|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. В. Иконников, В. В. Румянцев, С. Н. Чмырь, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Особенности “вакансионной” фотопроводимости в бесщелевых и узкозонных структурах кадмий–ртуть–теллур”, Письма в ЖЭТФ, 123:9 (2026), 616–621 |
| 2. |
В. Л. Вакс, В. А. Анфертьев, Е. Г. Домрачева, В. И. Гавриленко, М. Б. Черняева, “Возможность применения квантово-каскадных лазеров для терагерцевой абсорбционной спектроскопии образцов биологического происхождения”, Письма в ЖТФ, 52:8 (2026), 3–7 |
| 3. |
Д. И. Курицын, С. В. Морозов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, Р. А. Хабибуллин, Г. С. Соколовский, “Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026), 44–47 |
| 4. |
В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, К. А. Мажукина, А. А. Янцер, В. И. Гавриленко, С. А. Краев, Е. А. Архипова, А. В. Окомельков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке”, Письма в ЖТФ, 52:5 (2026), 9–13 |
|
2025 |
| 5. |
Е. Н. Кирьянова, В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, В. Р. Барышев, А. А. Янцер, К. А. Мажукина, М. А. Фадеев, Н. С. Гинзбург, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней”, Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 608–613 |
| 6. |
Р. Х. Жукавин, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, Д. А. Постнов, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, В. И. Гавриленко, “Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 433–438 |
| 7. |
В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, А. В. Антонов, К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Дюделев, Е. Д. Черотченко, А. В. Бабичев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 13–15 |
| 8. |
А. А. Разова, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, В. А. Вербус, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 7–10 |
|
2024 |
| 9. |
В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, А. А. Янцер, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, Р. Х. Жукавин, “Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 196–201 |
| 10. |
Д. И. Курицын, А. В. Антонов, С. В. Морозов, В. А. Анфертьев, М. Б. Черняева, В. Л. Вакс, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, В. И. Гавриленко, “Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 23–27 |
|
2023 |
| 11. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ф. Тепп, М. Орлита, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора””, Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023), 860–868 ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Simultaneous observation of the cyclotron resonances of electrons and holes in a HgTe/CdHgTe double quantum well under “optical gate” effect”, JETP Letters, 118:11 (2023), 867–874 |
2
|
| 12. |
К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 311–316 ; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 |
4
|
| 13. |
Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, К. А. Мажукина, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, “Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 432–437 |
| 14. |
М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 421–425 |
|
2022 |
| 15. |
В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe”, Физика твердого тела, 64:2 (2022), 173–178 |
| 16. |
А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Б. А. Пио, М. Потемски, М. Орлита, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 535–543 ; A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, B. A. Piot, M. Potemski, M. Orlita, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Origin of structure inversion asymmetry in double HgTe quantum wells”, JETP Letters, 116:8 (2022), 547–555 |
5
|
| 17. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1060–1065 |
| 18. |
Д. А. Белов, А. В. Иконников, С. С. Пушкарев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. Р. Хохлов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. А. Хабибуллин, “Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 705–710 |
| 19. |
В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478 |
| 20. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. И. Данилов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Зайцев, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, С. С. Пушкарев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 16–19 |
|
2021 |
| 21. |
Д. В. Козлов, Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, А. А. Разова, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe”, Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021), 399–405 ; D. V. Kozlov, T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Photothermal ionization spectroscopy of mercury vacancies in HgCdTe epitaxial films”, JETP Letters, 113:6 (2021), 402–408 |
6
|
| 22. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994 |
1
|
| 23. |
В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 922–926 ; V. V. Utochkin, A. A. Dubinov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Effect of internal optical losses on the generation of mid-IR stimulated emission in waveguide heterostructures with HgCdTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902 |
1
|
| 24. |
В. В. Румянцев, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, С. С. Морозов, А. А. Богдашов, В. В. Паршин, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 855–860 |
| 25. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, А. А. Разова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 813–817 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, A. A. Razova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Yu. Glyavin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of terahertz radiation in InP : Fe crystals due to second-order lattice nonlinearity”, Semiconductors, 55:10 (2021), 785–789 |
| 26. |
С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 51–54 ; S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 |
2
|
| 27. |
А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 158–163 [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163 ] |
2
|
|
2020 |
| 28. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, М. С. Жолудев, С. Руффенах, К. Консежо, Ф. Тепп, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. Потемски, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020), 541–546 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, M. S. Zholudev, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. Potemski, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Effects of the electron–electron interaction in the magneto-absorption spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 112:8 (2020), 508–512 |
3
|
| 29. |
И. Д. Николаев, Т. А. Уаман Светикова, В. В. Румянцев, М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020), 682–688 ; I. D. Nikolaev, T. A. Uaman Svetikova, V. V. Rumyantsev, M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Probing states of a double acceptor in СdHgTe heterostructures via optical gating”, JETP Letters, 111:10 (2020), 575–581 |
7
|
| 30. |
В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1169–1173 ; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 |
3
|
| 31. |
Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1163–1168 ; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370 |
| 32. |
В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932 ; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 |
2
|
| 33. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 906–912 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. A. Razova, S. M. Sergeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Investigation of the photosensitivity of narrow-gap and gapless HgCdTe solid solutions in the terahertz and sub-terahertz range”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1096–1102 |
2
|
| 34. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 902–905 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 |
6
|
| 35. |
М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, Н. С. Куликов, А. А. Разова, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 695–699 ; M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, N. S. Kulikov, A. A. Razova, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Calculation of wave functions of resonant acceptor states in narrow-gap CdHgTe compounds”, Semiconductors, 54:8 (2020), 827–831 |
4
|
|
2019 |
| 36. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.- В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов, “Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, N. S. Kulikov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, H. W. Hubers, F. Teppe, S. V. Morozov, “Features of photoluminescence of double acceptors in HgTe/CdHgTe heterostructures with quantum wells in a terahertz range”, JETP Letters, 109:10 (2019), 657–662 |
10
|
| 37. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, М. Орлита, М. Потемски, Б. Пио, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 184–190 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, M. Orlita, M. Potemski, B. A. Piot, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields”, JETP Letters, 109:3 (2019), 191–197 |
2
|
| 38. |
С. С. Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада, К. Консежо, В. Десра, Б. Жуо, В. Кнап, М. А. Фадеев, А. М. Кадыков, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Г. Буасье, Э. Турнье, В. И. Гавриленко, Ф. Тепп, “Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97 ; S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, G. Boissier, E. Tournié, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Terahertz spectroscopy of two-dimensional semimetal in three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well”, JETP Letters, 109:2 (2019), 96–101 |
7
|
| 39. |
К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1401–1404 ; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Residual-photoconductivity spectra in HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1363–1366 |
5
|
| 40. |
Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1297–1302 ; T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, V. I. Chernichkin, A. V. Galeeva, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Evolution of the impurity photoconductivity in CdHgTe epitaxial films with temperature”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271 |
2
|
| 41. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, М. Ю. Глявин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1244–1249 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. Yu. Glyavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Second-harmonic generation of subterahertz gyrotron radiation by frequency doubling in InP : Fe and its application for magnetospectroscopy of semiconductor structures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1217–1221 |
8
|
| 42. |
В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1178–1181 ; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 |
4
|
| 43. |
Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, О. Ю. Волков, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 913–918 [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, O. Yu. Volkov, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “Balance-equation method for simulating terahertz quantum-cascade lasers using a wave-function basis with reduced dipole moments of tunnel-coupled states”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 913–918 ] |
19
|
| 44. |
М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558 [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558 ] |
2
|
|
2018 |
| 45. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018), 352–358 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334 |
7
|
| 46. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1486–1490 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on a PbSnSe solid solution with an emission wavelength up to 50 $\mu$m and their application in the magnetospectroscopy of semiconductors”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1590–1594 |
19
|
| 47. |
К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1482–1485 ; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589 |
11
|
| 48. |
Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1274–1279 ; L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 |
7
|
| 49. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. С. Васильевский, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, О. Ю. Волков, В. В. Павловский, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, “Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1268–1273 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, I. S. Vasil'evskii, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, O. Yu. Volkov, V. V. Pavlovskiy, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, “Temperature dependences of the threshold current and output power of a quantum-cascade laser emitting at 3.3 THz”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1380–1385 |
15
|
| 50. |
В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267 ; V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 |
7
|
| 51. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko, “Calculation of multiply charged states of impurity-defect centers in epitaxial Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te layers”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374 |
4
|
| 52. |
V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 464 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441 |
| 53. |
Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, И. С. Васильевский, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1005–1008 [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, I. S. Vasil'evskii, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “Mode loss spectra in THz quantum-cascade lasers with gold- and silver-based double metal waveguides”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 1005–1008 ] |
20
|
|
2017 |
| 54. |
С. Руффенах, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, М. Марцинкевич, К. Консежо, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. Кнап, Ф. Гонзалез-Посада, Г. Буасье, Э. Турнье, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017), 696–701 ; S. Ruffenach, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, M. Marcinkiewicz, C. Consejo, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, W. Knap, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, E. Tournié, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs “Three-Layer” gapless quantum wells”, JETP Letters, 106:11 (2017), 727–732 |
8
|
| 55. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1621–1629 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570 |
| 56. |
В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620 ; V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561 |
7
|
| 57. |
А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593 ; A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 |
11
|
| 58. |
С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44 ; S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, L. S. Bovkun, K. E. Spirin, A. M. Kadykov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42 |
6
|
| 59. |
А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 86–94 ; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 |
24
|
|
2016 |
| 60. |
К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1697–1700 ; K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1669–1672 |
9
|
| 61. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 |
6
|
| 62. |
В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684 ; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 |
7
|
| 63. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1554–1560 ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538 |
10
|
| 64. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 |
2
|
| 65. |
А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016), 15–23 ; A. A. Lastovkin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Variation of the emission frequency of a terahertz quantum cascade laser”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 230–233 |
1
|
|
2015 |
| 66. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1676–1682 ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Exchange enhancement of the electron $g$-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1627–1633 |
7
|
| 67. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Л. С. Бовкун, К. Р. Умбеталиева, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1672–1675 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, L. S. Bovkun, K. R. Umbetalieva, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Long-wavelength injection lasers based on Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se alloys and their use in solid-state spectroscopy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1623–1626 |
18
|
| 68. |
К. Е. Спирин, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, О. Драченко, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1665–1671 ; K. E. Spirin, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, O. Drachenko, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance in InAs/AlSb quantum wells in magnetic fields up to 45 T”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1616–1622 |
| 69. |
В. В. Платонов, Ю. Б. Кудасов, И. В. Макаров, Д. А. Маслов, О. М. Сурдин, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1660–1664 ; V. V. Platonov, Yu. B. Kudasov, I. V. Makarov, D. A. Maslov, O. M. Surdin, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Investigation of magnetoabsorption at different temperatures in HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in pulsed magnetic fields”, Semiconductors, 49 (2015), 1611–1615 |
6
|
| 70. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1654–1659 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Impurity-induced photoconductivity of narrow-gap Cadmium–Mercury–Telluride structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610 |
7
|
| 71. |
С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. П. Калинин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 196–203 ; S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. P. Kalinin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Exchange enhancement of the electron $g$ factor in strained InGaAs/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 191–198 |
7
|
| 72. |
Д. В. Козлов, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, “Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 192–195 ; D. V. Kozlov, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, “Effect of the direct capture of holes with the emission of optical phonons on impurity-photoconductivity relaxation in $p$-Si:B”, Semiconductors, 49:2 (2015), 187–190 |
4
|
|
2014 |
| 73. |
М. С. Жолудев, Ф. Теп, С. В. Морозов, М. Орлита, К. Консейон, С. Руфенах, В. Кнап, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013)
с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 895–899 ; M. S. Zholudev, F. Teppe, S. V. Morozov, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Anticrossing of Landau levels in HgTe/CdHgTe (013) quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 100:12 (2014), 790–794 |
32
|
|
2013 |
| 74. |
А. В. Иконников, М. С. Жолудев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1569–1574 ; A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Magnetoabsorption in narrow-gap HgCdTe epitaxial layers in the terahertz range”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1545–1550 |
10
|
| 75. |
К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1497–1503 ; K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1485–1491 |
7
|
| 76. |
С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1472–1475 ; S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Relaxation kinetics of impurity photoconductivity in $p$-Si:B with various levels of doping and degrees of compensation in high electric fields”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1461–1464 |
3
|
| 77. |
В. В. Румянцев, А. В. Иконников, А. В. Антонов, С. В. Морозов, М. С. Жолудев, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1446–1450 ; V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, S. V. Morozov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1438–1441 |
19
|
|
2012 |
| 78. |
А. В. Иконников, М. С. Жолудев, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе
HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 452–456 ; A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Cyclotron resonance in HgTe/CdTe(013) narrowband heterostructures in quantized magnetic fields”, JETP Letters, 95:8 (2012), 406–410 |
14
|
| 79. |
Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1440–1443 ; D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Diagnostics of quantum cascade structures by optical methods in the near infrared region”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1411–1414 |
2
|
| 80. |
К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1424–1429 ; K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1396–1401 |
20
|
| 81. |
В. В. Румянцев, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1414–1418 ; V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Features of impurity-photoconductivity relaxation in boron-doped silicon”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1387–1391 |
13
|
| 82. |
С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. И. Гавриленко, А. Н. Яблонский, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, Ю. Г. Садофьев, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, “Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1402–1407 ; S. V. Morozov, D. I. Kryzhkov, V. I. Gavrilenko, A. N. Yablonskii, D. I. Kuritsyn, D. M. Gaponova, Yu. G. Sadof'ev, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, “Determination of the heterojunction type in structures with GaAsSb/GaAs quantum wells with various antimony fractions by optical methods”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1376–1380 |
4
|
| 83. |
С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1388–1392 ; S. V. Morozov, M. S. Zholudev, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366 |
35
|
| 84. |
С. С. Криштопенко, К. П. Калинин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, M. Goiran, “Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1186–1193 ; S. S. Krishtopenko, K. P. Kalinin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, M. Goiran, “Rashba spin splitting and exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1163–1170 |
20
|
| 85. |
Д. Г. Павельев, Ю. И. Кошуринов, А. С. Иванов, А. Н. Панин, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 125–129 ; D. G. Pavel'ev, Yu. I. Koschurinov, A. S. Ivanov, A. N. Panin, V. L. Vaks, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Experimental study of frequency multipliers based on a GaAs/AlAs semiconductor superlattices in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 46:1 (2012), 121–125 |
47
|
|
2011 |
| 86. |
В. И. Гавриленко, С. С. Криштопенко, M. Goiran, “Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 111–119 ; V. I. Gavrilenko, S. S. Krishtopenko, M. Goiran, “Electron-electron interaction and spin-orbit coupling in InAs/AlSb heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 45:1 (2011), 110–117 |
19
|
|
2010 |
| 87. |
А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010), 837–841 ; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761 |
29
|
| 88. |
К. Е. Спирин, А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010), 65–68 ; K. E. Spirin, A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Spin splitting in HgTe/CdHgTe (013) quantum well heterostructures”, JETP Letters, 92:1 (2010), 63–66 |
24
|
| 89. |
А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, О. Драченко, H. Schneider, M. Helm, “Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1539–1542 ; A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, O. Drachenko, H. Schneider, M. Helm, “The cyclotron resonance of holes in InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells in quantizing magnetic fields”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1492–1494 |
7
|
| 90. |
С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1523–1526 ; S. V. Morozov, K. V. Marem'yanin, I. V. Erofeeva, A. N. Yablonskii, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, “Kinetics of terahertz photoconductivity in $p$-Ge under impurity breakdown conditions”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479 |
10
|
| 91. |
А. В. Иконников, А. В. Антонов, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1514–1518 |
3
|
| 92. |
Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446 ; D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, G. A. Melentev, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, V. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, “Terahertz emission and photoconductivity in $n$-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397 |
14
|
| 93. |
В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 642–648 ; V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, A. A. Lastovkin, K. V. Marem'yanin, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 44:5 (2010), 616–622 |
24
|
| 94. |
Ю. Г. Садофьев, N. Samal, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 422–429 ; Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “GaAsSb/GaAs strained structures with quantum wells for lasers with emission wavelength near 1.3 $\mu$m”, Semiconductors, 44:3 (2010), 405–412 |
31
|
| 95. |
К. В. Маремьянин, Д. М. Ермолаев, Д. В. Фатеев, С. В. Морозов, Н. А. Малеев, В. Е. Земляков, В. И. Гавриленко, В. В. Попов, С. Ю. Шаповал, “Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади”, Письма в ЖТФ, 36:8 (2010), 39–47 ; K. V. Marem'yanin, D. M. Ermolaev, D. V. Fateev, S. V. Morozov, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, V. V. Popov, S. Yu. Shapoval, “Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate”, Tech. Phys. Lett., 36:4 (2010), 365–368 |
10
|
|
2009 |
| 96. |
А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, F. Teppe, W. Knap, “Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009), 552–555 ; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, F. Teppe, W. Knap, “Resonance detection of terahertz radiation in submicrometer field-effect GaAs/AlGaAs transistors with two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 43:4 (2009), 528–531 |
3
|
| 97. |
А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, С. В. Морозов, К. Е. Спирин, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009), 235–239 ; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. I. Kuritsyn, S. V. Morozov, K. E. Spirin, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Evolution of the photoresponse time of the GaAs/AlGaAs cyclotron resonance quantum Hall effect detector”, Semiconductors, 43:2 (2009), 223–227 |
| 98. |
Б. Н. Звонков, А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, “Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009), 220–223 ; B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, “Difference-frequency generation in a butt-join diode laser”, Semiconductors, 43:2 (2009), 208–211 |
4
|
|
2008 |
| 99. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков, “Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами”, Физика твердого тела, 50:7 (2008), 1162–1165 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, L. V. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, “Fano resonance in the impurity photoconductivity spectrum of InP doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 50:7 (2008), 1211–1214 |
3
|
| 100. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008), 229–233 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200 |
1
|
| 101. |
В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008), 846–851 ; V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 828–833 |
35
|
|
1991 |
| 102. |
В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих
дырок кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1315–1323 |
| 103. |
В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно
деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 718–722 |
|
1990 |
| 104. |
В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов., “Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами
при ${H}\not\parallel[001]$”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 825–828 |
|
1989 |
| 105. |
В. И. Гавриленко, А. Л. Коротков, В. Я. Косыев, А. В. Кочемасов, И. Л. Максимов, М. Д. Стриковский, “Вольт-амперная характеристика и тепловая неустойчивость резистивного
состояния сверхпроводящих пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 83–86 |
|
1988 |
| 106. |
В. И. Гавриленко, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, В. Е. Стрельницкий, “Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1302–1303 |
| 107. |
В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, М. Д. Чернобровцева, “Циклотронный резонанс горячих дырок германия”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1233–1238 |
| 108. |
Р. И. Баширов, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, А. М. Мусаев, В. В. Никоноров, С. Ю. Потапенко, М. Д. Чернобровцева, “Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно
деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 479–484 |
|
1987 |
| 109. |
В. И. Гавриленко, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, В. Г. Падалка, В. Е. Стрельницкий, “Особенности электронной структуры углеродных конденсатов”, Физика твердого тела, 29:11 (1987), 3449–3451 |
| 110. |
В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, М. Д. Чернобровцева, “Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 484–488 |
| 111. |
А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Л. М. Кукин, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, В. В. Паршин, Д. Г. Ревин, “Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987), 634–637 |
|
1985 |
| 112. |
Л. В. Берман, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, А. П. Чеботарев, “Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне
длин волн”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 369–377 |
|
1984 |
| 113. |
И. П. Акимченко, Ю. В. Бармин, В. С. Вавилов, В. И. Гавриленко, И. В. Золотухин, В. Г. Литовченко, “Оптические свойства и структура пленок $a$-Si,
свободных
от подложки”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2138–2141 |
| 114. |
В. И. Гавриленко, В. А. Зуев, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, В. Г. Федотов, “Электроотражение кристаллов ZnP$_{2}$ моноклинной
сингонии”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1712–1714 |
| 115. |
В. И. Гавриленко, И. С. Горбань, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, А. С. Скирда, “Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной
областях спектра”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1269–1271 |
|
1983 |
| 116. |
В. И. Гавриленко, А. М. Грехов, Г. А. Катрич, В. В. Климов, В. Г. Литовченко, “Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1642–1647 |
|
1982 |
| 117. |
А. А. Андронов, В. И. Гавриленко, О. Ф. Гришин, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Стоклицкий, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению”, Докл. АН СССР, 267:2 (1982), 339–343 |
|
1977 |
| 118. |
В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин, “Магнетоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях в германии на субмиллиметровых
волнах круговой поляризации”, Докл. АН СССР, 232:4 (1977), 802–805 |
|
|
|
2018 |
| 119. |
А. В. Гапонов, Г. Г. Денисов, А. Г. Забродский, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, Н. Н. Салащенко, А. М. Сергеев, Р. А. Сурис, Е. А. Хазанов, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, В. В. Курин, А. А. Фраерман, Н. И. Чхало, В. И. Шашкин, “Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 285–286 |
| 120. |
В. И. Гавриленко, С. В. Гапонов, Г. Г. Денисов, А. В. Латышев, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, Н. Н. Салащенко, А. М. Сергеев, Р. А. Сурис, О. В. Руденко, Е. А. Хазанов, Н. И. Чхало, “Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 188:1 (2018), 119–120 ; V. I. Gavrilenko, S. V. Gaponov, G. G. Denisov, A. V. Latyshev, A. G. Litvak, E. A. Mareev, N. N. Salashchenko, A. M. Sergeev, R. A. Suris, O. V. Rudenko, E. A. Khazanov, N. I. Chkhalo, “Zakharii Fishelevich Krasilnik (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 61:1 (2018), 111–112 |
|