|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
Е. С. Жукова, Б. П. Горшунов, В. А. Юрьев, Л. В. Арапкина, К. В. Чиж, В. А. Чапнин, В. П. Калинушкин, А. С. Прохоров, Г. Н. Михайлова, “Поглощение терагерцового излучения в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 92:12 (2010), 877–883   ; E. S. Zhukova, B. P. Gorshunov, V. A. Yur'ev, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, V. A. Chapnin, V. P. Kalinushkin, A. S. Prokhorov, G. N. Mikhailova, JETP Letters, 92:12 (2010), 793–798   |
9
|
| 2. |
L. V. Arapkina, V. A. Yuryev, V. M. Shevlyuga, K. V. Chizh, “Phase transition between $(2\times1)$ and $c(8\times8)$ reconstructions observed on the Si(001) surface around $600^{\circ}$C”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 346–350 ; JETP Letters, 92:5 (2010), 310–314 |
12
|
| 3. |
L. V. Arapkina, V. A. Yuryev, “Atomic structure of Ge quantum dots on the Si(001) surface”, Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010), 301–305 ; JETP Letters, 91:6 (2010), 281–285 |
15
|
| 4. |
Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев, “Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах”, УФН, 180:3 (2010), 289–302 ; L. V. Arapkina, V. A. Yur'ev, “Classification of Ge hut clusters in arrays formed by molecular beam epitaxy at low temperatures on the Si(001) surface”, Phys. Usp., 53:3 (2010), 279–290 |
35
|
|
2008 |
| 5. |
L. V. Arapkina, V. M. Shevlyuga, V. A. Yuryev, “Structure and peculiarities of the $(8\times n)$-type Si(001) surface prepared in a molecular beam epitaxy chamber: a scanning tunnelling microscopy study”, Письма в ЖЭТФ, 87:4 (2008), 247–251 ; JETP Letters, 87:4 (2008), 215–219 |
20
|
|
