Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Дроздов Михаил Николаевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 90
Научных статей: 90

Статистика просмотров:
Эта страница:621
Страницы публикаций:20479
Полные тексты:10461
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person54801
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, М. А. Калинников, С. А. Краев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, “Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением”, ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156  mathnet  elib
2. М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, П. А. Юнин, Н. В. Востоков, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, “CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы”, ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548  mathnet  elib
3. М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, В. А. Кукушкин, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, “Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51  mathnet  elib
4. М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, В. А. Кукушкин, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Р. И. Хайбуллин, “Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде”, Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6  mathnet  elib
2024
5. М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Е. А. Архипова, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, А. В. Гордеева, В. Ю. Сафонова, Д. А. Пиманов, А. Л. Панкратов, “Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров”, Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080  mathnet  elib
6. Е. А. Архипова, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, А. И. Охапкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414  mathnet  elib
7. Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, А. В. Антонов, Л. В. Красильникова, Д. А. Шмырин, П. А. Юнин, З. Ф. Красильник, С. В. Ситников, Д. В. Щеглов, “Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений”, Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25  mathnet  elib
2023
8. Д. В. Петрова, М. С. Михайленко, М. В. Зорина, М. Н. Дроздов, А. Е. Пестов, Н. И. Чхало, “Нанесение жидкого стекла на подложки оптических элементов и его молекулярный состав”, ЖТФ, 93:7 (2023),  1037–1045  mathnet  elib
9. А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, П. А. Юнин, С. А. Краев, Д. Б. Радищев, “Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312  mathnet  elib
10. В. А. Кукушкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, Е. А. Архипова, М. Н. Дроздов, Ю. В. Кукушкин, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264  mathnet  elib
11. А. И. Охапкин, С. А. Краев, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, М. В. Зорина, “Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl”, Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42  mathnet  elib
2022
12. Mikhail A. Lobaev, Anatoly L. Vikharev, Aleksey M. Gorbachev, Dmitry B. Radishev, Ekaterina A. Arkhipova, Mikhail N. Drozdov, Vladimir A. Isaev, Sergey A. Bogdanov, Vladimir A. Kukushkin, “Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584  mathnet  elib 1
13. Н. Д. Абросимова, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. В. Оболенский, “Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур “кремний-на-изоляторе” после воздействия рентгеновского излучения”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  753–758  mathnet  elib 2
14. А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688  mathnet  elib
15. Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629  mathnet  elib
2021
16. Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, М. Н. Дроздов, Д. А. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Кудрин, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, M. N. Drozdov, D. A. Zdoroveishchev, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, “Pulsed laser irradiation of light-emitting structures with a (Ga,Mn)As layer”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1593–1600
17. А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, “Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Effect of the chloropentafluoroethane additive in chlorine-containing plasma on the etching rate and etching-profile characteristics of gallium arsenide”, Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868 1
18. Ю. А. Данилов, А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Д. А. Здоровейщев, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, М. Н. Дроздов, “Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643  mathnet  elib; Yu. A. Danilov, A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, D. A. Zdoroveishchev, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, M. N. Drozdov, “Doping of carbon layers grown by the pulsed laser technique”, Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666
2020
19. А. Б. Толстогузов, М. Н. Дроздов, А. Е. Иешкин, А. А. Татаринцев, А. В. Мяконьких, С. Ф. Белых, Н. Г. Коробейщиков, В. О. Пеленович, Д. Фу, “Влияние размерного эффекта на кластерную ионную эмиссию наноструктур кремния”, Письма в ЖЭТФ, 111:8 (2020),  531–535  mathnet  elib; A. B. Tolstoguzov, M. N. Drozdov, A. E. Ieshkin, A. A. Tatarintsev, A. V. Myakon'kikh, S. F. Belykh, N. G. Korobeishchikov, V. O. Pelenovich, D. J. Fu, “Influence of the finite-size effect on the cluster ion emission of silicon nanostructures”, JETP Letters, 111:8 (2020), 467–471  isi  scopus 5
20. Н. Д. Абросимова, М. Н. Дроздов, С. В. Оболенский, “Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур “кремний на изоляторе””, ЖТФ, 90:11 (2020),  1850–1853  mathnet  elib; N. D. Abrosimova, M. N. Drozdov, S. V. Obolensky, “Secondary-ion mass spectroscopy for analysis of the implanted hydrogen profile in silicon and impurity composition of silicon-on-insulator structures”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1767–1770
21. Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872  mathnet  elib; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 3
22. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 2
23. П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858  mathnet  elib; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050 2
24. Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 2
25. А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, С. В. Большедворский, А. И. Зеленеев, В. В. Сошенко, А. В. Акимов, М. Н. Дроздов, В. А. Исаев, “Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23  mathnet  elib; A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, S. V. Bolshedvorskii, A. I. Zeleneev, V. V. Soshenko, A. V. Akimov, M. N. Drozdov, V. A. Isaev, “Formation of multilayered nanostructures of NV sites in single-crystal CVD diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 641–645 1
26. М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38  mathnet  elib; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 2
27. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, П. А. Юнин, О. А. Стрелецкий, А. Е. Иешкин, “Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, O. A. Streletskii, A. E. Ieshkin, “SIMS analysis of carbon-containing materials: content of carbon atoms in $sp^{2}$ and $sp^{3}$ hybridization states”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 290–294 10
2019
28. М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932  mathnet  elib; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 8
29. Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390  mathnet  elib; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 2
30. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
31. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 3
32. Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, М. Н. Дроздов, Е. Е. Морозова, М. А. Калинников, А. В. Новиков, “Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902  mathnet  elib; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 3
33. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, С. А. Краев, М. А. Лобаев, “Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, M. A. Lobaev, “A new approach to tof-sims analysis of the phase composition of carbon-containing materials”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 48–52 7
34. А. Е. Иешкин, А. Б. Толстогузов, С. Е. Свяховский, М. Н. Дроздов, В. О. Пеленович, “Экспериментальное наблюдение эффекта ограничения каскада столкновений при распылении пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  39–42  mathnet  elib; A. E. Ieshkin, A. B. Tolstoguzov, S. E. Svyakhovskii, M. N. Drozdov, V. O. Pelenovich, “Experimental observation of the confinement of atomic collision cascades during ion sputtering of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 37–40 4
2018
35. М. В. Сапожников, О. В. Ермолаева, Е. В. Скороходов, Н. С. Гусев, М. Н. Дроздов, “Магнитные скирмионы в пленках с модулированной толщиной”, Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  378–382  mathnet  elib; M. V. Sapozhnikov, O. V. Ermolaeva, E. V. Skorokhodov, N. S. Gusev, M. N. Drozdov, “Magnetic skyrmions in thickness-modulated films”, JETP Letters, 107:6 (2018), 364–368  isi  scopus 17
36. А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 1
37. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 1
38. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. А. Лобаев, П. А. Юнин, “Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  52–60  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, M. A. Lobaev, P. A. Yunin, “New cluster secondary ions for quantitative analysis of the concentration of boron atoms in diamond by time-of-flight secondary-ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 297–300 1
2017
39. Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, В. Б. Шмагин, А. В. Новиков, “Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615  mathnet  elib; D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, V. B. Shmagin, A. V. Novikov, “Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1552–1556
40. А. И. Охапкин, С. А. Королёв, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506  mathnet  elib; A. I. Okhapkin, S. A. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 2
41. И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472  mathnet  elib; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 2
42. E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151  mathnet; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106
43. М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59  mathnet  elib; M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 477–480 1
2016
44. Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598  mathnet  elib; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 2
45. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536  mathnet  elib; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 2
46. И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. Н. Дроздов, “Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496  mathnet  elib; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. N. Drozdov, “Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer $\delta$-doped with Mn”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1469–1474 3
47. В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462  mathnet  elib; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 3
48. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
49. А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353  mathnet  elib; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 4
50. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787
51. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 2
2015
52. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, А. И. Охапкин, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, A. I. Okhapkin, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Si$_3$N$_4$ layers for the in-situ passivation of GaN-based HEMT structures”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1421–1424 9
53. А. В. Антонов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, “Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1453–1457  mathnet  elib; A. V. Antonov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, “Segregation of Sb in Ge epitaxial layers and its usage for the selective doping of Ge-based structures”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1405–1409 2
54. Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135  mathnet  elib; N. A. Baidakova, A. I. Bobrov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Growth of light-emitting SiGe heterostructures on strained silicon-on-insulator substrates with a thin oxide layer”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1104–1110 3
55. В. В. Травкин, Г. Л. Пахомов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, А. И. Машин, А. А. Логунов, “Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  138–141  mathnet  elib; V. V. Travkin, G. L. Pakhomov, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, A. I. Mashin, A. A. Logunov, “Characteristics of fullerene-based diode structures on polymer and glass substrates”, Semiconductors, 49:1 (2015), 134–137 2
56. Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, А. В. Новиков, “Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24  mathnet  elib; Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov, “Plastic relaxation in GeSi layers on Si (001) and Si (115) substrates”, Semiconductors, 49:1 (2015), 19–22
57. О. И. Хрыкин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, П. А. Юнин, В. И. Шашкин, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, А. Л. Вихарев, Д. Б. Радищев, “Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе”, Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80  mathnet  elib; O. I. Khrykin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, P. A. Yunin, V. I. Shashkin, S. A. Bogdanov, A. B. Muchnikov, A. L. Vikharev, D. B. Radishev, “Single-crystal GaN/AlN layers on CVD diamond”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 954–956
58. Ю. Н. Бузынин, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25  mathnet  elib; Yu. N. Buzynin, A. V. Vodopyanov, S. V. Golubev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. Yu. Luk'yanov, D. A. Mansfeld, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “High-rate growth of InN films on fianite and sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy with plasma-assisted nitrogen activation”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 266–269 1
59. В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Ю. Н. Бузынин, М. Н. Дроздов, А. Н. Бузынин, П. А. Юнин, “Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si”, Письма в ЖТФ, 41:1 (2015),  71–78  mathnet  elib; V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, Yu. N. Buzynin, M. N. Drozdov, A. N. Buzynin, P. A. Yunin, “Thin single-crystal Ge layers on 2" Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 41:1 (2015), 36–39 6
2014
60. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. Д. Захаров, С. А. Королев, “Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев”, ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. D. Zakharov, S. A. Korolev, “Use of related parameters in X-ray diffraction analysis of multilayer structures with allowance for the layer growth time”, Tech. Phys., 59:3 (2014), 402–406 3
61. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Quantitative calibration and germanium SIMS depth profiling in Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si heterostructures”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1109–1117 6
62. Е. Л. Панкратов, О. П. Гуськова, М. Н. Дроздов, Н. Д. Абросимова, В. М. Воротынцев, “Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  631–635  mathnet  elib; E. L. Pankratov, O. P. Gus’kova, M. N. Drozdov, N. D. Abrosimova, V. M. Vorotyntsev, “Anomalous distribution of germanium implanted into a SOI dielectric layer after the annealing of radiation defects”, Semiconductors, 48:5 (2014), 612–616 2
63. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Н. Д. Захаров, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, N. D. Zakharov, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new approach to the diagnostics of nanoislands in Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si heterostructures by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 601–605 6
2013
64. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов, “Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1580–1585  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, D. N. Lobanov, “Study of multilayered SiGe semiconductor structures by X-ray diffractometry, grazing-incidence X-ray reflectometry, and secondary-ion mass spectrometry”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1556–1561 6
65. М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, “Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1493–1496  mathnet  elib; M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, “Antimony segregation in stressed SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1481–1484 1
66. А. В. Мурель, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1481–1485  mathnet  elib; A. V. Murel, V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Effect of rapid thermal annealing on the parameters of gallium-arsenide low-barrier diodes with near-surface $\delta$-doping”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1470–1474 2
67. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, А. А. Тонких, А. Н. Яблонский, P. Werner, “Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Tonkikh, A. N. Yablonskii, P. Werner, “Structural and optical properties of GaAs-based heterostructures with Ge and Ge/InGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:5 (2013), 636–640 3
68. Д. В. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, М. В. Степихова, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, “Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413  mathnet  elib; D. V. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, M. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, “Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms”, Semiconductors, 47:3 (2013), 433–436
69. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, П. А. Юнин, В. Ф. Разумов, “Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  45–54  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, G. L. Pakhomov, V. V. Travkin, P. A. Yunin, V. F. Razumov, “Depth profiling of fullerene-containing structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1097–1100 8
70. Д. В. Мастеров, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин, “Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ при магнетронном распылении”, Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  41–50  mathnet  elib; D. V. Masterov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, P. A. Yunin, “Changes in the elemental composition and microstructure of an YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ target during magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 39:10 (2013), 862–865 1
2012
71. Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, Е. П. Додин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Андронов, “Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1593–1596  mathnet  elib
72. Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, “Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, “Fabrication and properties of GaAsSb/GaAs heterostructures doped with a magnetic impurity”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1493–1496 4
73. П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, “Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520  mathnet  elib; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, “Method for taking into account the shift parameter in the deconvolution of the depth composition distribution of semiconductor structures from SIMS depth profiles”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1481–1486 6
74. А. В. Антонов, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, “Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447  mathnet  elib; A. V. Antonov, V. M. Daniltsev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, “Intraband photoconductivity induced by interband illumination in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1415–1417 1
75. Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423  mathnet  elib; Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Analysis of the composition of (Al,Ga)As alloys by secondary ion mass spectroscopy and X-ray diffractometry”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1392–1395 2
76. Ю. Н. Бузынин, М. Е. Викторов, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, Е. В. Скороходов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94  mathnet  elib; Yu. N. Buzynin, M. E. Viktorov, A. V. Vodopyanov, S. V. Golubev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. Yu. Luk'yanov, D. A. Mansfeld, E. V. Skorokhodov, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Growing InN films by plasma-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy on Al$_2$O$_3$ and YSZ substrates in plasma generated by gyrotron radiation under electron cyclotron resonance conditions”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 51–54 1
77. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин, “Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  75–85  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, V. N. Polkovnikov, S. D. Starikov, P. A. Yunin, “A new alternative to secondary CsM$^+$ ions for depth profiling of multilayer metal structures by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 46–50 3
2011
78. В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник, “Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, V. B. Shmagin, M. N. Drozdov, M. O. Marychev, K. E. Kudryavtsev, M. V. Kuznetsov, B. A. Andreev, A. V. Kornaukhov, Z. F. Krasil'nik, “Dependence of the concentration of ionized donors on epitaxy temperature for Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 45:1 (2011), 130–133 3
79. Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, А. В. Новиков, “Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями”, Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  75–81  mathnet  elib; D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, A. V. Novikov, “Method of selective doping of silicon by segregating impurities”, Tech. Phys. Lett., 37:9 (2011), 824–826 1
80. Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, “Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов”, Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  54–59  mathnet  elib; N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, “Electrical and structural parameters of YBCO films obtained by repeated growth cycles”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 671–673 1
81. В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Д. В. Шенгуров, Р. Х. Жукавин, М. Н. Дроздов, “Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  24–30  mathnet  elib; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, D. V. Shengurov, R. Kh. Zhukavin, M. N. Drozdov, “Boron doping of Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si heterostructures grown by silicon sublimation in germane medium”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 601–604 1
2010
82. А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский, “Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513  mathnet  elib; A. V. Antonov, N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, O. I. Khrykin, A. N. Yablonskii, “Photoconductivity of InAs/GaAs structures with InAs nanoclusters in the near-infrared region”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1464–1466 2
83. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, “Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, “Secondary cluster ions Ge$_2^-$ and Ge$_3^-$ for improving depth resolution of SIMS depth profiling of GeSi/Si heterostructures”, Semiconductors, 44:3 (2010), 401–404 10
2009
84. П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  80–83  mathnet; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75  isi  scopus 4
85. П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния”, Физика и техника полупроводников, 43:7 (2009),  1002–1006  mathnet  elib; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Fabrication of nanocrystalline silicon layers by plasma enhanced chemical vapor deposition from silicon tetrafluoride”, Semiconductors, 43:7 (2009), 968–972 3
86. П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, H.-J. Pohl, О. Н. Годисов, “Получение слоев изотопно-модифицированного кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖТФ, 35:20 (2009),  41–47  mathnet  elib; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, H.-J. Pohl, O. N. Godisov, “Isotope-modified silicon layers obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition from gaseous silicon tetrafluoride”, Tech. Phys. Lett., 35:10 (2009), 948–950
2008
87. М. Н. Дроздов, Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, А. В. Мурель, В. И. Шашкин, “Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  303–310  mathnet  elib; M. N. Drozdov, N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, Yu. N. Drozdov, L. D. Moldavian, A. V. Murel, V. I. Shashkin, “Photoluminescence up to 1.6 $\mu$m of quantum dots with an increased effective thickness of the InAs layer”, Semiconductors, 42:3 (2008), 298–304 1
88. Л. Д. Молдавская, Н. В. Востоков, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 42:1 (2008),  101–105  mathnet  elib; L. D. Moldavian, N. V. Vostokov, D. M. Gaponova, V. M. Daniltsev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “The sandwich InGaAs/GaAs quantum dot structure for IR photoelectric detectors”, Semiconductors, 42:1 (2008), 99–103 5
89. М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, “Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1–2.6 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 34:1 (2008),  3–9  mathnet  elib; M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, “Room-temperature photoconductivity in the 1–2.6 $\mu$m range in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 34:1 (2008), 1–3 1
2003
90. А. А. Андронов, М. Н. Дроздов, Д. И. Зинченко, А. А. Мармалюк, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Падалица, А. В. Соснин, А. В. Устинов, В. И. Шашкин, “Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора”, УФН, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi 17

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026