|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
З. З. Алисултанов, “Зонная структура с топологией Мебиуса в гетероструктуре из топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 123:9 (2026), 631–637 |
|
2024 |
| 2. |
З. З. Алисултанов, “Индуцированная беспорядком сингулярность квантовой метрики”, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024), 904–908 ; Z. Z. Alisultanov, “Disorder-induced singularity of the quantum metric”, JETP Letters, 119:12 (2024), 929–933 |
3
|
|
2023 |
| 3. |
З. З. Алисултанов, Н. А. Демиров, “Наклон и анизотропия дираковского спектра, вызванные перекрытием блоховских функций”, Письма в ЖЭТФ, 117:10 (2023), 777–782 ; Z. Z. Alisultanov, N. A. Demirov, “Tilt and anisotropy of the Dirac spectrum caused by the overlapping of Bloch functions”, JETP Letters, 117:10 (2023), 776–780 |
2
|
|
2022 |
| 4. |
П. Д. Григорьев, А. А. Синченко, Т. И. Могилюк, П. А. Воробьев, Д. Акпаров, З. З. Алисултанов, А. М. Дюгаев, “Гистерезис тензора сопротивления в полителлуридах редкоземельных металлов”, Физика твердого тела, 64:9 (2022), 1139–1143 |
|
2019 |
| 5. |
Г. О. Абдуллаев, З. З. Алисултанов, “К теории электронных состояний эпитаксиального бислоя графена”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 618–622 ; G. O. Abdullaev, Z. Z. Alisultanov, “To the theory of electronic states of an epitaxial graphene bilayer”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 488–492 |
|
2018 |
| 6. |
З. З. Алисултанов, “Индуцированная деформацией орбитальная намагниченность вейлевского полуметалла”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 260–264 ; Z. Z. Alisultanov, “Strain-induced orbital magnetization in a Weyl semimetal”, JETP Letters, 107:4 (2018), 254–258 |
6
|
| 7. |
З. З. Алисултанов, Г. Б. Рагимханов, “Поперечное движение частицы с осциллирующим зарядом и переменной массой в магнитном поле”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 25–32 ; Z. Z. Alisultanov, G. B. Ragimkhanov, “Transverse motion of a particle with an oscillating charge and variable mass in a magnetic field”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 191–194 |
|
2017 |
| 8. |
З. З. Алисултанов, “Влияние поперечного электрического поля на зоны Ландау в вейлевском полуметалле”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017), 437–441 ; Z. Z. Alisultanov, “Effect of a transverse electric field on the Landau bands in a Weyl semimetal”, JETP Letters, 105:7 (2017), 442–446 |
14
|
|
2016 |
| 9. |
З. З. Алисултанов, “О квантовых осцилляциях в перестраиваемом бислое графена”, Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016), 187–191 ; Z. Z. Alisultanov, “On quantum oscillations in a tunable graphene bilayer”, JETP Letters, 104:3 (2016), 188–192 |
9
|
| 10. |
З. З. Алисултанов, “Электронный спектр бислоя графена с нарушенной эквивалентностью подрешеток внутри слоев”, Письма в ЖЭТФ, 103:9 (2016), 679–683 ; Z. Z. Alisultanov, “Electron spectrum of double-sheet graphene with broken equivalence of sublattices within layers”, JETP Letters, 103:9 (2016), 598–602 |
1
|
| 11. |
З. З. Алисултанов, “Индуцированная подложкой запрещенная щель в спектре эпитаксиального бислоя графена”, ЖТФ, 86:10 (2016), 149–152 ; Z. Z. Alisultanov, “Substrate-induced bandgap in the spectrum of an epitaxial graphene layer”, Tech. Phys., 61:10 (2016), 1591–1594 |
2
|
| 12. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Электронная теплопроводность эпитаксиального графена на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 19–26 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “Electron heat conductivity of epitaxial graphene on silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 779–782 |
|
2015 |
| 13. |
З. З. Алисултанов, “Осцилляции электронной температуры в размерно-квантованной пленке в поперечном магнитном поле”, Физика твердого тела, 57:12 (2015), 2433–2438 ; Z. Z. Alisultanov, “Electron temperature oscillations in a size-quantized film in a transverse magnetic field”, Phys. Solid State, 57:12 (2015), 2506–2511 |
| 14. |
З. З. Алисултанов, Н. А. Мирзегасанова, “Термоэлектрический транспорт в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1088–1094 ; Z. Z. Alisultanov, N. A. Mirzegasanova, “Thermoelectric transport in epitaxial graphene on a size-quantized substrate”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1062–1068 |
| 15. |
З. З. Алисултанов, Г. М. Мусаев, Б. М. Магомедов, “Возможность гигантского магнетосопротивления в гетероструктуре на основе эпитаксиального графена”, Письма в ЖТФ, 41:24 (2015), 51–57 ; Z. Z. Alisultanov, G. M. Musaev, B. M. Magomedov, “The possibility of colossal magnetoresistance in heterostructures based on epitaxial graphene”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1185–1188 |
1
|
| 16. |
З. З. Алисултанов, “Фаза Берри и уровни Ландау в эпитаксиальном графене в скрещенных магнитном и электрическом полях”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 58–65 ; Z. Z. Alisultanov, “The Berry phase and Landau levels of epitaxial graphene in crossed magnetic and electric fields”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 998–1001 |
1
|
|
2014 |
| 17. |
З. З. Алисултанов, И. К. Камилов, “Транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности металла”, Физика твердого тела, 56:4 (2014), 821–830 ; Z. Z. Alisultanov, I. K. Kamilov, “Transport properties of epitaxial graphene formed on the surface of a metal”, Phys. Solid State, 56:4 (2014), 854–864 |
7
|
| 18. |
З. З. Алисултанов, “О эффекте Нернста–Эттингсгаузена в графене”, Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014), 813–816 ; Z. Z. Alisultanov, “Nernst–Ettingshausen effect in graphene”, JETP Letters, 99:12 (2014), 702–705 |
21
|
| 19. |
З. З. Алисултанов, “Осцилляции намагниченности в графене в скрещенных
магнитном и электрическом полях”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 258–262 ; Z. Z. Alisultanov, “Oscillations of magnetization in graphene in crossed magnetic and electric fields”, JETP Letters, 99:4 (2014), 232–236 |
30
|
| 20. |
З. З. Алисултанов, Н. А. Мирзегасанова, “Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене”, ЖТФ, 84:10 (2014), 145–148 ; Z. Z. Alisultanov, N. A. Mirzegasanova, “Anomalous increase of thermopower in epitaxial graphene”, Tech. Phys., 59:10 (2014), 1562–1565 |
3
|
| 21. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 951–962 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “Transport properties of epitaxial graphene formed on the surface of a superconductor”, Semiconductors, 48:7 (2014), 924–934 |
10
|
| 22. |
З. З. Алисултанов, Н. А. Мирзегасанова, “Термодинамика электронов в эпитаксиальном графене”, Письма в ЖТФ, 40:4 (2014), 49–55 ; Z. Z. Alisultanov, N. A. Mirzegasanova, “Thermodynamics of electrons in epitaxial graphene”, Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 164–166 |
3
|
|
2013 |
| 23. |
З. З. Алисултанов, “Адсорбция на графене с дефектами типа вакансий: модельный подход”, Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1211–1220 ; Z. Z. Alisultanov, “Adsorption on graphene with vacancy-type defects: A model approach”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1304–1314 |
7
|
| 24. |
З. З. Алисултанов, “Аномальный рост термоЭДС в однослойном графене, сформированном на
перестраиваемом бислое графена”, Письма в ЖЭТФ, 98:2 (2013), 121–124 ; Z. Z. Alisultanov, “Anomalous increase in the thermopower in a graphene monolayer formed on a tunable graphene bilayer”, JETP Letters, 98:2 (2013), 111–114 |
21
|
| 25. |
З. З. Алисултанов, “Адсорбция на перестраиваемом бислое графена. Модельный подход”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 954–961 ; Z. Z. Alisultanov, “Adsorption on tunable bilayer graphene: A model approach”, Semiconductors, 47:7 (2013), 962–970 |
3
|
| 26. |
З. З. Алисултанов, “К теории электронных состояний системы "квантовая точка–графен–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si"”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 805–809 ; Z. Z. Alisultanov, “On the theory of the electronic states of a "quantum dot–graphene–SiO$_2$+$n^+$-Si substrate" system”, Semiconductors, 47:6 (2013), 815–819 |
6
|
| 27. |
З. З. Алисултанов, “Статическая проводимость электронного газа в эпитаксиальном графене”, Письма в ЖТФ, 39:17 (2013), 8–16 ; Z. Z. Alisultanov, “Static conductance of electron gas in epitaxial graphene”, Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 758–761 |
13
|
| 28. |
З. З. Алисултанов, “О перенормировке скорости Ферми в эпитаксиальном графене”, Письма в ЖТФ, 39:13 (2013), 32–39 ; Z. Z. Alisultanov, “On renormalization of the Fermi velocity in epitaxial graphene”, Tech. Phys. Lett., 39:7 (2013), 597–600 |
13
|
| 29. |
З. З. Алисултанов, “Щель в плотности состояний эпитаксиального графена, сформированного на поверхности размерно-квантованной металлической пленки”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 23–30 ; Z. Z. Alisultanov, “A gap in the density of electron states of epitaxial graphene formed on the surface of a dimensionally quantized metal film”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 196–198 |
6
|
| 30. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, А. К. Нухов, “О роли дефектов кристаллической решетки в формировании адсорбционных свойств графена”, Письма в ЖТФ, 39:3 (2013), 63–71 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, A. K. Nukhov, “On the role of lattice defects in the formation of adsorption properties of graphene”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 171–174 |
6
|
|
2012 |
| 31. |
З. З. Алисултанов, С. В. Гарнов, Р. П. Мейланов, “К теории электронных состояний эпитаксиального графена, сформированного на поверхности металлической подложки”, Физика твердого тела, 54:12 (2012), 2394–2398 ; Z. Z. Alisultanov, S. V. Garnov, R. P. Meylanov, “To the theory of electronic states of epitaxial graphene formed on the surface of a metal substrate”, Phys. Solid State, 54:12 (2012), 2514–2518 |
8
|
| 32. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “К теории электронных состояний системы эпитаксиальный графен–размерно-квантованная пленка”, Физика твердого тела, 54:7 (2012), 1398–1404 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “On the theory of electronic states of the “epitaxial graphene-quantum-well film” system”, Phys. Solid State, 54:7 (2012), 1486–1493 |
20
|
| 33. |
Заур З. Алисултанов, Руслан П. Мейланов, “Теплофизические свойства квантово-статистических систем с дробно-степенным спектром”, Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 5:3 (2012), 349–358 |
1
|
| 34. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, А. К. Нухов, Г. М. Мусаев, Э. И. Идаятов, “Электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$Si"”, Письма в ЖТФ, 38:12 (2012), 1–7 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, A. K. Nukhov, G. M. Musaev, E. I. Idayatov, “Electron states in the quantum dot-graphene-monolayer-SiO$_2$+$n^+$Si-substrate system”, Tech. Phys. Lett., 38:6 (2012), 552–554 |
8
|
| 35. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Некоторые вопросы теории квантово-статистических систем, обладающих энергетическим спектром дробно-степенного типа”, ТМФ, 173:1 (2012), 135–148 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “Some problems of the theory of quantum statistical systems with an energy spectrum of the fractional-power type”, Theoret. and Math. Phys., 173:1 (2012), 1445–1456 |
4
|
| 36. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Квантовые кинетические уравнения системы “графен + размерно-квантовая пленка””, ТМФ, 172:3 (2012), 454–467 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “Quantum kinetic equations of the system “graphene + dimensionally
quantized film””, Theoret. and Math. Phys., 172:3 (2012), 1278–1288 |
11
|
| 37. |
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Некоторые особенности квантово-статистических систем с энергетическим спектром дробно-степенного типа”, ТМФ, 171:3 (2012), 404–416 ; Z. Z. Alisultanov, R. P. Meylanov, “Some features of quantum statistical systems with an energy spectrum of the fractional-power type”, Theoret. and Math. Phys., 171:3 (2012), 769–779 |
10
|
|