|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. А. Бекин, Д. В. Козлов, “Многофононный захват электронов на состояния вакансий ртути в “широкозонных” слоях HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025), 458–465  |
|
2023 |
| 2. |
Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, К. А. Мажукина, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, “Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 432–437  |
| 3. |
М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 421–425 |
|
2022 |
| 4. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1060–1065 |
| 5. |
В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478 |
| 6. |
Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, S. Pavlov, H.-W. Hübers, С. В. Морозов, “Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 465–471 |
|
2021 |
| 7. |
Д. В. Козлов, Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, А. А. Разова, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe”, Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021), 399–405 ; D. V. Kozlov, T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Photothermal ionization spectroscopy of mercury vacancies in HgCdTe epitaxial films”, JETP Letters, 113:6 (2021), 402–408   |
6
|
|
2020 |
| 8. |
И. Д. Николаев, Т. А. Уаман Светикова, В. В. Румянцев, М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020), 682–688 ; I. D. Nikolaev, T. A. Uaman Svetikova, V. V. Rumyantsev, M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Probing states of a double acceptor in СdHgTe heterostructures via optical gating”, JETP Letters, 111:10 (2020), 575–581 |
7
|
|
2019 |
| 9. |
Н. А. Бунаков, Д. В. Козлов, В. Н. Голованов, М. С. Ефимов, И. С. Белобров, А. А. Адамович, Д. Е. Сугак, “Микроструктурные особенности композиционного материала «алюминий - многостенные углеродные нанотрубки» после искро-плазменного спекания”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2019, № 3, 120–130 |
2
|
| 10. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.- В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов, “Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, N. S. Kulikov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, H. W. Hubers, F. Teppe, S. V. Morozov, “Features of photoluminescence of double acceptors in HgTe/CdHgTe heterostructures with quantum wells in a terahertz range”, JETP Letters, 109:10 (2019), 657–662 |
10
|
| 11. |
Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1297–1302 ; T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, V. I. Chernichkin, A. V. Galeeva, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Evolution of the impurity photoconductivity in CdHgTe epitaxial films with temperature”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271 |
2
|
| 12. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1224–1228 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Spectra of double acceptors in layers of barriers and quantum wells of HgTe/СdHgTe heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1198–1202 |
1
|
|
2018 |
| 13. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko, “Calculation of multiply charged states of impurity-defect centers in epitaxial Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te layers”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374 |
4
|
|
2016 |
| 14. |
Н. А. Бунаков, Д. В. Козлов, В. Н. Голованов, Е. С. Климов, М. С. Ефимов, “Композиционный материал на основе алюминия с добавлением многостенных углеродных нанотрубок: получение, структура, свойства”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2016, № 2, 134–146 |
4
|
| 15. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 |
6
|
| 16. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462 |
|
2015 |
| 17. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1654–1659 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Impurity-induced photoconductivity of narrow-gap Cadmium–Mercury–Telluride structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610 |
7
|
| 18. |
Д. В. Козлов, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, “Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 192–195 ; D. V. Kozlov, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, “Effect of the direct capture of holes with the emission of optical phonons on impurity-photoconductivity relaxation in $p$-Si:B”, Semiconductors, 49:2 (2015), 187–190 |
4
|
| 19. |
Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, И. С. Махов, Д. В. Козлов, А. П. Васильев, “Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 30–34 ; D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. Yu. Panevin, A. N. Sofronov, R. M. Balagula, I. S. Makhov, D. V. Kozlov, A. P. Vasil'ev, “Terahertz radiation associated with the impurity electron transition in quantum wells upon optical and electrical pumping”, Semiconductors, 49:1 (2015), 28–32 |
19
|
|
2013 |
| 20. |
С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1472–1475 ; S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Relaxation kinetics of impurity photoconductivity in $p$-Si:B with various levels of doping and degrees of compensation in high electric fields”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1461–1464 |
3
|
|
2012 |
| 21. |
В. В. Румянцев, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1414–1418 ; V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Features of impurity-photoconductivity relaxation in boron-doped silicon”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1387–1391 |
13
|
|
2010 |
| 22. |
М. Ю. Тихончев, В. В. Светухин, В. Н. Голованов, Д. В. Козлов, “Моделирование процессов первичной радиационной повреждаемости сплава Fe-1.8ат.%Ni методом молекулярной динамики”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3, 143–155 |
1
|
| 23. |
А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, О. Драченко, H. Schneider, M. Helm, “Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1539–1542 ; A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, O. Drachenko, H. Schneider, M. Helm, “The cyclotron resonance of holes in InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells in quantizing magnetic fields”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1492–1494 |
7
|
|
2008 |
| 24. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008), 229–233 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200 |
1
|
|
2007 |
| 25. |
Д. В. Козлов, “Оптические переходы между состояниями акцепторов в одноосно сжатом германии”, Письма в ЖЭТФ, 85:4 (2007), 247–250 ; D. V. Kozlov, “Optical transitions between acceptor states in uniaxially compressed germanium”, JETP Letters, 85:4 (2007), 208–211 |
6
|
|
Обратная связь: