|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. А. Максимов, Е. В. Филатов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Прямые измерения пикосекундной кинетики нагрева спиновой подсистемы в полумагнитных полупроводниковых наноструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 110:12 (2019), 806–811   ; A. A. Maksimov, E. V. Filatov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Direct measurements of the picosecond kinetics of heating of a spin subsystem in semimagnetic semiconducting nanostructures”, JETP Letters, 110:12 (2019), 799–803   |
1
|
|
2018 |
| 2. |
J. Debus, D. Kudlacik, V. F. Sapega, T. S. Shamirzaev, D. R. Yakovlev, D. Reuter, A. D. Wieck, A. Waag, M. Bayer, “Basic requirements of spin-flip Raman scattering on excitonic resonances and its modulation through additional high-energy illumination in semiconductor heterostructures”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1583 ; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1611–1617 |
1
|
|
2011 |
| 3. |
Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации
фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 94:12 (2011), 939–944 ; E. V. Filatov, A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Effect of the external electric field on the kinetics of recombination of photoexcited carriers in a ZnSe/BeTe type II heterostructure”, JETP Letters, 94:12 (2011), 858–862 |
2
|
| 4. |
М. А. Бобров, А. А. Торопов, С. В. Иванов, A. El-Shaer, A. Bakin, A. Waag, “Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 783–787 ; M. A. Bobrov, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, A. El-Shaer, A. Bakin, A. Waag, “Excitonic spectrum of the ZnO/ZnMgO quantum wells”, Semiconductors, 45:6 (2011), 766–770 |
1
|
|
2009 |
| 5. |
С. В. Зайцев, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Перенормировка запрещенной зоны в сильно фотовозбужденных структурах типа II ZnSe/BeTe”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009), 224–229 ; S. V. Zaitsev, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Renormalization of the band gap in highly photoexcited type-II ZnSe/BeTe structures”, Semiconductors, 43:2 (2009), 212–217 |
3
|
|
2008 |
| 6. |
А. А. Максимов, С. В. Зайцев, Е. В. Филатов, А. В. Ларионов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Формирование метастабильных надбарьерных дырочных состояний в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высокой плотности оптического возбуждения”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 587–591 ; A. A. Maksimov, S. V. Zaitsev, E. V. Filatov, A. V. Larionov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Formation of metastable above-barrier hole states in ZnSe/BeTe type II heterostructures under high-density optical excitation”, JETP Letters, 88:8 (2008), 511–514 |
6
|
| 7. |
С. В. Зайцев, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe”, Физика и техника полупроводников, 42:5 (2008), 555–559 ; S. V. Zaitsev, A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Resonance tunneling of charge carriers in photoexcited type-II ZnSe/BeTe heterostructures”, Semiconductors, 42:5 (2008), 540–544 |
|
2006 |
| 8. |
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, М. Байер, А. Вааг, “Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 173–177 ; A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, M. Bayer, A. Waag, “Picosecond carrier relaxation in type-II ZnSe/BeTe heterostructures”, JETP Letters, 83:4 (2006), 141–145 |
18
|
|
Обратная связь: