|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. Н. Большаков, А. В. Антонов, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Верхнее критическое поле тонких эпитаксиальных пленок YBCO с радиационными дефектами в области низких температур”, Физика твердого тела, 68:7 (2026), 1025–1032  |
| 2. |
Р. Х. Жукавин, Р. А. Хабибуллин, Т. А. Багаев, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. В. Иконников, Д. И. Курицын, Д. А. Постнов, К. А. Ковалевский, П. А. Юнин, А. В. Антонов, А. А. Дубинов, Д. А. Белов, Ф. И. Зубов, И. А. Глинский, И. Е. Рыков, И. Е. Мартычев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. Ю. Павлов, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Непрерывный терагерцовый квантовый каскадный лазер, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 60:3 (2026), 148–153 |
|
2025 |
| 3. |
А. В. Антонов, А. Н. Большаков, Д. В. Гусейнов, А. А. Никольская, А. И. Белов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO”, Физика твердого тела, 67:7 (2025), 1254–1261  |
| 4. |
Р. Х. Жукавин, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, Д. А. Постнов, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, В. И. Гавриленко, “Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 433–438 |
| 5. |
В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, А. В. Антонов, К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Дюделев, Е. Д. Черотченко, А. В. Бабичев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 13–15 |
|
2024 |
| 6. |
В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, А. А. Янцер, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, Р. Х. Жукавин, “Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 196–201 |
| 7. |
Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, А. В. Антонов, Л. В. Красильникова, Д. А. Шмырин, П. А. Юнин, З. Ф. Красильник, С. В. Ситников, Д. В. Щеглов, “Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений”, Письма в ЖТФ, 50:10 (2024), 22–25 |
| 8. |
Д. И. Курицын, А. В. Антонов, С. В. Морозов, В. А. Анфертьев, М. Б. Черняева, В. Л. Вакс, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, В. И. Гавриленко, “Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 23–27 |
|
2023 |
| 9. |
А. В. Антонов, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения”, Физика твердого тела, 65:6 (2023), 907–913 |
|
2022 |
| 10. |
А. В. Антонов, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO”, Физика твердого тела, 64:9 (2022), 1162–1168 |
|
2020 |
| 11. |
А. В. Антонов, А. И. Елькинa, В. К. Васильев, М. А. Галин, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1434–1439 ; A. V. Antonov, A. I. Elkina, V. K. Vasil'ev, M. A. Galin, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Experimental observation of $s$-component of superconducting pairing in thin disordered HTSC films based on YBCO”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1598–1603 |
4
|
|
2019 |
| 12. |
А. В. Антонов, А. В. Иконников, Д. В. Мастеров, А. Н. Михайлов, С. В. Морозов, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1573–1578 ; A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Phase diagrams of thin disordered films based on HTSC YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ in external magnetic fields”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1523–1528 |
4
|
|
2017 |
| 13. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1621–1629 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570 |
|
2016 |
| 14. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 |
2
|
| 15. |
А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016), 15–23 ; A. A. Lastovkin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Variation of the emission frequency of a terahertz quantum cascade laser”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 230–233 |
1
|
|
2015 |
| 16. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Л. С. Бовкун, К. Р. Умбеталиева, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1672–1675 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, L. S. Bovkun, K. R. Umbetalieva, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Long-wavelength injection lasers based on Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se alloys and their use in solid-state spectroscopy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1623–1626 |
18
|
| 17. |
А. В. Антонов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, “Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1453–1457 ; A. V. Antonov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, “Segregation of Sb in Ge epitaxial layers and its usage for the selective doping of Ge-based structures”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1405–1409 |
2
|
|
2014 |
| 18. |
К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, А. В. Антонов, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1626–1631 ; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, A. V. Antonov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, “Specific features of the nonradiative relaxation of Er$^{3+}$ ions in epitaxial Si structures”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1586–1591 |
|
2013 |
| 19. |
А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1513–1516 ; A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, “Features of impurity photoconductivity in Si:Er/Si epitaxial diodes”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1500–1503 |
| 20. |
В. В. Румянцев, А. В. Иконников, А. В. Антонов, С. В. Морозов, М. С. Жолудев, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1446–1450 ; V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, S. V. Morozov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1438–1441 |
19
|
|
2012 |
| 21. |
А. В. Антонов, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, “Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1444–1447 ; A. V. Antonov, V. M. Daniltsev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, “Intraband photoconductivity induced by interband illumination in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1415–1417 |
1
|
| 22. |
С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1388–1392 ; S. V. Morozov, M. S. Zholudev, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366 |
35
|
| 23. |
Д. Г. Павельев, Ю. И. Кошуринов, А. С. Иванов, А. Н. Панин, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 125–129 ; D. G. Pavel'ev, Yu. I. Koschurinov, A. S. Ivanov, A. N. Panin, V. L. Vaks, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Experimental study of frequency multipliers based on a GaAs/AlAs semiconductor superlattices in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 46:1 (2012), 121–125 |
48
|
|
2011 |
| 24. |
В. Я. Алёшкин, А. В. Антонов, М. С. Жолудев, В. Ю. Паневин, Л. Е. Воробьёв, Д. А. Фирсов, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, “Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами”, Физика твердого тела, 53:6 (2011), 1188–1197 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, M. S. Zholudev, V. Yu. Panevin, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, “Polarization dependence of Fano resonances in impurity photoconductivity of quantum wells doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 53:6 (2011), 1253–1262 |
|
2010 |
| 25. |
А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010), 837–841 ; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761   |
30
|
| 26. |
С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1523–1526 ; S. V. Morozov, K. V. Marem'yanin, I. V. Erofeeva, A. N. Yablonskii, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, “Kinetics of terahertz photoconductivity in $p$-Ge under impurity breakdown conditions”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479 |
10
|
| 27. |
А. В. Иконников, А. В. Антонов, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1514–1518 |
3
|
| 28. |
А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский, “Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1511–1513 ; A. V. Antonov, N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, O. I. Khrykin, A. N. Yablonskii, “Photoconductivity of InAs/GaAs structures with InAs nanoclusters in the near-infrared region”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1464–1466 |
2
|
| 29. |
Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446 ; D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, G. A. Melentev, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, V. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, “Terahertz emission and photoconductivity in $n$-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397 |
14
|
|
2009 |
| 30. |
А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, F. Teppe, W. Knap, “Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009), 552–555 ; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, F. Teppe, W. Knap, “Resonance detection of terahertz radiation in submicrometer field-effect GaAs/AlGaAs transistors with two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 43:4 (2009), 528–531 |
3
|
| 31. |
А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, С. В. Морозов, К. Е. Спирин, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009), 235–239 ; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. I. Kuritsyn, S. V. Morozov, K. E. Spirin, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Evolution of the photoresponse time of the GaAs/AlGaAs cyclotron resonance quantum Hall effect detector”, Semiconductors, 43:2 (2009), 223–227 |
|
2008 |
| 32. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков, “Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами”, Физика твердого тела, 50:7 (2008), 1162–1165 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, L. V. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, “Fano resonance in the impurity photoconductivity spectrum of InP doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 50:7 (2008), 1211–1214 |
4
|
| 33. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008), 229–233 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200 |
1
|
|
Обратная связь: