Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Дубинов Александр Алексеевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 72
Научных статей: 72

Статистика просмотров:
Эта страница:567
Страницы публикаций:19920
Полные тексты:9079
кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person55812
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. Д. И. Курицын, С. В. Морозов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, Р. А. Хабибуллин, Г. С. Соколовский, “Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47  mathnet  elib
2025
2. Р. Х. Жукавин, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, Д. А. Постнов, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, В. И. Гавриленко, “Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438  mathnet
2024
3. В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, А. А. Янцер, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, Р. Х. Жукавин, “Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201  mathnet  elib
2023
4. К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316  mathnet; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 4
5. А. А. Дубинов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, “Оптические потери волновода со сверхпроводящими обкладками в терагерцовых квантово-каскадных лазерах”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  706–709  mathnet  elib
6. М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425  mathnet  elib
7. В. Я. Алешкин, А. О. Рудаков, А. А. Дубинов, “Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  237–242  mathnet  elib
2022
8. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe”, Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178  mathnet  elib
9. А. А. Дубинов, С. В. Морозов, “Оптимизация гребенчатого волновода лазера на основе HgCdTe гетероструктуры для одномодовой генерации излучения дальнего ИК диапазона”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  855–857  mathnet  elib
2021
10. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  973–977  mathnet  elib
11. В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926  mathnet  elib; V. V. Utochkin, A. A. Dubinov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Effect of internal optical losses on the generation of mid-IR stimulated emission in waveguide heterostructures with HgCdTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902 1
12. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, “Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  869–871  mathnet  elib; A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, “Model of a terahertz quantum-cascade laser based on a two-dimensional plasmon”, Semiconductors, 55:11 (2021), 828–830 2
13. В. В. Румянцев, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, С. С. Морозов, А. А. Богдашов, В. В. Паршин, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860  mathnet  elib
14. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, А. А. Разова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, A. A. Razova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Yu. Glyavin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of terahertz radiation in InP : Fe crystals due to second-order lattice nonlinearity”, Semiconductors, 55:10 (2021), 785–789
15. А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459  mathnet  elib 1
16. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163  isi  scopus] 2
2020
17. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 3
18. Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168  mathnet  elib; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
19. В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932  mathnet  elib; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 2
20. К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов, “Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, V. Parshin, E. A. Serov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, A. P. Fokin, S. S. Morozov, V. Ya. Aleshkin, M. Yu. Glyavin, G. G. Denisov, S. V. Morozov, “Investigation into microwave absorption in semiconductors for frequency-multiplication devices and radiation-output control of continuous and pulsed gyrotrons”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074 4
21. Ан. А. Афоненко, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. А. Дубинов, “Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  780–784  mathnet  elib; An. A. Afonenko, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, A. A. Dubinov, “Analysis of phonon modes and electron–phonon interaction in quantum-cascade laser heterostructures”, Semiconductors, 54:8 (2020), 936–940 1
2019
22. Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, “Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720  mathnet  elib; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, “GaAs-based laser diode with InGaAs waveguide quantum wells”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711 3
23. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, М. Ю. Глявин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. Yu. Glyavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Second-harmonic generation of subterahertz gyrotron radiation by frequency doubling in InP : Fe and its application for magnetospectroscopy of semiconductor structures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1217–1221 8
24. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 4
25. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 6
26. Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, О. Ю. Волков, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918  mathnet  elib [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, O. Yu. Volkov, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “Balance-equation method for simulating terahertz quantum-cascade lasers using a wave-function basis with reduced dipole moments of tunnel-coupled states”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 913–918  isi  scopus] 19
27. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Generation of THz radiation at a difference frequency in a HgCdTe-based laser”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 689–692  isi  scopus] 1
28. М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus] 2
2018
29. И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463  mathnet  elib; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 1
30. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
31. К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
32. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1100–1103  mathnet  elib; A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Lowering the lasing threshold by doping in mid-infrared lasers based on HgCdTe with HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1221–1224 3
33. V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441
34. В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
35. Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, И. С. Васильевский, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag”, Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008  mathnet  elib [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, I. S. Vasil'evskii, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “Mode loss spectra in THz quantum-cascade lasers with gold- and silver-based double metal waveguides”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 1005–1008  isi  scopus] 20
36. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus] 1
2017
37. В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561 7
38. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
39. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
40. Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413  mathnet  elib; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 1
41. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 6
2016
42. В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 7
43. Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, Д. А. Колпаков, А. В. Ершов, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512  mathnet  elib; N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492
44. А. А. Дубинов, “Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1469–1472  mathnet  elib; A. A. Dubinov, “Germanium laser with a hybrid surface plasmon mode”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1449–1452 1
45. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
2015
46. И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин, “Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622  mathnet  elib; I. V. Samartsev, V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, D. A. Kolpakov, S. M. Nekorkin, “Optimization of InGaP/GaAs/InGaAs heterolasers with tunnel-coupled waveguides”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574 1
47. Д. А. Колпаков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491  mathnet  elib; D. A. Kolpakov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “On a semiconductor laser with a $p$–$n$ tunnel junction with radiation emission through the substrate”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442 1
48. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, “Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, “An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells”, Semiconductors, 49:2 (2015), 170–173
49. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 648–650 2
50. В. Я. Алёшкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, “Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, “Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 304–306
51. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus] 1
2014
52. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
53. А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  94–99  mathnet  elib; A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Efficiency of vertical emission from a semiconductor laser waveguide with a diffraction grating”, Semiconductors, 48:1 (2014), 89–94 3
54. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus] 2
2013
55. А. А. Дубинов, “Роль оже-рекомбинации в определении пороговой плотности тока лазера зеленого диапазона длин волн”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  283–286  mathnet  elib; A. A. Dubinov, “Role of auger recombination in the determination of the threshold current density of a green-wavelength laser”, JETP Letters, 97:5 (2013), 245–248  isi  elib  scopus 1
56. В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. В. Дикарёва, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Морозов, С. М. Некоркин, “Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Afonenko, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. V. Morozov, S. M. Nekorkin, “Waveguide effect of GaAsSb quantum wells in a laser structure based on GaAs”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1475–1477 7
57. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, А. А. Тонких, А. Н. Яблонский, P. Werner, “Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Tonkikh, A. N. Yablonskii, P. Werner, “Structural and optical properties of GaAs-based heterostructures with Ge and Ge/InGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:5 (2013), 636–640 3
58. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus] 6
2012
59. С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392  mathnet  elib; S. V. Morozov, M. S. Zholudev, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366 35
60. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Л. В. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, “Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kuritsyn, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, “Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure”, Semiconductors, 46:7 (2012), 917–920 5
61. С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus] 9
2011
62. А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, М. Н. Колесников, Т. С. Бабушкина, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям”, ЖТФ, 81:7 (2011),  149–151  mathnet  elib; A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, M. N. Kolesnikov, T. S. Babushkina, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Anomalous characteristics of lasers with a large number of quantum wells”, Tech. Phys., 56:7 (2011), 1049–1052 3
63. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, “Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, S. M. Nekorkin, “Simultaneous TE$_1$ and TE$_2$ mode lasing yielding dual-wavelength oscillation in a semiconductor laser with a tunnel junction”, Semiconductors, 45:5 (2011), 641–645 3
2010
64. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857  isi  scopus] 7
2009
65. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, “Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  70–74  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 89:2 (2009), 63–67  isi  scopus 50
66. В. Я. Алешкин, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, “Одновременная генерация $TE_0$- и $TE_1$-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде”, ЖТФ, 79:11 (2009),  150–152  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, “Simultaneous generation of $TE_0$- and $TE_1$ modes with different wavelengths in a semiconducting laser diode”, Tech. Phys., 54:11 (2009), 1711–1713
67. Б. Н. Звонков, А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, “Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  220–223  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, “Difference-frequency generation in a butt-join diode laser”, Semiconductors, 43:2 (2009), 208–211 4
68. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  727–730  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Intracavity terahertz difference-frequency generation in an InGaAs-quantum-well two-frequency InGaAsP/InP laser”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 727–730  isi  scopus] 4
2008
69. В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus 11
70. А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский, “Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  361–364  mathnet  elib; A. A. Biryukov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovskii, “Efficient generation of the first waveguide mode in the InGaAs/GaAs/InGaP heterolaser”, Semiconductors, 42:3 (2008), 354–357 1
71. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  855–858  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide on a germanium substrate”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 855–858  isi  scopus] 1
72. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  149–153  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in mid- and far-IR ranges by using subpicosecond and picosecond semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 149–153  isi  scopus] 3

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026