Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Михайлов Николай Николаевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 152
Научных статей: 152

Статистика просмотров:
Эта страница:1067
Страницы публикаций:53096
Полные тексты:21481
кандидат физико-математических наук (2005)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
E-mail:

Научная биография:

Михайлов, Николай Николаевич. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур $Cd_x Hg_{1-x} Te$ на подложках $GaAs$ для инфракрасных фотоприёмников : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07. - Новосибирск, 2005. - 192 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person55103
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=107682
https://www.researchgate.net/profile/Nikolay-Mikhailov

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. М. Ф. Ступак, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, “Аномальное поведение механических напряжений в полупроводниковых структурах класса сфалерита”, Физика твердого тела, 68:6 (2026),  867–874  mathnet
2. А. В. Иконников, В. В. Румянцев, С. Н. Чмырь, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Особенности “вакансионной” фотопроводимости в бесщелевых и узкозонных структурах кадмий–ртуть–теллур”, Письма в ЖЭТФ, 123:9 (2026),  616–621  mathnet
3. Д. А. Курмачев, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Флуктуационный кондактанс мезоскопических проводников на основе сильно разупорядоченного двумерного полуметалла в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 123:8 (2026),  552–555  mathnet
4. В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, К. А. Мажукина, А. А. Янцер, В. И. Гавриленко, С. А. Краев, Е. А. Архипова, А. В. Окомельков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке”, Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13  mathnet  elib
5. Г. М. Гусев, З. Д. Квон, А. Д. Левин, Е. Б. Ольшанецкий, Н. Н. Михайлов, “ТермоЭДС в топологических изоляторах и двумерных полуметаллах на основе HgTe”, УФН, 196:1 (2026),  2–27  mathnet; G. M. Gusev, Z. D. Kvon, A. D. Levin, E. B. Olshanetsky, N. N. Mikhailov, “Thermopower in HgTe-based topological insulators and two-dimensional semimetals”, Phys. Usp., 69:1 (2026), 2–24  isi  scopus
2025
6. М. Ф. Ступак, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, С. А. Макаров, А. Г. Елесин, “Регистрация с помощью второй гармоники изменений слабых напряжений в слоях HgCdTe при воздействии локального нагрева”, Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1268–1273  mathnet  elib
7. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809  mathnet  elib
8. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, А. М. Смирнов, В. В. Бельков, М. В. Томкович, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования”, Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27  mathnet  elib
9. Е. Н. Кирьянова, В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, В. Р. Барышев, А. А. Янцер, К. А. Мажукина, М. А. Фадеев, Н. С. Гинзбург, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней”, Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613  mathnet
10. Д. А. Курмачев, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Двумерный топологический андерсоновский изолятор в режиме квазибаллистического транспорта”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  109–112  mathnet
11. А. А. Разова, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, В. А. Вербус, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10  mathnet  elib
2024
12. С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Р. В. Меньщиков, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, “Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 66:2 (2024),  206–212  mathnet  elib
13. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, А. В. Германенко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Вклад осцилляций уровня Ферми в шубниковские и магнито-межподзонные осцилляции в одиночных квантовых ямах HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  359–366  mathnet; G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, A. V. Germanenko, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, “Contribution of oscillations of the Fermi level to the Shubnikov–de Haas and magneto-intersubband oscillations in single HgTe quantum wells”, JETP Letters, 120:5 (2024), 346–353
14. Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Микроволновая фотопроводимость бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024),  925–931  mathnet; N. S. Kuzmin, A. S. Jaroshevich, L. S. Braginskii, M. V. Entin, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, “Microwave photoconductivity of gapless Dirac fermions in HgTe quantum wells”, JETP Letters, 119:12 (2024), 950–956 1
15. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, А. В. Германенко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Магнитотранспорт в квантовых ямах HgTe с двумя полевыми электродами”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  434–442  mathnet  elib
16. N. M. Kawahala, Г. М. Гусев, Е. Б. Ольшанецкий, F. G. Hernandez, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Слабая антилокализация в двойных ямах HgTe с массивными фермионами Дирака”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  263–271  mathnet  elib
17. М. Ф. Ступак, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, “Измерение локальных напряжений в поверхностных слоях многослойных структур нуль-методом с использованием фазового синхронизма”, Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  32–35  mathnet  elib
2023
18. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, “Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe”, Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414  mathnet  elib 1
19. С. А. Дворецкий, М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs”, Физика твердого тела, 65:1 (2023),  56–62  mathnet  elib
20. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Magnetoresistance of a HgTe/CdHgTe double quantum well in an in-plane magnetic field”, JETP Letters, 118:12 (2023), 899–904
21. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ф. Тепп, М. Орлита, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора””, Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868  mathnet; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Simultaneous observation of the cyclotron resonances of electrons and holes in a HgTe/CdHgTe double quantum well under “optical gate” effect”, JETP Letters, 118:11 (2023), 867–874 2
22. С. Н. Чмырь, А. С. Казаков, А. В. Галеева, Д. Е. Долженко, А. И. Артамкин, А. В. Иконников, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. И. Банников, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “$PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  341–345  mathnet; S. N. Chmyr, A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, D. E. Dolzhenko, A. I. Artamkin, A. V. Ikonnikov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, M. I. Bannikov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “$PT$-symmetric microwave photoconductivity in heterostructures based on the Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te topological phase”, JETP Letters, 118:5 (2023), 339–342
23. К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316  mathnet; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 4
24. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Я. Алешкин, “Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору”, Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023),  912–918  mathnet; G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. Ya. Aleshkin, “Energy spectrum of the valence band in HgTe quantum wells on the way from a two- to three-dimensional topological insulator”, JETP Letters, 117:12 (2023), 916–922 1
25. М. С. Рыжков, Д. А. Козлов, Д. А. Худайбердиев, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Интерференционный транспорт в двумерном топологическом изоляторе в CdHgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 117:1 (2023),  50–54  mathnet; M. S. Ryzhkov, D. A. Kozlov, D. A. Khudaiberdiev, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, “Interference transport in a two-dimensional topological insulator in a CdHgTe quantum well”, JETP Letters, 117:1 (2023), 44–47 2
26. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643  mathnet  elib
27. М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425  mathnet  elib
28. Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Слабая антилокализация в сильно разупорядоченном двумерном полуметалле в квантовой яме HgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  383–390  mathnet  elib
2022
29. А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Б. А. Пио, М. Потемски, М. Орлита, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543  mathnet; A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, B. A. Piot, M. Potemski, M. Orlita, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Origin of structure inversion asymmetry in double HgTe quantum wells”, JETP Letters, 116:8 (2022), 547–555 5
30. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон”, Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, S. M. Podgornykh, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Features of magnetotransport in a $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ double quantum well with an intermediate degree of band inversion”, JETP Letters, 116:6 (2022), 385–393 1
31. М. С. Рыжков, Д. А. Худайбердиев, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Краевой и объемный транспорт в двумерном топологическом изоляторе на основе квантовой ямы CdHgTe”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022),  230–235  mathnet; M. S. Ryzhkov, D. A. Khudaiberdiev, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Edge and bulk transport in a two-dimensional topological insulator based on a cdhgte quantum well”, JETP Letters, 115:4 (2022), 202–207 3
32. С. А. Дворецкий, М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  780–787  mathnet  elib
33. В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478  mathnet  elib
2021
34. А. С. Боголюбский, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, К. В. Туруткин, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром”, Физика твердого тела, 63:12 (2021),  1983–1993  mathnet  elib 1
35. З. Д. Квон, Е. Б. Ольшанецкий, М. А. Дрофа, Н. Н. Михайлов, “Андерсоновская локализация в двумерной электронно-дырочной системе”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  377–382  mathnet; Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, M. A. Drofa, N. N. Mikhailov, “Anderson localization in a two-dimensional electron–hole system”, JETP Letters, 114:6 (2021), 341–346  isi  scopus 4
36. А. С. Казаков, А. В. Галеева, А. В. Иконников, Д. Е. Долженко, Л. И. Рябова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов, “Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  548–552  mathnet  elib; A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, A. V. Ikonnikov, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskiy, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, D. R. Khokhlov, “Roles of elements of a heterostructure based on the topological phase of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te in the effect of $PT$-symmetric terahertz photoconductivity”, JETP Letters, 113:8 (2021), 542–546  isi  scopus 2
37. Н. Н. Васильев, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. Д. Ганичев, “Двумерный полуметалл в HgTe квантовых ямах толщиной $14$ нм”, Письма в ЖЭТФ, 113:7 (2021),  463–467  mathnet  elib; N. N. Vasil'ev, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. D. Ganichev, “Two-dimensional semimetal HgTe in 14-nm-thick quantum wells”, JETP Letters, 113:7 (2021), 466–470  isi  scopus 3
38. Д. В. Козлов, Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, А. А. Разова, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe”, Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405  mathnet  elib; D. V. Kozlov, T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Photothermal ionization spectroscopy of mercury vacancies in HgCdTe epitaxial films”, JETP Letters, 113:6 (2021), 402–408  isi  scopus 6
39. М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Высокочувствительная экспрессная нелинейно-оптическая диагностика кристаллического состояния гетероструктур типа сфалерита”, ЖТФ, 91:11 (2021),  1799–1808  mathnet  elib
40. В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926  mathnet  elib; V. V. Utochkin, A. A. Dubinov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Effect of internal optical losses on the generation of mid-IR stimulated emission in waveguide heterostructures with HgCdTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902 1
41. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, А. А. Разова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, A. A. Razova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Yu. Glyavin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of terahertz radiation in InP : Fe crystals due to second-order lattice nonlinearity”, Semiconductors, 55:10 (2021), 785–789
42. А. С. Тарасов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Р. В. Менщиков, И. Н. Ужаков, А. С. Кожухов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  748–753  mathnet  elib; A. S. Tarasov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, R. V. Menshchikov, I. N. Uzhakov, A. S. Kozhukhov, E. V. Fedosenko, O. E. Tereshchenko, “Preparation atomically clean and structurally ordered surfaces of epitaxial CdTe films for subsequent epitaxy”, Semiconductors, 55 (2021), s62–s66 8
43. А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  34–37  mathnet  elib; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, “Admittance of MIS structures based on $nBn$ systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632 1
44. А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35  mathnet  elib; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192
45. С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54  mathnet  elib; S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 2
46. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163  isi  scopus] 2
2020
47. М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, Д. Г. Икусов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения”, Физика твердого тела, 62:2 (2020),  214–221  mathnet  elib; M. F. Stupak, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, D. G. Ikusov, S. N. Makarov, A. G. Yelesin, A. G. Verkhoglyad, “Possibilities of characterizing the crystal parameters of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures on GaAs substrates by the method of generation of the probe-radiation second harmonic in reflection geometry”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 252–259 7
48. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, М. С. Жолудев, С. Руффенах, К. Консежо, Ф. Тепп, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. Потемски, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, M. S. Zholudev, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. Potemski, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Effects of the electron–electron interaction in the magneto-absorption spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 112:8 (2020), 508–512  isi  scopus 3
49. А. С. Казаков, А. В. Галеева, Д. Е. Долженко, Л. И. Рябова, М. И. Банников, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Р. Хохлов, “Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te”, Письма в ЖЭТФ, 112:4 (2020),  263–267  mathnet  elib; A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, M. I. Bannikov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskiy, D. R. Khokhlov, “Radiofrequency photoconductivity in Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te te based heterostructures”, JETP Letters, 112:4 (2020), 246–249  isi  scopus 1
50. З. Д. Квон, М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, Е. Б. Ольшанецкий, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Фото- и термоэлектрические явления в двумерных топологических изоляторах и полуметаллах на основе HgTe квантовых ям (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020),  174–186  mathnet  elib; Z. D. Kvon, M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, E. B. Olshanetsky, A. S. Yaroshevich, N. N. Mikhailov, “Photo- and thermoelectric phenomena in two-dimensional topological insulators and semimetals based on HgTe quantum wells (scientific summary)”, JETP Letters, 112:3 (2020), 161–172  isi  scopus 6
51. А. Ю. Кунцевич, Е. В. Тупиков, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. Резников, “Измерение магнитной восприимчивости носителей в квантовых ямах HgTe в перпендикулярном поле”, Письма в ЖЭТФ, 111:11 (2020),  750–756  mathnet  elib; A. Yu. Kuntsevich, E. V. Tupikov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. Reznikov, “Magnetic susceptibility measurements in HgTe quantum wells in a perpendicular magnetic field”, JETP Letters, 111:11 (2020), 633–638  isi  scopus 4
52. И. Д. Николаев, Т. А. Уаман Светикова, В. В. Румянцев, М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688  mathnet  elib; I. D. Nikolaev, T. A. Uaman Svetikova, V. V. Rumyantsev, M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Probing states of a double acceptor in СdHgTe heterostructures via optical gating”, JETP Letters, 111:10 (2020), 575–581  isi  scopus 7
53. А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, “Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 111:2 (2020),  107–111  mathnet  elib; A. S. Yaroshevich, Z. D. Kvon, G. M. Gusev, N. N. Mikhailov, “Microwave photoresistance of a two-dimensional topological insulator in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 111:2 (2020), 121–125  isi  scopus 7
54. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. M. Smirnov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, “Optical and structural properties of HgCdTe solid solutions with a high CdTe content”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566 4
55. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 3
56. Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168  mathnet  elib; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
57. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. A. Razova, S. M. Sergeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Investigation of the photosensitivity of narrow-gap and gapless HgCdTe solid solutions in the terahertz and sub-terahertz range”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1096–1102 2
58. А. В. Галеева, А. С. Казаков, А. И. Артамкин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  873–877  mathnet  elib; A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, A. I. Artamkin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Transport features in the topological phase Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te under terahertz photoexcitation”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1064–1068 1
59. V. N. Neverov, A. S. Bogolubskii, S. V. Gudina, S. M. Podgornykh, K. V. Turutkin, M. R. Popov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  830  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 982–990 4
60. З. Д. Квон, Д. А. Козлов, Е. Б. Ольшанецкий, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Топологические изоляторы на основе HgTe”, УФН, 190:7 (2020),  673–692  mathnet  elib; Z. D. Kvon, D. A. Kozlov, E. B. Olshanetsky, G. M. Gusev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Topological insulators based on HgTe”, Phys. Usp., 63:7 (2020), 629–647  isi  scopus 29
2019
61. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Особенности магнето-межподзонных осцилляций в квантовых ямах HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019),  274–278  mathnet  elib; G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, “Features of magneto-intersubband oscillations in HgTe quantum wells”, JETP Letters, 110:4 (2019), 301–305  isi  scopus 7
62. Д. А. Козлов, Й. Зиглер, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Вайс, “Осцилляции Шубникова–де Гааза в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки HgTe в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019),  835–841  mathnet  elib; D. A. Kozlov, J. Ziegler, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, D. Weiss, “Shubnikov—de Haas oscillations in a three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 109:12 (2019), 799–805  isi  scopus 2
63. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.- В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов, “Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, N. S. Kulikov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, H. W. Hubers, F. Teppe, S. V. Morozov, “Features of photoluminescence of double acceptors in HgTe/CdHgTe heterostructures with quantum wells in a terahertz range”, JETP Letters, 109:10 (2019), 657–662  isi  scopus 10
64. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, М. Орлита, М. Потемски, Б. Пио, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, M. Orlita, M. Potemski, B. A. Piot, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields”, JETP Letters, 109:3 (2019), 191–197  isi  scopus 2
65. В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков, С. А. Дворецкий, “Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии”, Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  318–324  mathnet  elib; V. A. Shvets, N. N. Mikhailov, D. G. Ikusov, I. N. Uzhakov, S. A. Dvoretskii, “Determination of the composition profile of HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te quantum wells by single wavelength ellipsometry”, Optics and Spectroscopy, 127:2 (2019), 340–346 24
66. К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404  mathnet  elib; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Residual-photoconductivity spectra in HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1363–1366 5
67. Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302  mathnet  elib; T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, V. I. Chernichkin, A. V. Galeeva, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Evolution of the impurity photoconductivity in CdHgTe epitaxial films with temperature”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271 2
68. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, М. Ю. Глявин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. Yu. Glyavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Second-harmonic generation of subterahertz gyrotron radiation by frequency doubling in InP : Fe and its application for magnetospectroscopy of semiconductor structures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1217–1221 8
69. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 4
70. Г. Ю. Васильева, А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, А. А. Усикова, R. J. Haug, “Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  947–952  mathnet  elib; G. Yu. Vasil'eva, A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, A. A. Usikova, R. J. Haug, “Magnetotransport spectroscopy of the interface, quantum well, and hybrid states in structures with 16-nm-thick multiple HgTe layers”, Semiconductors, 53:7 (2019), 930–935
71. С. М. Подгорных, М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  935–939  mathnet  elib; S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “On the thermal activation of conductivity electrons in a $p$-type HgTe/CdHgTe double quantum well with HgTe layers of critical width”, Semiconductors, 53:7 (2019), 919–922 4
72. В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27  mathnet  elib; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 2
73. М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus] 2
2018
74. М. Л. Савченко, Н. Н. Васильев, А. С. Ярошевич, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры пропускания квантовых ям и пленок на основе HgTe в дальнем ИК-диапазоне”, Физика твердого тела, 60:4 (2018),  774–778  mathnet  elib; M. L. Savchenko, N. N. Vasil'ev, A. S. Yaroshevich, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Transmission spectra of HgTe-based quantum wells and films in the far-infrared range”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 778–782 1
75. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334  isi  scopus 7
76. М. Л. Савченко, З. Д. Квон, С. Кандуссио, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Д. Ганичев, “Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018),  253–258  mathnet  elib; M. L. Savchenko, Z. D. Kvon, S. Candussio, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. D. Ganichev, “Terahertz cyclotron photoconductivity in a highly unbalanced two-dimensional electron-hole system”, JETP Letters, 108:4 (2018), 247–252  isi  scopus 9
77. Г. М. Гусев, Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Л. И. Магарилл, М. В. Энтин, А. Левин, Н. Н. Михайлов, “Термоэдс двумерного полуметалла в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  814–818  mathnet  elib; G. M. Gusev, E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, L. I. Magarill, M. V. Entin, A. Levin, N. N. Mikhailov, “Thermopower of a two-dimensional semimetal in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 107:12 (2018), 789–793  isi  elib  scopus 8
78. К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485  mathnet  elib; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589 11
79. А. А. Добрецова, З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, Н. Н. Михайлов, “Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1357–1361  mathnet  elib; A. A. Dobretsova, Z. D. Kvon, L. S. Braginskii, M. V. Èntin, N. N. Mikhailov, “Gapless Dirac electron mobility and quantum time in HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1468–1472 1
80. Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279  mathnet  elib; L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 7
81. В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 7
82. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov, O. E. Rut, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, “Zeeman splitting of electron spectrum in HgTe quantum wells near the Dirac point”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  482  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 519–522
83. V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441
84. С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  16–22  mathnet  elib; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide hgte quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 12–18 5
2017
85. А. В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру”, Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160  mathnet  elib; A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Terahertz photoconductivity in Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te near the transition from the direct to inverted spectrum”, JETP Letters, 106:3 (2017), 162–166  isi  scopus 24
86. С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1630  mathnet  elib; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:12 (2018), 12–18 5
87. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570
88. В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561 7
89. А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 11
2016
90. Д. А. Козлов, М. Л. Савченко, Й. Зиглер, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Вайс, “Емкостная спектроскопия системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  865–870  mathnet  elib; D. A. Kozlov, M. L. Savchenko, J. Ziegler, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, D. Weiss, “Capacitance spectroscopy of a system of gapless Dirac fermions in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 104:12 (2016), 859–863  isi  scopus 12
91. З. Д. Квон, К. -М. Дантчер, М.-Т. Шерр, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:10 (2016),  729–733  mathnet  elib; Z. D. Kvon, K. M. Dantscher, M.-T. Scherr, A. S. Yaroshevich, N. N. Mikhailov, “Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime”, JETP Letters, 104:10 (2016), 716–720  isi  scopus 6
92. М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, В. Н. Неверов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  415–423  mathnet  elib; M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, V. N. Neverov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “HgTe/CdHgTe double quantum well with a spectrum of bilayer graphene and peculiarities of its magnetotransport”, JETP Letters, 104:6 (2016), 403–410  isi  scopus 12
93. А. А. Добрецова, З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, Н. Н. Михайлов, “Подвижность дираковских электронов в HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  402–405  mathnet  elib; A. A. Dobretsova, Z. D. Kvon, L. S. Braginskii, M. V. Entin, N. N. Mikhailov, “Mobility of Dirac electrons in HgTe quantum wells”, JETP Letters, 104:6 (2016), 388–391  isi  scopus 11
94. М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  311–317  mathnet  elib; M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Weak antilocalization in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility HgTe film”, JETP Letters, 104:5 (2016), 302–308  isi  scopus 8
95. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зеемановское расщепление зоны проводимости квантовых ям HgTe с полуметаллическим спектром”, Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  241–247  mathnet  elib; G. M. Min'kov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Zeeman splitting of the conduction band of HgTe quantum wells with a semimetallic spectrum”, JETP Letters, 104:4 (2016), 241–247  isi  scopus 5
96. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 6
97. В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 7
98. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560  mathnet  elib; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538 10
99. Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936  mathnet  elib; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 2
2015
100. A. Kononov, S. V. Egorov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, E. V. Deviatov, “Evidence on the macroscopic length scale spin coherence for the edge currents in a narrow HgTe quantum well”, Письма в ЖЭТФ, 101:12 (2015),  913–918  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 101:12 (2015), 814–819  isi  elib  scopus 18
101. E. S. Tikhonov, D. V. Shovkun, V. S. Khrapai, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Shot noise of the edge transport in the inverted band HgTe quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 101:10 (2015),  787–792  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 101:10 (2015), 708–713  isi  elib  scopus 31
102. Г. М. Миньков, А. А. Шерстобитов, А. В. Германенко, О. Э. Рут, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний”, Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015),  522–526  mathnet  elib; G. M. Min'kov, A. A. Sherstobitov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Conductance of a lateral $p-n$ junction in two-dimensional HgTe structures with an inverted spectrum: The role of edge states”, JETP Letters, 101:7 (2015), 469–473  isi  elib  scopus 6
103. А. А. Добрецова, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях”, Письма в ЖЭТФ, 101:5 (2015),  360–364  mathnet  elib; A. A. Dobretsova, L. S. Braginskii, M. V. Entin, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Surface states in a HgTe quantum well and scattering by surface roughness”, JETP Letters, 101:5 (2015), 330–333  isi  elib  scopus 7
104. A. Kononov, S. V. Egorov, N. Titova, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, E. V. Deviatov, “Conductance oscillations at the interface between a superconductor and the helical edge channel in a narrow HgTe quantum well”, Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  44–49  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 101:1 (2015), 41–46  isi  elib  scopus 11
105. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682  mathnet  elib; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Exchange enhancement of the electron $g$-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1627–1633 7
106. В. В. Платонов, Ю. Б. Кудасов, И. В. Макаров, Д. А. Маслов, О. М. Сурдин, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664  mathnet  elib; V. V. Platonov, Yu. B. Kudasov, I. V. Makarov, D. A. Maslov, O. M. Surdin, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Investigation of magnetoabsorption at different temperatures in HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in pulsed magnetic fields”, Semiconductors, 49 (2015), 1611–1615 6
107. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Impurity-induced photoconductivity of narrow-gap Cadmium–Mercury–Telluride structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610 7
108. Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1593–1597  mathnet  elib; Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1545–1549 11
109. К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372 11
110. А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Энергетический спектр и транспорт в узких квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  41–46  mathnet  elib; A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Energy spectrum and transport in narrow HgTe quantum wells”, Semiconductors, 49:1 (2015), 39–43 2
2014
111. М. С. Жолудев, Ф. Теп, С. В. Морозов, М. Орлита, К. Консейон, С. Руфенах, В. Кнап, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899  mathnet  elib; M. S. Zholudev, F. Teppe, S. V. Morozov, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Anticrossing of Landau levels in HgTe/CdHgTe (013) quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 100:12 (2014), 790–794  isi  elib  scopus 32
112. Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Квантовый эффект Холла в системе бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014),  824–830  mathnet  elib; D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Quantum hall effect in a system of gapless Dirac fermions in HgTe quantum wells”, JETP Letters, 100:11 (2014), 724–730  isi  elib  scopus 18
113. З. Д. Квон, К. М. Дантшер, К. Цот, Д. А. Козлов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Д. Ганичев, “Терагерцовый электронный транспорт двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 99:5 (2014),  333–338  mathnet  elib; Z. D. Kvon, K. M. Dantscher, C. Zoth, D. A. Kozlov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. D. Ganichev, “Terahertz electron transport in a two-dimensional topological insulator in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 99:5 (2014), 290–294  isi  elib  scopus 8
114. Н. Н. Косырев, В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. В. Рыхлицкий, И. А. Яковлев, “Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ”, ЖТФ, 84:5 (2014),  109–112  mathnet  elib; N. N. Kosyrev, V. A. Shvets, N. N. Mikhailov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, S. V. Rykhlitskii, I. A. Yakovlev, “Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers”, Tech. Phys., 59:5 (2014), 736–739
115. И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, Е. И. Фицыч, М. В. Якушев, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211  mathnet  elib; I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Photoluminescence of CdHgTe solid solutions subjected to low-energy ion treatment”, Semiconductors, 48:2 (2014), 195–198 6
2013
116.