасов, “Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  672–676  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, Z. N. Sokolova, A. Yu. Leshko, I. S. Tarasov, “Analysis of threshold conditions for generation of a closed mode in a Fabry–Perot semiconductor laser”, Semiconductors, 45:5 (2011), 663–667 13
56. А. А. Мармалюк, Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534  mathnet  elib; A. A. Marmalyuk, E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Laser diodes with several emitting regions ($\lambda$ = 800–1100 nm) on the basis of epitaxially integrated heterostructures”, Semiconductors, 45:4 (2011), 519–525 7
57. П. В. Середин, А. В. Глотов, В. Е. Терновая, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, V. E. Ternovaya, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Effect of silicon on relaxation of the crystal lattice in MOCVD–hydride Al$_x$Ga$_{1-x}$As (100) heterostructures”, Semiconductors, 45:4 (2011), 481–492 23
2010
58. Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, М. Г. Растегаева, А. В. Рожков, И. С. Тарасов, “InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs”, Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, M. G. Rastegaeva, A. V. Rozhkov, I. S. Tarasov, “InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers emitting at a wavelength of 1190 nm grown by MOCVD epitaxy on GaAs substrate”, Semiconductors, 44:12 (2010), 1592–1596 4
59. М. А. Ладугин, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)”, Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421  mathnet  elib; M. A. Ladugin, A. V. Lyutetskiy, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, I. S. Shashkin, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Temperature dependence of the threshold current density and external differential quantum efficiency of semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm)”, Semiconductors, 44:10 (2010), 1370–1374 7
60. Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Подоскин, И. С. Тарасов, “Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)”, Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1411–1416  mathnet  elib; N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, I. S. Shashkin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Podoskin, I. S. Tarasov, “The temperature dependence of internal optical losses in semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm)”, Semiconductors, 44:10 (2010), 1365–1369 11
61. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Relaxation of crystal lattice parameters and structural ordering in In$_x$Ga$_{1-x}$As epitaxial alloys”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1106–1112 8
62. Д. А. Винокуров, М. А. Ладугин, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, И. С. Шашкин, Н. С. Аверкиев, И. С. Тарасов, “Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, M. A. Ladugin, A. V. Lyutetskiy, A. A. Marmalyuk, A. N. Petrunov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, I. S. Shashkin, N. S. Averkiev, I. S. Tarasov, “Two-band lasing in epitaxially stacked tunnel-junction semiconductor lasers”, Semiconductors, 44:6 (2010), 805–807 1
63. А. Н. Петрунов, А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Налет, Н. В. Фетисова, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, П. А. Алексеев, А. Н. Титков, И. С. Тарасов, “Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора”, Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821  mathnet  elib; A. N. Petrunov, A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Nalet, N. V. Fetisova, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, P. A. Alekseev, A. N. Titkov, I. S. Tarasov, “Pulsed semiconductor lasers with higher optical strength of cavity output mirrors”, Semiconductors, 44:6 (2010), 789–793 3
64. С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, Л. С. Вавилова, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов, “Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, I. S. Shashkin, L. S. Vavilova, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, I. S. Tarasov, “Temperature delocalization of charge carriers in semiconductor lasers”, Semiconductors, 44:5 (2010), 661–666 11
65. Н. С. Аверкиев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  256–259  mathnet  elib; N. S. Averkiev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Dissipation loss of mid-infrared radiation in a dielectric waveguide”, Semiconductors, 44:2 (2010), 243–245
66. Д. А. Винокуров, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. В. Сухарев, Н. В. Фетисова, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, A. V. Lyutetskiy, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. N. Petrunov, N. A. Pikhtin, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. V. Sukharev, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “A study of epitaxially stacked tunnel-junction semiconductor lasers grown by MOCVD”, Semiconductors, 44:2 (2010), 238–242 19
67. Д. А. Винокуров, В. В. Васильева, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов, “Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. V. Vasil'eva, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, N. V. Fetisova, I. S. Tarasov, “Effect of the active region thickness on characteristics of semiconductor lasers based on asymmetric AlGaAs/GaAs/InGaAs heterostructures with broadened waveguide”, Semiconductors, 44:2 (2010), 233–237 4
68. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, И. А. Журбина, “Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, I. A. Zhurbina, “The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures”, Semiconductors, 44:2 (2010), 184–188 24
69. И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, И. О. Бакшаев, Р. И. Григорьев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, Е. Л. Портной, “Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое”, Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36  mathnet  elib; I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, I. O. Bakshaev, R. I. Grigor’ev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, E. L. Portnoǐ, “Features of mode locking in laser with quantum well in broad waveguide layer”, Tech. Phys. Lett., 36:11 (2010), 1038–1041 10
70. А. В. Иржак, В. С. Калашников, В. В. Коледов, Д. С. Кучин, Г. А. Лебедев, П. В. Лега, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, В. Г. Шавров, А. В. Шеляков, “Гигантские обратимые деформации композитного материала с эффектом памяти формы”, Письма в ЖТФ, 36:7 (2010),  75–81  mathnet  elib; A. V. Irzhak, V. S. Kalashnikov, V. V. Koledov, D. S. Kuchin, G. A. Lebedev, P. V. Lega, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, V. G. Shavrov, A. V. Shelyakov, “Giant reversible deformations in a shape-memory composite material”, Tech. Phys. Lett., 36:4 (2010), 329–332 41
71. Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов, С. А. Золотовская, Э. У. Рафаилов, В. И. Кучинский, В. Сиббет, “Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения”, Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  22–30  mathnet  elib; G. S. Sokolovskii, V. V. Dyudelev, S. N. Losev, A. G. Deryagin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, I. S. Tarasov, S. A. Zolotovskaya, È. U. Rafailov, V. I. Kuchinskii, V. Sibbet, “Study of non-diffracting light beams from broad-stripe edge-emitting semiconductor lasers”, Tech. Phys. Lett., 36:1 (2010), 9–12 15
72. И. С. Тарасов, “Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  661–681  mathnet  elib [I. S. Tarasov, “High-power semiconductor separate-confinement double heterostructure lasers”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 661–681  isi  scopus] 41
2009
73. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания”, Физика и техника полупроводников, 43:12 (2009),  1654–1661  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and optical properties of low-temperature hydride-MOCVD AlGaAs/GaAs(100) heterostructures based on omission solid solutions”, Semiconductors, 43:12 (2009), 1610–1616 8
74. А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Н. В. Фетисова, А. Ю. Лешко, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, И. С. Тарасов, “Мощные диодные лазеры ($\lambda$ = 1.7–1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 43:12 (2009),  1646–1649  mathnet  elib; A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, N. V. Fetisova, A. Yu. Leshko, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, I. S. Tarasov, “High-power diode lasers ($\lambda$ = 1.7–1.8 $\mu$m) based on asymmetric quantum-well separate-confinement InGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 43:12 (2009), 1602–1605 9
75. С. О. Слипченко, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009),  1409–1412  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Quenching of lasing in high power semiconductor laser”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1369–1372 9
76. Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, Д. Н. Николаев, З. Н. Соколова, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами In$_x$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009),  1374–1377  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, D. N. Nikolaev, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “Study of optical characteristics of structures with strongly strained In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum wells”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1334–1337 2
77. П. В. Середин, Э. П. Домашевская, Вал. Е. Руднева, В. Е. Руднева, Н. Н. Гордиенко, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур Ga$_x$In$_{1-x}$P/GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 43:9 (2009),  1261–1266  mathnet  elib; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, Val. E. Rudneva, V. E. Rudneva, N. N. Gordienko, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of Ga$_x$In$_{1-x}$P/GaAs(100) heterostructures”, Semiconductors, 43:9 (2009), 1221–1225 6
78. Д. А. Винокуров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, Н. В. Фетисова, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “Исследование туннельных диодов GaAs : Si/GaAs : C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 43:9 (2009),  1253–1256  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, N. A. Pikhtin, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “A study of GaAs: Si/GaAs: C tunnel diodes grown by MOCVD”, Semiconductors, 43:9 (2009), 1213–1216 6
79. Н. С. Аверкиев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения”, Физика и техника полупроводников, 43:8 (2009),  1073–1077  mathnet  elib; N. S. Averkiev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Dielectric waveguide for middle and far infrared radiation”, Semiconductors, 43:8 (2009), 1036–1039
80. А. В. Алуев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Н. В. Фетисова, А. А. Чельный, В. В. Шамахов, В. А. Симаков, И. С. Тарасов, “GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009),  556–560  mathnet  elib; A. V. Aluev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, N. V. Fetisova, A. A. Chel'nyi, V. V. Shamakhov, V. A. Simakov, I. S. Tarasov, “GaInAsP/GaInP/AlGaInP MOCVD-grown diode lasers emitting at 808 nm”, Semiconductors, 43:4 (2009), 532–536 2
81. А. Ю. Андреев, С. А. Зорина, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, А. В. Мурашова, Т. А. Налет, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, Д. Р. Сабитов, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, К. Ю. Телегин, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “Мощные лазеры ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009),  543–547  mathnet  elib; A. Yu. Andreev, S. A. Zorina, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, A. A. Marmalyuk, A. V. Murashova, T. A. Nalet, A. A. Padalitsa, N. A. Pikhtin, D. R. Sabitov, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, K. Yu. Telegin, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “High-power lasers ($\lambda$= 808 nm) based on the AlGaAs/GaAs heterostructures of separate confinement”, Semiconductors, 43:4 (2009), 519–523 5
82. С. О. Слипченко, А. Д. Бондарев, Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. В. Фетисова, З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 43:1 (2009),  119–123  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. D. Bondarev, D. A. Vinokurov, D. N. Nikolaev, N. V. Fetisova, Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Selection of modes in transverse-mode waveguides for semiconductor lasers based on asymmetric heterostructures”, Semiconductors, 43:1 (2009), 112–116 8
2008
83. Э. П. Домашевская, Н. Н. Гордиенко, Н. А. Румянцева, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Л. А. Битюцкая, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$/GaInP/GaAs(001)”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1086–1093  mathnet  elib; È. P. Domashevskaya, N. N. Gordienko, N. A. Rumyantseva, P. V. Seredin, B. L. Agapov, L. A. Bityutskaya, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Composition and parameters of domains resulting from spinodal decomposition of quaternary alloys in epitaxial GaInP/Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$/GaInP/GaAs(001) heterostructures”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1069–1075 8
84. П. В. Середин, Э. П. Домашевская, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, “Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1072–1078  mathnet  elib; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, “Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layers”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1055–1061 7
85. А. В. Мурашова, Д. А. Винокуров, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, В. В. Шамахов, В. В. Васильева, В. А. Капитонов, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Т. А. Налет, Д. Н. Николаев, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов, Y. S. Kim, D. H. Kang, C. Y. Lee, “Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 835 нм на основе различных типов лазерных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  882–887  mathnet  elib; A. V. Murashova, D. A. Vinokurov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, V. V. Shamakhov, V. V. Vasil'eva, V. A. Kapitonov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, I. S. Tarasov, Y. S. Kim, D. H. Kang, C. Y. Lee, “High-power laser diodes with an emission wavelength of 835 nm on the basis of various types of heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 862–867 6
86. И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль, И. С. Тарасов, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, А. Е. Беляев, А. Б. Камалов, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, О. С. Литвин, В. В. Миленин, Е. В. Руссу, “Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB$_x$”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  793–798  mathnet  elib; I. N. Arsent'ev, A. V. Bobyl', I. S. Tarasov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Litvin, V. V. Milenin, E. V. Russu, “Properties of barrier contacts with nanosize TiB$_x$ layers to InP”, Semiconductors, 42:7 (2008), 777–782 1
87. Л. Е. Воробьев, В. Л. Зерова, К. С. Борщёв, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, G. Belenky, “Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах спонтанного и стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 42:6 (2008),  753–761  mathnet  elib; L. E. Vorob'ev, V. L. Zerova, K. S. Borshchev, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, G. Belenky, “Charge-carrier concentration and temperature in quantum wells of laser heterostructures under spontaneous-and stimulated-emission conditions”, Semiconductors, 42:6 (2008), 737–745 8
88. В. В. Безотосный, В. В. Васильева, Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, О. Н. Крохин, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. В. Мурашова, Т. А. Налет, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, Ю. М. Попов, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  357–360  mathnet  elib; V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “High-power laser diodes of wavelength 808 nm based on various types of asymmetric heterostructures with an ultrawide waveguide”, Semiconductors, 42:3 (2008), 350–353 9
89. А. В. Лютецкий, К. С. Борщёв, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров ($\lambda$ = 1.0–1.9 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 42:1 (2008),  106–112  mathnet  elib; A. V. Lyutetskiy, K. S. Borshchev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Contribution of Auger recombination to saturation of the light-current characteristics in high-power laser diodes ($\lambda$ = 1.0–1.9 mm)”, Semiconductors, 42:1 (2008), 104–111 12
90. Г. С. Соколовский, Д. А. Винокуров, А. Г. Дерягин, В. В. Дюделев, В. И. Кучинский, С. Н. Лосев, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Переключение генерации излучения двух квантовых состояний в полупроводниковых лазерах на квантовых ямах”, Письма в ЖТФ, 34:16 (2008),  58–64  mathnet  elib; G. S. Sokolovskii, D. A. Vinokurov, A. G. Deryagin, V. V. Dyudelev, V. I. Kuchinskii, S. N. Losev, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Switching between generation of two quantum states in quantum-well laser diodes”, Tech. Phys. Lett., 34:8 (2008), 708–710 5
91. А. В. Мурашова, Н. А. Пихтин, Н. В. Фетисова, А. В. Лютецкий, Л. С. Вавилова, В. В. Васильева, А. А. Мармалюк, Ю. А. Рябоштан, И. С. Тарасов, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP гетероструктур ($\lambda$ = 1.1–1.2 $\mu$m)”, Письма в ЖТФ, 34:13 (2008),  25–32  mathnet  elib; A. V. Murashova, N. A. Pikhtin, N. V. Fetisova, A. V. Lyutetskiy, L. S. Vavilova, V. V. Vasil'eva, A. A. Marmalyuk, Yu. A. Ryaboshtan, I. S. Tarasov, “High-power single-mode laser diodes ($\lambda$ = 1.1–1.2 $\mu$m) based on quantum-confined AlInGaAs/InP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 34:7 (2008), 554–556 2
92. Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, С. В. Кузубов, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов, А. А. Стародубцев, А. Б. Сысоев, “Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия”, Письма в ЖТФ, 34:10 (2008),  47–52  mathnet  elib; N. N. Bezryadin, G. I. Kotov, S. V. Kuzubov, I. N. Arsent'ev, I. S. Tarasov, A. A. Starodubtsev, A. B. Sysoev, “Passivating gallium arsenide surface by gallium chalcogenide”, Tech. Phys. Lett., 34:5 (2008), 428–430 1
93. Д. А. Винокуров, А. Г. Дерягин, В. В. Дюделев, В. И. Кучинский, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Мощные полупроводниковые квантово-размерные AlGaAs/GaAs/InGaAs ($\lambda$ = 1.06 $\mu$m) гетеролазеры с внешним резонатором”, Письма в ЖТФ, 34:5 (2008),  15–21  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, A. G. Deryagin, V. V. Dyudelev, V. I. Kuchinskii, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “High-power external-cavity AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum-dimensional heterolasers ($\lambda$ = 1.06 $\mu$m)”, Tech. Phys. Lett., 34:3 (2008), 187–189 3
2007
94. Н. С. Аверкиев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 41:3 (2007),  372–375  mathnet  elib; N. S. Averkiev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Nonlinear-optical effects in semiconductor lasers based on InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-confinement heterostructures”, Semiconductors, 41:3 (2007), 361–364
2006
95. Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. В. Рожков, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, М. А. Хомылев, В. В. Шамахов, К. С. Борщев, И. С. Тарасов, “Исследование характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом ($\lambda$ = 1060 nm) при импульсном режиме накачки”, Письма в ЖТФ, 32:16 (2006),  47–55  mathnet  elib; D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, M. A. Khomylev, V. V. Shamakhov, K. S. Borshchev, I. S. Tarasov, “Studying the characteristics of pulse-pumped semiconductor 1060-nm lasers based on asymmetric heterostructures with ultrathick waveguides”, Tech. Phys. Lett., 32:8 (2006), 712–715 7
2003
96. Л. А. Кулакова, И. С. Тарасов, “Перестройка частоты генерации гетеролазера под влиянием ультразвуковых волн”, Письма в ЖЭТФ, 78:2 (2003),  77–81  mathnet; L. A. Kulakova, I. S. Tarasov, “Heterolaser frequency tuning under the action of ultrasonic waves”, JETP Letters, 78:2 (2003), 67–71  scopus 17
1992
97. Е. И. Андреева, А. С. Щербаков, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, И. С. Тарасов, “Полупроводниковый источник пикосекундных импульсов на длине волны 1.55 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  23–27  mathnet  isi
1991
98. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418  mathnet
99. Д. 3. Гарбузов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, “Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  928–933  mathnet
100. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, Н. А. Пихтин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21  mathnet  isi
101. И. А. Князев, А. С. Щербаков, Ю. В. Ильин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Источник пикосекундных импульсов на основе полупроводникового лазера с волоконным резонатором”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  14–17  mathnet  isi
102. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, Д. А. Кочеров, А. В. Овчинников, А. Ф. Солодков, И. С. Тарасов, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, D. A. Kocherov, A. V. Ovchinnikov, A. F. Solodkov, I. S. Tarasov, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Direct amplitude modulation of the radiation emitted by (InGa)AsP/InP double-heterostructure lasers (λ = 1.3 μm) with separate confinement”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 251–255  isi]
1990
103. И. Э. Беришев, Д. З. Гарбузов, С. Е. Гончаров, Ю. В. Ильин, А. В. Михайлов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, “Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41  mathnet  isi
104. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Ю. В. Ильин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54  mathnet  isi 1
105. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин, “Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, A. V. Ovchinnikov, È. U. Rafailov, I. S. Tarasov, N. V. Fomin, “Distribution and spatial coherence of radiation fields of InGaAsP/lnP double-heterostructure separate-confinement lasers emitting at λ = 1.3 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11  isi]
1989
106. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. Б. Пташник, И. С. Тарасов, Ф. А. Чудновский, “Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$”, ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177  mathnet  isi
107. В. Ю. Петрунькин, B. C. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, И. С. Тарасов, “Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68  mathnet  isi
108. В. Ю. Петрунькин, В. М. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29  mathnet  isi
1988
109. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132  mathnet  isi
110. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120  mathnet  isi
111. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246  mathnet  isi
112. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, М. М. Кулагина, И. А. Мокина, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104  mathnet  isi
1987
113. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, В. И. Колышкин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, М. К. Трукан, “Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения”, ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824  mathnet  isi
114. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829  mathnet
115. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557  mathnet  isi
116. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537  mathnet  isi
1986
117. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, А. Б. Комиссаров, М. К. Трукан, “Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663  mathnet  isi
118. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215  mathnet  isi 2
1985
119. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Т. В. Декальчук, Н. Д. Ильинская, И. С. Тарасов, А. А. Декальчук, И. А. Мокина, “Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия”, ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876  mathnet  isi
120. И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498  mathnet
121. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423  mathnet
122. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459  mathnet
123. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Н. Д. Ильинская, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349  mathnet  isi
124. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, В. П. Евтихиев, А. Б. Нивин, А. Е. Свелокузов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162  mathnet  isi
1984
125. И. С. Тарасов, “Об одном обобщении интерполяционного алгебраического многочлена на случай многих переменных”, Изв. вузов. Матем., 1984, № 2,  54–55  mathnet  mathscinet  zmath; I. S. Tarasov, “A generalization of an interpolation algebraic polynomial to the case of several variables”, Soviet Math. (Iz. VUZ), 28:2 (1984), 76–