|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. Н. Меньшов, И. П. Русинов, Е. В. Чулков, “Модификация электронной структуры поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашбы, вызванная присутствием доменных стенок”, Физика твердого тела, 67:8 (2025), 1476–1482  |
| 2. |
В. Н. Меньшов, И. П. Русинов, Е. В. Чулков, “Собственный аномальный эффект Холла на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба”, Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025), 393–401 ; V. N. Men'shov, I. P. Rusinov, E. V. Chulkov, “Intrinsic anomalous Hall effect on the surface of a magnetic semiconductor with the strong Rashba effect”, JETP Letters, 121:5 (2025), 372–380 |
|
2023 |
| 3. |
В. Н. Меньшов, Е. В. Чулков, “Связанные состояния короткодействующего дефекта на поверхности собственного антиферромагнитного топологического изолятора в неколлинеарной фазе”, Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023), 836–845 ; V. N. Men'shov, E. V. Chulkov, “Bound states of a short-range defect on the surface of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator in a noncollinear phase”, JETP Letters, 118:11 (2023), 837–846 |
| 4. |
В. Н. Меньшов, Е. В. Чулков, “Особенности электронного спектра при переходе из фазы аксионного изолятора в фазу квантового аномального эффекта Холла в тонкой пленке собственного антиферромагнитного топологического изолятора”, Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023), 147–157 ; V. N. Men'shov, E. V. Chulkov, “Electronic spectrum features under the transition from axion insulator phase to quantum anomalous hall effect phase in an intrinsic antiferromagnetic topological insulator thin film”, JETP Letters, 117:2 (2023), 147–156 |
3
|
|
2021 |
| 5. |
В. Н. Меньшов, И. П. Русинов, Е. В. Чулков, “Особенности поверхностных состояний собственного антиферромагнитного топологического изолятора с неколлинеарной текстурой доменных стенок”, Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021), 768–776 ; V. N. Men'shov, I. P. Rusinov, E. V. Chulkov, “Features of surface states of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator with a noncollinear texture of domain walls”, JETP Letters, 114:11 (2021), 699–706   |
7
|
|
2019 |
| 6. |
В. Н. Меньшов, И. А. Швец, Е. В. Чулков, “Формирование магнитного порядка в трехмерных топологических изоляторах для реализации квантового аномального эффекта Холла (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 110:12 (2019), 777–792  ; V. N. Men'shov, I. A. Shvets, E. V. Chulkov, “Formation of the magnetic order in three-dimensional topological insulators for the quantum anomalous Hall effect (scientific summary)”, JETP Letters, 110:12 (2019), 771–784 |
12
|
| 7. |
Э. Т. Кулатов, В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Ю. А. Успенский, “Особенности электронной структуры топологического изолятора Bi$_2$Se$_3$, дискретно легированного атомами $3d$-переходных металлов”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 98–104 ; E. T. Kulatov, V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, Yu. A. Uspenskii, “Features of the electronic structure of the Bi$_2$Se$_3$ topological insulator digitally doped with $3d$ transition metals”, JETP Letters, 109:2 (2019), 102–108 |
7
|
|
2016 |
| 8. |
В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Е. В. Чулков, “Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 480–487 ; V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Quantum anomalous Hall effect in magnetically modulated topological insulator/normal insulator heterostructures”, JETP Letters, 104:7 (2016), 453–459 |
17
|
|
2015 |
| 9. |
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures”, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015), 864–869 ; JETP Letters, 102:11 (2015), 754–759 |
7
|
|
2013 |
| 10. |
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Engineering near-surface electron states in three-dimensional
topological insulators”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 676–681 ; JETP Letters, 98:10 (2013), 603–608 |
10
|
| 11. |
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Interface induced states at the boundary between a $3D$
topological insulator and a normal insulator”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 297–303 ; JETP Letters, 97:5 (2013), 258–264 |
16
|
|
2012 |
| 12. |
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Bound states induced by a ferromagnetic delta-layer inserted into
a three-dimensional topological insulator”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 492–498 ; JETP Letters, 96:7 (2012), 445–451 |
11
|
|
2011 |
| 13. |
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Carrier mediated ferromagnetism on the surface of a topological
insulator”, Письма в ЖЭТФ, 94:8 (2011), 672–677 ; JETP Letters, 94:8 (2011), 629–634 |
19
|
|
2008 |
| 14. |
В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, “Обменная связь в магнитных сплавах Ge:Mn с разделением фаз”, Письма в ЖЭТФ, 87:8 (2008), 497–501 ; V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, “Exchange coupling in magnetic phase-separated GeMn alloys”, JETP Letters, 87:8 (2008), 428–432 |
2
|
| 15. |
Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 192–198 ; B. A. Aronzon, A. S. Lagutin, V. V. Ryl'kov, V. V. Tugushev, V. N. Men'shov, A. V. Lashkul, R. Laiho, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, “Magnetic properties of $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$ quantum wells”, JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169 |
20
|
|
1987 |
| 16. |
В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Т. Н. Фурса, “Коллективные возбуждения в зонных антиферромагнетиках с волной спиновой плотности в состоянии солитонной решетки”, Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2361–2368 |
|
