Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Иванов Сергей Викторович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 118
Научных статей: 108

Статистика просмотров:
Эта страница:1526
Страницы публикаций:36880
Полные тексты:16212
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук (2000)
E-mail:
Сайт: http://www.ioffe.ru/qslab/beam/index.php?lng=rus; https://www.hse.ru/org/persons/396049226

Научная биография:

Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.

https://www.mathnet.ru/rus/person50445
https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Иванов,_Сергей_Викторович
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=23039
https://orcid.org/0000-0000-0000-0000
https://www.webofscience.com/wos/author/record/C-1177-2014
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=57197019930

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. В. С. Калиновский, И. А. Толкачев, Е. В. Контрош, К. К. Прудченко, В. С. Юферев, С. В. Иванов, “Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения”, Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1145–1149  mathnet  elib
2. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, К. К. Прудченко, В. С. Юферев, С. В. Иванов, “Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  27–30  mathnet  elib
2024
3. М. Ю. Чернов, В. А. Соловьев, И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, С. В. Иванов, “Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  142–148  mathnet  elib
4. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, К. К. Прудченко, С. В. Иванов, “Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  35–38  mathnet  elib
2023
5. М. Ю. Чернов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Снижение плотности дислокаций в метаморфных гетероструктурах путем оптимизации конструкции буферного слоя с нелинейным профилем изменением состава”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  153–159  mathnet  elib
2021
6. Д. В. Побат, В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Иванов, “Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции”, Физика твердого тела, 63:1 (2021),  85–90  mathnet  elib; D. V. Pobat, V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Ivanov, “Distribution of misfit dislocations and elastic mechanical stresses in metamorphic buffer InAlAs layers of various constructions”, Phys. Solid State, 63:1 (2021), 84–89 2
7. А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, Д. С. Пономарев, “Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах”, Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746  mathnet  elib; A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, D. S. Ponomarev, “Photoconductive THz detector based on new functional layers in multi-layer heterostructures”, Optics and Spectroscopy, 129:8 (2021), 851–856
2020
8. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 4
2019
9. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302  mathnet  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Stimulated emission at a wavelength of $2.86 \mu$m from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs metamorphic quantum wells under optical pumping”, JETP Letters, 110:5 (2019), 313–318  isi  scopus 5
10. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386  mathnet  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381  isi  scopus 7
11. М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151  mathnet  elib; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149  isi  scopus 7
12. V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 2
13. С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158  mathnet  elib; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 11
14. Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  535–539  mathnet  elib [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. V. Nagorny, A. V. Danil'chik, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539  isi  scopus] 4
2018
15. Т. Н. Михайлов, Е. А. Европейцев, К. Г. Беляев, А. А. Торопов, А. В. Родина, А. А. Головатенко, С. В. Иванов, Г. Позина, Т. В. Шубина, “Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe”, Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1575–1579  mathnet  elib; T. N. Mikhailov, E. A. Evropeitsev, K. G. Belyaev, A. A. Toropov, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, S. V. Ivanov, G. Pozina, T. V. Shubina, “Förster energy transfer in arrays of epitaxial CdSe/ZnSe quantum dots involving bright and dark excitons”, Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1590–1594 3
16. М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:4 (2018),  687–690  mathnet  elib; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 691–694 1
17. М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, А. М. Можаров, И. С. Мухин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205  mathnet  elib; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, A. M. Mozharov, I. S. Mukhin, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emitter at 80 K based on a dielectric nanoantenna with a CdSe/ZnSe quantum dot”, JETP Letters, 108:3 (2018), 201–204  isi  scopus 7
18. А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667  mathnet  elib; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 3
19. V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 2
20. E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624
21. M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  480  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 511–513
22. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132  mathnet  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 8
23. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 5
24. С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102  mathnet  elib; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, M. A. Yagovkina, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Nanoheterostructures with CdTe/Zn(Mg)(Se)Te quantum dots for single-photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270 3
25. Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  42–49  mathnet  elib; T. A. Komissarova, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Spontaneous formation of indium clusters in InN epilayers grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 149–152 1
2017
26. Л. В. Котова, А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, Л. Е. Голуб, “Интерференционное усиление конверсии поляризации света от структур с квантовой ямой”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2148–2153  mathnet  elib; L. V. Kotova, A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, L. E. Golub, “The interference enhancement of light polarization conversion from structures with a quantum well”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2168–2173 4
27. В. П. Кочерешко, Л. В. Котова, И. С. Хахалин, R. T. Cox, H. Mariette, R. Andre, H. Bukari, С. В. Иванов, “Проявление $PT$-симметрии в экситонных спектрах квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1605–1609  mathnet  elib; V. P. Kochereshko, L. V. Kotova, I. S. Khakhalin, R. T. Cox, H. Mariette, R. Andre, H. Bukari, S. V. Ivanov, “Manifestation of $PT$ symmetry in the exciton spectra of quantum wells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1547–1551
28. Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74  mathnet  elib; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 3
29. Д. С. Золотухин, Д. В. Нечаев, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III–N методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:5 (2017),  60–67  mathnet  elib; D. S. Zolotukhin, D. V. Nechaev, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Monitoring of elastic stresses with optical system for measuring the substrate curvature in growth of III–N heterostructures by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:3 (2017), 262–266 10
2016
30. О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313  mathnet  elib; O. S. Komkov, D. D. Firsov, T. V. L'vova, I. V. Sedova, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, “Photoreflectance of indium antimonide”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394–2400 13
31. А. А. Торопов, Е. А. Шевченко, Т. В. Шубина, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, G. Pozina, С. В. Иванов, “Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2180–2185  mathnet  elib; A. A. Toropov, E. A. Shevchenko, T. V. Shubina, V. N. Zhmerik, D. V. Nechaev, G. Pozina, S. V. Ivanov, “AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2261–2266
32. Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179  mathnet  elib; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 2
33. В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, С. И. Ченцов, Е. Е. Онищенко, В. С. Багаев, В. И. Козловский, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, “Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113  mathnet  elib; V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, S. I. Chentsov, E. E. Onishchenko, V. S. Bagaev, V. I. Kozlovskii, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, S. V. Ivanov, “Isolated quantum emitters originating from defect centers in a ZnSe/ZnMgSSe heterostructure”, JETP Letters, 104:2 (2016), 110–115  isi  scopus 8
34. С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. С. Мухин, С. В. Иванов, “Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71  mathnet  elib; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, “Heterostructures with CdTe/ZnTe quantum dots for single photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1163–1166 3
35. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39  mathnet  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, D. D. Firsov, O. S. Komkov, S. V. Ivanov, “Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040 9
36. Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63  mathnet  elib; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 9
37. М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48  mathnet  elib; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 6
38. В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  61–69  mathnet  elib; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “X-ray diffractometry of AlN/$c$-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422 2
2015
39. Д. Р. Казанов, В. Х. Кайбышев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. Н. Жмерик, Н. В. Кузнецова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Т. В. Шубина, “Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488  mathnet  elib; D. R. Kazanov, V. Kh. Kaibyshev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. N. Zhmerik, N. V. Kuznetsova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, T. V. Shubina, “Temperature switching of cavity modes in InN microcrystals”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1435–1439
40. С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, Г. В. Климко, Е. А. Европейцев, М. В. Байдакова, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030  mathnet  elib; S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, G. V. Klimko, E. A. Evropeitsev, M. V. Baidakova, A. A. Sitnikova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Molecular beam epitaxy of ZnSSe/CdSe short-period superlattices for III–V/II–VI multijunction solar cells”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1000–1006 2
41. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Кладько, П. Н. Романец, П. О. Сай, Н. В. Сафрюк, В. Н. Шеремет, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Klad'ko, P. N. Romanets, P. O. Saja, N. V. Safryuk, V. N. Sheremet, “Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to $n^+$-InN”, Semiconductors, 49:4 (2015), 461–471 7
42. Е. А. Европейцев, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, Г. В. Климко, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369  mathnet  elib; E. A. Evropeitsev, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Optical studies of carriers’ vertical transport in the alternately-strained ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe superlattice”, Semiconductors, 49:3 (2015), 352–357 3
43. С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, М. В. Рахлин, М. В. Байдакова, П. С. Копьев, А. Г. Вайнилович, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, С. С. Рувимов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348  mathnet  elib; S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, M. V. Rakhlin, M. V. Baidakova, P. S. Kop'ev, A. G. Vainilovich, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, S. S. Ruvimov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of heterostructures of wide-gap II–VI compounds for low-threshold lasers with optical and electron pumping”, Semiconductors, 49:3 (2015), 331–336 15
44. К. Г. Беляев, А. А. Усикова, В. Н. Жмерик, П. С. Копьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. Н. Брунков, “Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260  mathnet  elib; K. G. Belyaev, A. A. Usikova, V. N. Zhmerik, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, “Plasmon-induced enhancement of yellow-red luminescence in InGaN/Au nanocomposites”, Semiconductors, 49:2 (2015), 247–253 8
45. Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов, “Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88  mathnet  elib; G. V. Klimko, T. A. Komissarova, S. V. Sorokin, E. V. Kontrosh, N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, S. V. Ivanov, “MBE-grown GaAs:Si/GaAs:Be tunnel diodes for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 905–908 2
2014
46. Р. Н. Кютт, С. В. Иванов, “Рентгенодифракционное определение степени упорядочения твердого раствора в эпитаксиальных слоях AlGaN”, Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2308–2310  mathnet  elib; R. N. Kyutt, S. V. Ivanov, “X-ray diffraction determination of the degree of ordering of a solid solution in epitaxial AlGaN layers”, Phys. Solid State, 56:12 (2014), 2390–2392
47. И. И. Решина, С. В. Иванов, “Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1632–1639  mathnet  elib; I. I. Reshina, S. V. Ivanov, “Magnetooptical study of CdSe/ZnMnSe semimagnetic quantum-dot ensembles with $n$-type modulation doping”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1592–1399 4
48. Т. А. Комиссарова, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, P. Paturi, Д. Л. Федоров, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  352–357  mathnet  elib; T. A. Komissarova, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, P. Paturi, D. L. Fedorov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Peculiarities of the electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with a high electron concentration in the two-dimensional channel”, Semiconductors, 48:3 (2014), 338–343
49. Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, Ф. Лиачи, В. Х. Кайбышев, В. А. Севрюк, П. Н. Брунков, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43  mathnet  elib; G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, F. Liaci, V. Kh. Kaibyshev, V. A. Sevryuk, P. N. Brunkov, A. A. Sitnikova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Molecular beam epitaxy of AlGaAs/Zn(Mn)Se hybrid nanostructures with InAs/AlGaAs quantum dots near the heterovalent interface”, Semiconductors, 48:1 (2014), 34–41
50. Е. А. Европейцев, Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35  mathnet  elib; E. A. Evropeitsev, G. V. Klimko, T. A. Komissarova, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Transport parameters and optical properties of selectively doped Ga(Al)As/Zn(Mn)Se heterovalent structures with a two-dimensional hole channel”, Semiconductors, 48:1 (2014), 30–33 1
51. Р. Н. Кютт, С. В. Иванов, “Структурное состояние эпитаксиальных слоев ZnO из измерений интегральной интенсивности трехволновых и двухволновых рефлексов”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  22–28  mathnet  elib; R. N. Kyutt, S. V. Ivanov, “The structural state of epitaxial ZnO layers assessed by measuring the integral intensity of three- and two-beam X-ray diffraction”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 894–896
2013
52. А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин, “Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1441–1445  mathnet  elib; A. V. Andrianov, P. S. Alekseev, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. L. Shcheglov, M. A. Sedova, A. O. Zahar'in, “Generation of coherent terahertz radiation by polarized electron-hole pairs in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1433–1437 1
53. Т. В. Львова, М. С. Дунаевский, М. В. Лебедев, А. Л. Шахмин, И. В. Седова, С. В. Иванов, “Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716  mathnet  elib; T. V. L'vova, M. S. Dunaevskii, M. V. Lebedev, A. L. Shakhmin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, “Chemical passivation of InSb (100) substrates in aqueous solutions of sodium sulfide”, Semiconductors, 47:5 (2013), 721–727 23
54. О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов, “Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  258–263  mathnet  elib; O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, S. I. Troshkov, A. N. Pikhtin, S. V. Ivanov, “Determination of the thickness and spectral dependence of the refractive index of Al$_x$In$_{1-x}$Sb epitaxial layers from reflectance spectra”, Semiconductors, 47:2 (2013), 292–297 9
55. Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422  mathnet  elib [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422  isi  scopus] 13
2012
56. С. А. Масалов, К. В. Калинина, В. П. Евтихиев, С. В. Иванов, “Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа”, Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1057–1061  mathnet  elib; S. A. Masalov, K. V. Kalinina, V. P. Evtikhiev, S. V. Ivanov, “Field injection of low-energy electrons into the ZnSe/CdSe/ZnSe heterostructure with the use of an ultra-high-vacuum tunneling microscope”, Phys. Solid State, 54:6 (2012), 1126–1130 2
57. Е. А. Шевченко, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1022–1026  mathnet  elib; E. A. Shevchenko, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Quantum-confined stark effect and localization of charge carriers in Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N quantum wells with different morphologies”, Semiconductors, 46:8 (2012), 998–1002 6
58. Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  96–102  mathnet  elib; D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “RHEED monitoring of elastic stresses during MBE growth of group III nitride heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 443–445 4
59. M. Р. Айнбунд, А. Н. Алексеев, О. В. Алымов, В. Н. Жмерик, Л. В. Лапушкина, А. М. Мизеров, С. В. Иванов, А. В. Пашук, С. И. Петров, “Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  88–95  mathnet  elib; M. R. Ainbund, A. N. Alekseev, O. V. Alymov, V. N. Zhmerik, L. V. Lapushkina, A. M. Mizerov, S. V. Ivanov, A. V. Pashuk, S. I. Petrov, “Solar-blind UV photocathodes based on AlGaN heterostructures with a 300- to 330-nm spectral sensitivity threshold”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 439–442 35
2011
60. О. С. Комков, А. Н. Семенов, Д. Д. Фирсов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов, “Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1481–1485  mathnet  elib; O. S. Komkov, A. N. Semenov, D. D. Firsov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. V. Popova, A. N. Pikhtin, S. V. Ivanov, “Optical Properties of Epitaxial Al$_x$In$_{1-x}$Sb Alloy Layers”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1425–1429 10
61. А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. А. Комиссарова, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, А. М. Надточий, Т. В. Попова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385  mathnet  elib; A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. A. Komissarova, A. A. Sitnikova, D. A. Kirilenko, A. M. Nadtochiy, T. V. Popova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Features of molecular-beam epitaxy and structural properties of AlInSb-based heterostructures”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1327–1333 11
62. М. А. Бобров, А. А. Торопов, С. В. Иванов, A. El-Shaer, A. Bakin, A. Waag, “Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  783–787  mathnet  elib; M. A. Bobrov, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, A. El-Shaer, A. Bakin, A. Waag, “Excitonic spectrum of the ZnO/ZnMgO quantum wells”, Semiconductors, 45:6 (2011), 766–770 1
63. И. И. Решина, С. В. Иванов, “Отношение дырочного и электронного обменных интегралов в полумагнитной структуре с квантовыми точками CdMnSe/ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  220–225  mathnet  elib; I. I. Reshina, S. V. Ivanov, “The ratio of the hole and electron exchange integrals in a CdMnSe/ZnSe diluted magnetic structure with quantum dots”, Semiconductors, 45:2 (2011), 215–220 4
64. А. А. Торопов, В. Х. Кайбышев, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe”, Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  213–219  mathnet  elib; A. A. Toropov, V. Kh. Kaibyshev, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Excitons in single and double GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe heterovalent quantum wells”, Semiconductors, 45:2 (2011), 208–214 2
2010
65. Я. В. Терентьев, М. С. Мухин, В. А. Соловьев, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, А. А. Усикова, С. В. Иванов, “Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1098–1103  mathnet  elib; Ya. V. Terent'ev, M. S. Mukhin, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, “Study of photoluminescence and electroluminescence mechanisms in quantum-confined InSb/InAs heterostructures”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1064–1069 4
66. А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, А. А. Усикова, Ю. П. Яковлев, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705  mathnet  elib; A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. V. Popova, A. V. Nashchekin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, A. A. Usikova, Yu. P. Yakovlev, S. V. Ivanov, “Molecular beam epitaxy of thermodynamically metastable GaInAsSb alloys for medium IR-range photodetectors”, Semiconductors, 44:5 (2010), 672–677 7
67. В. В. Ратников, Р. Н. Кютт, С. В. Иванов, М. П. Щеглов, A. Baar, “Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  265–269  mathnet  elib; V. V. Ratnikov, R. N. Kyutt, S. V. Ivanov, M. P. Scheglov, A. Baar, “Microstructure and strain of ZnO molecular-beam epitaxial layers on sapphire”, Semiconductors, 44:2 (2010), 251–254 8
68. Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, И. В. Седова, А. А. Усикова, С. В. Иванов, “Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209  mathnet  elib; Ya. V. Terent'ev, A. A. Toropov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, I. V. Sedova, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, “Spin injection in GaAs/GaSb quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 44:2 (2010), 194–197 3
2009
69. Т. В. Львова, И. В. Седова, М. С. Дунаевский, А. Н. Карпенко, В. П. Улин, С. В. Иванов, В. Л. Берковиц, “Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na$_2$S”, Физика твердого тела, 51:6 (2009),  1055–1061  mathnet  elib; T. V. L'vova, I. V. Sedova, M. S. Dunaevskii, A. N. Karpenko, V. P. Ulin, S. V. Ivanov, V. L. Berkovits, “Sulfide passivation of InAs(100) substrates in Na$_2$S solutions”, Phys. Solid State, 51:6 (2009), 1114–1120 17
70. А. М. Мизеров, В. Н. Жмерик, В. К. Кайбышев, Т. А. Комиссарова, С. А. Масалов, С. В. Иванов, “Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN $(0001)$ и GaN $(000\bar1)$ при использовании различных способов активации азота”, Физика и техника полупроводников, 43:8 (2009),  1096–1101  mathnet  elib; A. M. Mizerov, V. N. Zhmerik, V. K. Kaibyshev, T. A. Komissarova, S. A. Masalov, S. V. Ivanov, “Features of molecular beam epitaxy of the GaN $(0001)$ and GaN $(000\bar1)$ layers with the use of different methods of activation of nitrogen”, Semiconductors, 43:8 (2009), 1058–1063 11
71. Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семёнов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Аномальное спиновое расщепление электронов в квантовых точках II типа InSb в матрице InAs”, Физика и техника полупроводников, 43:5 (2009),  662–666  mathnet  elib; Ya. V. Terent'ev, O. G. Lyublinskaya, A. A. Toropov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, “Anomalous spin splitting of electrons in type-II InSb quantum dots in InAs”, Semiconductors, 43:5 (2009), 635–639 2
72. T. A. Komissarova, T. V. Shubina, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, A. Vasson, J. Leymarie, T. Araki, Y. Nanishi, “Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009),  304–307  mathnet  elib; Semiconductors, 43:3 (2009), 285–288 1
73. С. А. Масалов, В. П. Евтихиев, М. Г. Растегаева, С. В. Иванов, “Исследование локальной электропроводности поверхности гетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием СТМ в режиме полевой электронной эмиссии”, Письма в ЖТФ, 35:11 (2009),  44–53  mathnet  elib; S. A. Masalov, V. P. Evtikhiev, M. G. Rastegaeva, S. V. Ivanov, “Studying local surface electric conductivity of a ZnSe/CdSe/ZnSe heterostructure by scanning tunneling microscopy in the field electron emission regime”, Tech. Phys. Lett., 35:6 (2009), 504–507 1
74. Т. В. Шубина, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. С. Копьев, “Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N”, УФН, 179:9 (2009),  1007–1012  mathnet; T. V. Shubina, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, P. S. Kop'ev, “Plasmon effects in In(Ga)N nanostructures”, Phys. Usp., 52:9 (2009), 949–953  isi  scopus 3
2008
75. С. В. Зайцев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, “Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  922–926  mathnet; S. V. Zaitsev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Magnetooptics of (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe heterostructures with a small discontinuity in the valence band potential”, JETP Letters, 88:12 (2008), 802–806  isi  scopus 2
76. P. G. Baranov, N. G. Romanov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, B. R. Namozov, Yu. G. Kusrayev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 88:9 (2009), 631–635  isi  scopus 15
77. М. М. Зверев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1472–1477  mathnet  elib; M. M. Zverev, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, D. V. Peregoudov, V. B. Studenov, I. V. Sedova, S. V. Gronin, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “An efficient electron-beam-pumped semiconductor laser for the green spectral range based on II–VI multilayer nanostructures”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1440–1444 9
78. В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, Т. В. Шубина, А. В. Сахаров, А. А. Ситникова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Н. В. Ржеуцкий, Г. П. Яблонский, “Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1452–1458  mathnet  elib; V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, T. V. Shubina, A. V. Sakharov, A. A. Sitnikova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, E. V. Lutsenko, A. V. Danil'chik, N. V. Rzheutskii, G. P. Yablonskii, “AlGaN-based quantum-well heterostructures for deep ultraviolet light-emitting diodes grown by submonolayer discrete plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1420–1426 16
79. И. И. Решина, С. В. Иванов, “Магнитооптика одиночной квантовой ямы CdMnSe/CdMgSe”, Физика и техника полупроводников, 42:11 (2008),  1348–1352  mathnet  elib; I. I. Reshina, S. V. Ivanov, “Magnetooptical properties of a single CdMnSe/CdMgSe quantum well”, Semiconductors, 42:11 (2008), 1318–1322 3
80. В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, Т. В. Шубина, Д. С. Плотников, М. В. Заморянская, М. А. Яговкина, Я. В. Домрачева, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Особенности пространственного распределения In в эпитаксиальных слоях InGaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией”, Физика и техника полупроводников, 42:5 (2008),  630–638  mathnet  elib; V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, T. V. Shubina, D. S. Plotnikov, M. V. Zamoryanskaya, M. A. Yagovkina, Ya. V. Domracheva, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Features of the spatial distribution of indium in InGaN epitaxial layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 42:5 (2008), 630–638 6
81. А. Н. Семенов, О. Г. Люблинская, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “In situ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs(Sb)”, Физика и техника полупроводников, 42:1 (2008),  75–81  mathnet  elib; A. N. Semenov, O. G. Lyublinskaya, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “In situ study of the formation kinetics of InSb quantum dots grown in an InAs(Sb) matrix”, Semiconductors, 42:1 (2008), 74–79 7
82. Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1097–1100  mathnet  elib [E. N. Donskoi, E. V. Zhdanova, A. N. Zalyalov, M. M. Zverev, S. V. Ivanov, D. V. Peregoudov, O. N. Petrushin, Yu. A. Savel'ev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, M. D. Tarasov, Yu. S. Shigaev, “Excitation density distribution in electron-beam-pumped ZnSe semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097–1100  isi  scopus] 4
2007
83. М. М. Зверев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, С. В. Иванов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, П. С. Копьев, “Лазеры зеленого спектрального диапазона на основе CdSe/ZnSe наноструктур с накачкой электронным пучком с энергией менее 10 keV”, Письма в ЖТФ, 33:24 (2007),  1–7  mathnet  elib; M. M. Zverev, N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, D. V. Peregoudov, V. B. Studenov, S. V. Ivanov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, P. S. Kop'ev, “Green lasers based on CdSe/ZnSe nanostructures pumped by electron beams with energies below 10 keV”, Tech. Phys. Lett., 33:12 (2007), 1032–1034 17
84. В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, Т. В. Шубина, С. В. Иванов, С. Б. Листошин, “Способы управления потоком активного азота при росте A$^3$-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией”, Письма в ЖТФ, 33:8 (2007),  36–45  mathnet  elib; V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, T. V. Shubina, S. V. Ivanov, S. B. Listoshin, “Controlling active nitrogen flux in plasma-assisted molecular beam epitaxy of group III nitrides”, Tech. Phys. Lett., 33:4 (2007), 333–336 10
2004
85. Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, П. С. Копьев, “Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов”, Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549  scopus 5
86. М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911  mathnet [M. M. Zverev, D. V. Peregoudov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Low-threshold electron-beam-pumped green quantum-well heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 34:10 (2004), 909–911  isi] 12
2002
87. S. A. Emel'yanov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  547–549  mathnet  scopus; JETP Letters, 76:7 (2002), 469–471  scopus 1
88. А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262  mathnet; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226  scopus 2
89. Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, “Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода”, Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394  scopus 1
1999
90. С. В. Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов, “Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А<sup>2</sup>В<sup>6</sup>”, УФН, 169:4 (1999),  468–471  mathnet; S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, A. A. Toropov, “Blue-green lasers based on short-period superlattices in II—VI compounds”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 399–402  isi 3
1996
91. В. И. Долинина, С. В. Иванов, И. Б. Ковш, А. Н. Кучеров, Н. К. Макашев, Б. А. Пеньков, Б. М. Урин, А. В. Шустов, “Моделирование генерационных характеристик и распространение излучения СО-лазерa с селектирующей ячейкой”, Квантовая электроника, 23:6 (1996),  521–526  mathnet [V. I. Dolinina, S. V. Ivanov, I. B. Kovsh, A. N. Kucherov, N. K. Makashev, B. A. Pen'kov, B. M. Urin, A. V. Shustov, “Simulation of the output characteristics and propagation of radiation from a CO laser with a selection cell”, Quantum Electron., 26:6 (1996), 506–511  isi]
92. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi 21
1994
93. С. В. Иванов, В. Я. Панченко, “Инфракрасная и микроволновая спектроскопия озона: исторический аспект”, УФН, 164:7 (1994),  725–742  mathnet; S. V. Ivanov, V. Ya. Panchenko, “Infrared and microwave spectroscopy of ozone: historical aspects”, Phys. Usp., 37:7 (1994), 677–695  isi 8
1992
94. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
1990
95. П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
96. Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
97. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361  mathnet
98. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203  mathnet
99. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
1989
100. С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. Ю. Некрасов, А. Г. Пахомов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1564–1567  mathnet
101. П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71  mathnet  isi
1988
102. Е. Л. Ивченко, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. А. Калитиевский, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788  mathnet
103. Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet  isi 5
1986
104. Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565  mathnet  isi
1985
105. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
106. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
107. Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721  mathnet
1984
108. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
2026
109. Н. С. Аверкиев, П. И. Арсеев, М. М. Глазов, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, В. В. Кведер, З. Д. Квон, В. М. Пудалов, М. В. Садовский, О. В. Руденко, С. А. Тарасенко, Д. Р. Хохлов, “Еугениюс Левович Ивченко (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 196:2 (2026),  217–218  mathnet; N. S. Averkiev, P. I. Arseev, M. M. Glazov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, V. V. Kveder, Z. D. Kvon, V. M. Pudalov, M. V. Sadovskii, O. V. Rudenko, S. A. Tarasenko, D. R. Khokhlov, “Eugeniyus Levovich Ivchenko (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 69:2 (2026), 199–201  isi
2024
110. С. В. Иванов, “Памяти Виктора Михайловича Устинова”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  3–4  mathnet
111. Е. Б. Александров, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, З. Ф. Красильник, Г. Я. Красников, А. Г. Литвак, О. В. Руденко, А. И. Рудской, М. В. Садовский, А. В. Чаплик, “Памяти Роберта Арнольдовича Суриса”, УФН, 194:6 (2024),  677–678  mathnet; E. B. Aleksandrov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, Z. F. Krasil'nik, G. Ya. Krasnikov, A. G. Litvak, O. V. Rudenko, A. I. Rudskoi, M. V. Sadovskii, A. V. Chaplik, “In memory of Robert Arnol'dovich Suris”, Phys. Usp., 67:6 (2024), 631–633  isi
2022
112. Е. Б. Александров, А. Ф. Андреев, Ю. М. Гальперин, Ю. В. Гуляев, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, А. А. Каплянский, Р. В. Парфеньев, Р. А. Сурис, Д. Е. Хмельницкий, И. А. Щербаков, “Памяти Вадима Львовича Гуревича”, УФН, 192:2 (2022),  229–230  mathnet; E. B. Aleksandrov, A. F. Andreev, Yu. M. Gal'perin, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, A. A. Kaplyanskii, R. V. Parfen'ev, R. A. Suris, D. E. Khmel'nitskii, I. A. Shcherbakov, “In memory of Vadim L'vovich Gurevich”, Phys. Usp., 6