Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Алешкин Владимир Яковлевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 108
Научных статей: 108

Статистика просмотров:
Эта страница:913
Страницы публикаций:29534
Полные тексты:13837
доцент
доктор физико-математических наук
E-mail: ;

https://www.mathnet.ru/rus/person55497
Список публикаций на Google Scholar
https://orcid.org/0000-0002-4244-4748

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. А. В. Иконников, В. В. Румянцев, С. Н. Чмырь, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Особенности “вакансионной” фотопроводимости в бесщелевых и узкозонных структурах кадмий–ртуть–теллур”, Письма в ЖЭТФ, 123:9 (2026),  616–621  mathnet
2023
2. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Magnetoresistance of a HgTe/CdHgTe double quantum well in an in-plane magnetic field”, JETP Letters, 118:12 (2023), 899–904
3. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ф. Тепп, М. Орлита, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора””, Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868  mathnet; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Simultaneous observation of the cyclotron resonances of electrons and holes in a HgTe/CdHgTe double quantum well under “optical gate” effect”, JETP Letters, 118:11 (2023), 867–874 2
4. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Я. Алешкин, “Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору”, Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023),  912–918  mathnet; G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. Ya. Aleshkin, “Energy spectrum of the valence band in HgTe quantum wells on the way from a two- to three-dimensional topological insulator”, JETP Letters, 117:12 (2023), 916–922 1
5. Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, К. А. Мажукина, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, “Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437  mathnet  elib
6. В. Я. Алешкин, А. О. Рудаков, А. А. Дубинов, “Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  237–242  mathnet  elib
2022
7. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe”, Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178  mathnet  elib
8. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон”, Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, S. M. Podgornykh, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Features of magnetotransport in a $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ double quantum well with an intermediate degree of band inversion”, JETP Letters, 116:6 (2022), 385–393 1
9. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065  mathnet  elib
10. Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, Е. Е. Морозова, Д. В. Юрасов, В. Я. Алешкин, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, “Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960  mathnet  elib
2021
11. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  973–977  mathnet  elib
12. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, “Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  869–871  mathnet  elib; A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, “Model of a terahertz quantum-cascade laser based on a two-dimensional plasmon”, Semiconductors, 55:11 (2021), 828–830 2
13. С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54  mathnet  elib; S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 2
14. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163  isi  scopus] 2
2020
15. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, М. С. Жолудев, С. Руффенах, К. Консежо, Ф. Тепп, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. Потемски, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, M. S. Zholudev, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. Potemski, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Effects of the electron–electron interaction in the magneto-absorption spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 112:8 (2020), 508–512  isi  scopus 3
16. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 3
17. Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168  mathnet  elib; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
18. В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932  mathnet  elib; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 2
19. К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов, “Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, V. Parshin, E. A. Serov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, A. P. Fokin, S. S. Morozov, V. Ya. Aleshkin, M. Yu. Glyavin, G. G. Denisov, S. V. Morozov, “Investigation into microwave absorption in semiconductors for frequency-multiplication devices and radiation-output control of continuous and pulsed gyrotrons”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074 4
2019
20. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, М. Орлита, М. Потемски, Б. Пио, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, M. Orlita, M. Potemski, B. A. Piot, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields”, JETP Letters, 109:3 (2019), 191–197  isi  scopus 2
21. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 4
22. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 6
23. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Generation of THz radiation at a difference frequency in a HgCdTe-based laser”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 689–692  isi  scopus] 1
24. М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus] 2
2018
25. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334  isi  scopus 7
26. И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463  mathnet  elib; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 1
27. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
28. К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
29. Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279  mathnet  elib; L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 7
30. В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 7
31. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1100–1103  mathnet  elib; A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Lowering the lasing threshold by doping in mid-infrared lasers based on HgCdTe with HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1221–1224 3
32. V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441
33. В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
34. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus] 1
2017
35. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570
36. А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 11
37. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
38. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
39. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1498–1502  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “On the cascade capture of electrons at charged dipoles in weakly compensated semiconductors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1444–1448 2
40. Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413  mathnet  elib; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 1
41. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 6
2016
42. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695
43. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560  mathnet  elib; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538 10
44. Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, Д. А. Колпаков, А. В. Ершов, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512  mathnet  elib; N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492
45. А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
46. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
47. А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23  mathnet  elib; A. A. Lastovkin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Variation of the emission frequency of a terahertz quantum cascade laser”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 230–233 1
2015
48. И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин, “Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622  mathnet  elib; I. V. Samartsev, V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, D. A. Kolpakov, S. M. Nekorkin, “Optimization of InGaP/GaAs/InGaAs heterolasers with tunnel-coupled waveguides”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574 1
49. Д. А. Колпаков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491  mathnet  elib; D. A. Kolpakov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “On a semiconductor laser with a $p$–$n$ tunnel junction with radiation emission through the substrate”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442 1
50. В. Я. Алешкин, “Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1233–1237  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, “On the cascade capture of electrons at donors in GaAs quantum wells”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1197–1201
51. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, “Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, “An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells”, Semiconductors, 49:2 (2015), 170–173
52. В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, “Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  117–121  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, “Observation of dynamics of impurity photoconductivity in $n$-GaAs caused by electron cooling”, Semiconductors, 49:1 (2015), 113–117 3
53. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 648–650 2
54. В. Я. Алёшкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, “Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, “Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 304–306
55. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus] 1
2014
56. В. Я. Алешкин, Д. И. Бурдейный, “Временна́я динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP”, Физика твердого тела, 56:5 (2014),  883–887  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, D. I. Burdeiny, “Temporal dynamics of impurity photoconductivity in $n$-GaAs and $n$-InP”, Phys. Solid State, 56:5 (2014), 917–921 2
57. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
58. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах”, Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014),  824–826  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “Near-field effect in the absorption spectrum of impurities in crystals”, JETP Letters, 99:12 (2014), 712–714  isi  elib  scopus
59. К. В. Маремьянин, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, Ю. Г. Садофьев, “Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, Yu. G. Sadof'ev, “Investigation of GaAs/AlGaAs quantum cascade structures by optical methods based on hot luminescence in the near-infrared range”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1463–1466
60. А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  94–99  mathnet  elib; A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Efficiency of vertical emission from a semiconductor laser waveguide with a diffraction grating”, Semiconductors, 48:1 (2014), 89–94 3
61. С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, “Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку”, Письма в ЖТФ, 40:10 (2014),  52–57  mathnet  elib; S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, “Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 432–434 2
62. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus] 2
2013
63. С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, О. И. Вихрова, “Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1517–1520  mathnet  elib; S. V. Morozov, D. I. Kryzhkov, V. Ya. Aleshkin, B. N. Zvonkov, O. I. Vikhrova, “Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum wells emitting in the range of 1.0–1.2 $\mu$m”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1504–1507
64. В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. В. Дикарёва, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Морозов, С. М. Некоркин, “Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Afonenko, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. V. Morozov, S. M. Nekorkin, “Waveguide effect of GaAsSb quantum wells in a laser structure based on GaAs”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1475–1477 7
65. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, А. А. Тонких, А. Н. Яблонский, P. Werner, “Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Tonkikh, A. N. Yablonskii, P. Werner, “Structural and optical properties of GaAs-based heterostructures with Ge and Ge/InGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:5 (2013), 636–640 3
66. В. Я. Алешкин, Д. И. Бурдейный, “Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/$n$-GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  466–472  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, D. I. Burdeiny, “Resonance Coulomb scattering at shallow donors in AlGaAs/$n$-GaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:4 (2013), 487–493
67. Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, “Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям”, Квантовая электроника, 43:11 (2013),  999–1002  mathnet  elib [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin, “Efficiency of GaInAs/GaAs quantum-well lasers upon inhomogeneous excitation of quantum wells”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 999–1002  isi  scopus] 6
68. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus] 6
2012
69. С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392  mathnet  elib; S. V. Morozov, M. S. Zholudev, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366 35
70. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Л. В. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, “Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kuritsyn, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, “Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure”, Semiconductors, 46:7 (2012), 917–920 5
71. С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus] 9
2011
72. В. Я. Алёшкин, А. В. Антонов, М. С. Жолудев, В. Ю. Паневин, Л. Е. Воробьёв, Д. А. Фирсов, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, “Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами”, Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, M. S. Zholudev, V. Yu. Panevin, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, “Polarization dependence of Fano resonances in impurity photoconductivity of quantum wells doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 53:6 (2011), 1253–1262
73. В. Я. Алёшкин, Д. И. Бурдейный, М. С. Жолудев, “Теория резонанса Фано в спектрах примесного возбуждения $p$-GaAs”, Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1112–1120  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, D. I. Burdeiny, M. S. Zholudev, “Theory of the Fano resonance in impurity excitation spectra of $p$-GaAs”, Phys. Solid State, 53:6 (2011), 1176–1185 1
74. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus 2
75. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441  mathnet; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus
76. А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, М. Н. Колесников, Т. С. Бабушкина, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям”, ЖТФ, 81:7 (2011),  149–151  mathnet  elib; A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, M. N. Kolesnikov, T. S. Babushkina, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Anomalous characteristics of lasers with a large number of quantum wells”, Tech. Phys., 56:7 (2011), 1049–1052 3
77. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, “Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, S. M. Nekorkin, “Simultaneous TE$_1$ and TE$_2$ mode lasing yielding dual-wavelength oscillation in a semiconductor laser with a tunnel junction”, Semiconductors, 45:5 (2011), 641–645 3
2010
78. А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761  isi  elib  scopus 29
79. Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446  mathnet  elib; D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, G. A. Melentev, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, V. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, “Terahertz emission and photoconductivity in $n$-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397 14
80. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857  isi  scopus] 7
2009
81. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, “Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  70–74  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 89:2 (2009), 63–67  isi  scopus 50
82. В. Я. Алешкин, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, “Одновременная генерация $TE_0$- и $TE_1$-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде”, ЖТФ, 79:11 (2009),  150–152  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, “Simultaneous generation of $TE_0$- and $TE_1$ modes with different wavelengths in a semiconducting laser diode”, Tech. Phys., 54:11 (2009), 1711–1713
83. Б. Н. Звонков, А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, “Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  220–223  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, “Difference-frequency generation in a butt-join diode laser”, Semiconductors, 43:2 (2009), 208–211 4
84. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  727–730  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Intracavity terahertz difference-frequency generation in an InGaAs-quantum-well two-frequency InGaAsP/InP laser”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 727–730  isi  scopus] 4
2008
85. В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков, “Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами”, Физика твердого тела, 50:7 (2008),  1162–1165  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, L. V. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, “Fano resonance in the impurity photoconductivity spectrum of InP doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 50:7 (2008), 1211–1214 3
86. В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus 11
87. В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200  isi  scopus 1
88. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, М. А. Одноблюдов, И. Н. Яссиевич, “Примесные резонансные состояния в полупроводниках. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 42:8 (2008),  899–922  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, “Impurity resonance states in semiconductors”, Semiconductors, 42:8 (2008), 880–904 14
89. В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  846–851  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 828–833 35
90. А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский, “Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  361–364  mathnet  elib; A. A. Biryukov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovskii, “Efficient generation of the first waveguide mode in the InGaAs/GaAs/InGaP heterolaser”, Semiconductors, 42:3 (2008), 354–357 1
91. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  855–858  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide on a germanium substrate”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 855–858  isi  scopus] 1
92. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  149–153  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in mid- and far-IR ranges by using subpicosecond and picosecond semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 149–153  isi  scopus] 3
2007
93. В. Я. Алешкин, Н. В. Закревский, “Оптическая ширина запрещенной зоны GaAs в мегагауссных магнитных полях”, Физика твердого тела, 49:4 (2007),  602–612  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Zakrevskii, “Optical band gap width in GaAs in megagauss magnetic fields”, Phys. Solid State, 49:4 (2007), 634–645 1
2006
94. В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия”, ЖТФ, 76:9 (2006),  98–100  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, “Oscillations at a difference frequency in the middle and far infrareds in GaP semiconductor waveguides”, Tech. Phys., 51:9 (2006), 1207–1209 2
1992
95. И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина, “Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893  mathnet
96. В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Е. Р. Демидова, Б. Н. Звонков, И. А. Карпович, И. Г. Малкина, “Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1848–1849  mathnet
97. В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, Т. С. Кунцевич, И. Г. Малкина, Т. Н. Янькова, “Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  516–521  mathnet
98. В. Я. Алешкин, А. А. Костин, Ю. А. Романов, “Температурная зависимость энергии связи экситонов Ваннье$-$Мотта в квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  318–323  mathnet
1991
99. В. Я. Алешкин, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, А. В. Мурель, Ю. А. Романов, “Исследование квантовых ям $C{-}V$-методом”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1047–1052  mathnet
1990
100. И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина, “Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2172–2176  mathnet
101. В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина, “Фотолюминесценция квантовых слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  892–896  mathnet
102. В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов, “Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  131–135  mathnet
1988
103. В. Я. Алешкин, Е. П. Додин, В. А. Козлов, И. М. Нефедов, Ю. А. Романов, “Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1910–1914  mathnet
1986
104. В. Я. Алешкин, В. А. Козлов, Ю. А. Романов, “Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1733–1736  mathnet
105. В. Я. Алешкин, А. М. Белянцев, Ю. А. Романов, “Инверсия населенностей зон в тонких полупроводниковых слоях, создаваемая переменным электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1582–1587  mathnet
106. В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов, “Динамика дырок в полупроводниках со структурой алмаза в постоянном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  281–286  mathnet
1984
107. В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов, “Туннельная проводимость тонких полупроводниковых пленок”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2182–2186  mathnet
108. В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов, “Нелинейная электропроводность монополярных полупроводниковых пленок с анизотропной подвижностью”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  197–199  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026