|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
S. V. Savinov, N. S. Maslova, P. I. Arseev, V. N. Mantsevich, V. I. Panov, “Many-particle interaction in tunneling spectroscopy of Ge
adatoms on Ge(111) surface”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 919–922 ; JETP Letters, 100:12 (2014), 812–816 |
1
|
|
2013 |
| 2. |
S. V. Savinov, A. I. Oreshkin, S. I. Oreshkin, “Ab initio study of surface electronic structure of phosphorus
donor imputiry on Ge(111)-(2$\times$1) surface”, Письма в ЖЭТФ, 97:7 (2013), 458–464 ; JETP Letters, 97:7 (2013), 393–399 |
|
2012 |
| 3. |
S. V. Savinov, A. I. Oreshkin, S. I. Oreshkin, “Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy.
Apllication to STM data analysis”, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012), 33–36 ; JETP Letters, 96:1 (2012), 31–34 |
3
|
| 4. |
A. I. Oreshkin, R. N. Bakhtizin, V. N. Mantsevich, S. I. Oreshkin, S. V. Savinov, V. I. Panov, “STM/STS study of C$_{60}$F$_{36}$ molecules adsorption on
$7\times 7$–Si(111) surface”, Письма в ЖЭТФ, 95:12 (2012), 748–750 ; JETP Letters, 95:12 (2012), 666–669 |
8
|
|
2011 |
| 5. |
A. I. Oreshkin, N. S. Maslova, V. N. Mantsevich, S. I. Oreshkin, S. V. Savinov, V. I. Panov, D. V. Louzguine-Luzgin, “Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS”, Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011), 58–62 ; JETP Letters, 94:1 (2011), 58–62 |
14
|
| 6. |
S. V. Savinov, S. I. Oreshkin, N. S. Maslova, “Electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of
doping atoms. Ab initio analysis of STM data”, Письма в ЖЭТФ, 93:9 (2011), 579–583 ; JETP Letters, 93:9 (2011), 521–525 |
3
|
|
2008 |
| 7. |
А. М. Дубровкин, А. А. Ежов, С. А. Магницкий, Д. В. Малахов, Н. М. Нагорский, В. И. Панов, С. В. Савинов, “Формирование пространственных спиралевидных световых структур полимерным наноцилиндром”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 654–658 ; A. M. Dubrovkin, A. A. Ezhov, S. A. Magnitskiy, D. V. Malakhov, N. M. Nagorskii, V. I. Panov, S. V. Savinov, “Formation of spatial spiral light structures by a polymer nanocylinder”, JETP Letters, 88:9 (2009), 564–568 |
|
2007 |
| 8. |
P. I. Arseyev, N. S. Maslova, V. I. Panov, S. V. Savinov, C. van Haesendonck, “Bias voltage dependent shift of the atomic-scale structure of the Ge(111)-(2$\times$1) reconstructed surface measured by low temperature scanning tunneling microscopy”, Письма в ЖЭТФ, 85:6 (2007), 334–339 ; JETP Letters, 85:6 (2007), 277–282 |
2
|
| 9. |
A. I. Oreshkin, V. N. Mantsevich, N. S. Maslova, D. A. Muzychenko, S. I. Oreshkin, V. I. Panov, S. V. Savinov, P. I. Arseev, “The influence of different impurity atoms on $1/f^\alpha$ tunneling current noise characteristics on InAs(110) surface”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 46–51 ; JETP Letters, 85:1 (2007), 40–45 |
9
|
|
2006 |
| 10. |
N. S. Maslova, A. I. Oreshkin, S. I. Oreshkin, V. I. Panov, I. V. Radchenko, S. V. Savinov, “Ag-induced atomic structures on the Si(110) surface”, Письма в ЖЭТФ, 84:6 (2006), 381–384 ; JETP Letters, 84:6 (2006), 320–323 |
10
|
|
2005 |
| 11. |
P. I. Arseyev, N. S. Maslova, V. I. Panov, S. V. Savinov, C. Van Haesendonck, “Identifying the electronic properties of the Ge(111)-(2$\times$1) surface by low temperature scanning tunneling microscopy”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 312–316 ; JETP Letters, 82:5 (2005), 279–283 |
7
|
|
2003 |
| 12. |
P. I. Arseev, N. S. Maslova, V. I. Panov, S. V. Savinov, C. Van Haesendock, “Many particle interaction in tunneling spectroscopy of impurity states on the InAs(110) surface”, Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003), 202–207 ; JETP Letters, 77:4 (2003), 172–177 |
11
|
|
2002 |
| 13. |
P. I. Arseev, N. S. Maslova, V. I. Panov, S. V. Savinov, “Coulomb singularity effects in tunnelling spectroscopy of individual impurities”, Письма в ЖЭТФ, 76:5 (2002), 345–348 ; JETP Letters, 76:5 (2002), 287–290 |
5
|
|
2000 |
| 14. |
Н. С. Маслова, В. И. Панов, С. В. Савинов, “Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников”, УФН, 170:5 (2000), 575–578 ; N. S. Maslova, V. I. Panov, S. V. Savinov, “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface”, Phys. Usp., 43:5 (2000), 531–533 |
2
|
|
1995 |
| 15. |
Н. С. Маслова, Ю. Н. Моисеев, В. И. Панов, С. В. Савинов, “Влияние локализованных состояний и межчастичных взаимодействий на диагностику наноструктур методами СТМ/СТС и АСM”, УФН, 165:2 (1995), 236–238 ; N. S. Maslova, Yu. N. Moiseev, V. I. Panov, S. V. Savinov, “Effects of localised states and interparticle interactions on the STM/STS and AFM nanostructure diagnostics”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 226–227 |
|
1991 |
| 16. |
Ю. Н. Моисеев, В. И. Панов, С. В. Савинов, “Влияние локального трения на АСМ-изображение структуры поверхности”, Письма в ЖТФ, 17:10 (1991), 24–28 |
|
1987 |
| 17. |
С. И. Васильев, В. Б. Леонов, В. И. Панов, С. В. Савинов, “Сканирующая туннельная микроскопия в воздушной среде”, Докл. АН СССР, 297:6 (1987), 1351–1354 |
|
1986 |
| 18. |
А. М. Бакиев, Ю. В. Вандышев, Г. С. Волков, В. С. Днепровский, З. Д. Ковалюк, А. Р. Лесив, С. В. Савинов, А. И. Фуртичев, “Экранирование экситонов в полупроводнике GaSe”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1035–1042 |
|