Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Красильник Захарий Фишелевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 82
Научных статей: 75

Статистика просмотров:
Эта страница:1753
Страницы публикаций:17900
Полные тексты:8341
академик РАН
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail: , , ,

https://www.mathnet.ru/rus/person55813
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa”, Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695  mathnet; K. E. Kudryavtsev, D. N. Lobanov, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Ultrafast luminescence kinetics and localization effects of nonequilibrium carriers in degenerate $n$-InGaN layers”, JETP Letters, 121:8 (2025), 655–661
2. К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN”, Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570  mathnet
3. Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413  mathnet
4. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Источники излучения для кремниевой фотоники на основе гетероструктур IV группы”, Квантовая электроника, 55:9 (2025),  533–551  mathnet
2024
5. Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225  mathnet  elib
6. Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, А. В. Антонов, Л. В. Красильникова, Д. А. Шмырин, П. А. Юнин, З. Ф. Красильник, С. В. Ситников, Д. В. Щеглов, “Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений”, Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25  mathnet  elib
2023
7. М. А. Калинников, Д. Н. Лобанов, К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, Л. В. Красильникова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450  mathnet  elib
2022
8. М. А. Калинников, Д. Н. Лобанов, К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, Л. В. Красильникова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854  mathnet  elib
9. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704  mathnet  elib 1
2021
10. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772  mathnet  elib
2020
11. А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 3
12. Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, С. А. Дьяков, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. М. Сергеев, Д. Е. Уткин, З. Ф. Красильник, “Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829  mathnet  elib; D. V. Yurasov, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. M. Sergeev, D. E. Utkin, Z. F. Krasil'nik, “Enhancement of the luminescence signal from self-assembled Ge(Si) nanoislands due to interaction with the modes of two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 975–981 3
2019
13. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400  mathnet  elib; B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 3
14. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
2018
15. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
16. К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
17. В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
2017
18. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
19. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
20. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 6
2016
21. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695
22. Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689  mathnet  elib; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 1
23. В. Б. Шмагин, С. Н. Вдовичев, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500  mathnet  elib; V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478
24. А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
25. В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275  mathnet  elib; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 1
26. П. Г. Серафимович, М. В. Степихова, Н. Л. Казанский, С. А. Гусев, А. В. Егоров, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1133–1137  mathnet  elib; P. G. Serafimovich, M. V. Stepikhova, N. L. Kazanskii, S. A. Gusev, A. V. Egorov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “On a silicon-based photonic-crystal cavity for the near-IR region: Numerical simulation and formation technology”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1112–1116 7
2015
27. Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, “Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением”, ЖТФ, 85:3 (2015),  124–128  mathnet  elib; D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, “Multifunction setup for the measurement of resonant optical responses of semiconductor structures in the visible and IR spectral ranges with subpicosecond time resolution”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 442–446
28. В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, Д. В. Шенгуров, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Применение техники годографа к диагностике диодных структур”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496  mathnet  elib; V. B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, A. V. Novikov, D. V. Shengurov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Hodographs in diode-structure diagnostics”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1443–1447
29. Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135  mathnet  elib; N. A. Baidakova, A. I. Bobrov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Growth of light-emitting SiGe heterostructures on strained silicon-on-insulator substrates with a thin oxide layer”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1104–1110 3
30. В. Я. Алёшкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, “Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, “Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 304–306
2014
31. К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Absorption cross section for the $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ transition of Er$^{3+}$ in Si:Er:O/SOI epitaxial layers”, JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811  isi  elib  scopus 4
32. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
33. К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, А. В. Антонов, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, A. V. Antonov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, “Specific features of the nonradiative relaxation of Er$^{3+}$ ions in epitaxial Si structures”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1586–1591
34. С. А. Денисов, С. А. Матвеев, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420  mathnet  elib; S. A. Denisov, S. A. Matveev, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, Yu. N. Drozdov, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates”, Semiconductors, 48:3 (2014), 402–405 1
2013
35. А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516  mathnet  elib; A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, “Features of impurity photoconductivity in Si:Er/Si epitaxial diodes”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1500–1503
36. Д. В. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, М. В. Степихова, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, “Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413  mathnet  elib; D. V. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, M. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, “Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms”, Semiconductors, 47:3 (2013), 433–436
37. М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, J. M. Hartmann, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, “Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409  mathnet  elib; M. V. Shaleev, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, J. M. Hartmann, O. A. Kuznetsov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasil'nik, “Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si(001) buffer layers”, Semiconductors, 47:3 (2013), 427–432 3
2012
38. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, P. Werner, “Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452  mathnet  elib; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, N. D. Zakharov, P. Werner, “Effect of silicon spacer thickness on the electroluminescence of multilayer structures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) islands”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1418–1422 5
39. А. Н. Яблонский, Б. А. Андреев, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, B. A. Andreev, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Mechanism of the subband excitation of photoluminescence from erbium ions in silicon under high-intensity optical pumping”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1407–1410 3
40. Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, А. Н. Яблонский, “Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401  mathnet  elib; B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, A. N. Yablonskii, “Determination of the excitation cross section of photoluminescence from an Er ion in the case of homogeneous and inhomogeneous optical excitation”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1372–1375 5
41. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Л. В. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, “Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kuritsyn, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, “Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure”, Semiconductors, 46:7 (2012), 917–920 5
42. В. В. Стрельчук, А. С. Николенко, П. М. Литвин, В. П. Кладько, А. И. Гудыменко, М. Я. Валах, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, “Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  665–672  mathnet  elib; V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, P. M. Litvin, V. P. Klad'ko, A. I. Gudymenko, M. Ya. Valakh, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, “Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si$_{1-x}$Ge$_x$ buffer layers”, Semiconductors, 46:5 (2012), 647–654 4
43. В. А. Козлов, С. В. Оболенский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  134–139  mathnet  elib; V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, “Natural fluctuations in tunneling-current distribution over the area of a reverse-biased silicon $p$–$n$ junction”, Semiconductors, 46:1 (2012), 130–135 2
2011
44. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus 2
45. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441  mathnet; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus
46. В. П. Кузнецов, М. В. Степихова, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, Н. А. Алябина, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, M. V. Stepikhova, V. B. Shmagin, M. O. Marychev, N. A. Alyabina, M. V. Kuznetsov, B. A. Andreev, A. V. Kornaukhov, O. N. Gorshkov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence at a wavelength of 1.54 $\mu$m in Si:Er/Si structures consisting of a number of $p$–$n$ junctions”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1430–1432
47. З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Н. Качемцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, С. В. Оболенский, Д. В. Шенгуров, “Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками”, Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234  mathnet  elib; Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. N. Kachemtsev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, S. V. Obolensky, D. V. Shengurov, “Comparative analysis of radiation effects on the electroluminescence of Si and SiGe/Si(001) heterostructures with self-assembled Islands”, Semiconductors, 45:2 (2011), 225–229 9
48. М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, “Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями”, Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206  mathnet  elib; M. V. Shaleev, A. V. Novikov, N. A. Baidakova, A. N. Yablonskii, O. A. Kuznetsov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasil'nik, “Photoluminescence line width of self-assembled Ge(Si) islands arranged between strained Si layers”, Semiconductors, 45:2 (2011), 198–202 10
49. В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник, “Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, V. B. Shmagin, M. N. Drozdov, M. O. Marychev, K. E. Kudryavtsev, M. V. Kuznetsov, B. A. Andreev, A. V. Kornaukhov, Z. F. Krasil'nik, “Dependence of the concentration of ionized donors on epitaxy temperature for Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 45:1 (2011), 130–133 3
2010
50. В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B”, Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, V. B. Shmagin, M. O. Marychev, K. E. Kudryavtsev, M. V. Kuznetsov, B. A. Andreev, A. V. Kornaukhov, O. N. Gorshkov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence at a wavelength of 1.5 $\mu$m in Si:Er/Si diode structures doped with Al, Ga, and B acceptors”, Semiconductors, 44:12 (2010), 1597–1599
51. В. Б. Шмагин, В. П. Кузнецов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник, “Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538  mathnet  elib; V. B. Shmagin, V. P. Kuznetsov, K. E. Kudryavtsev, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, Z. F. Krasil'nik, “Electrical and luminescence properties of silicon-based tunnel transit-time light-emitting diodes $p^+/n^+/n$-Si:Er”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1486–1491 2
52. Л. В. Красильникова, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, Ю. Н. Дроздов, В. Г. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532  mathnet  elib; L. V. Krasilnikova, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, Yu. N. Drozdov, V. G. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Special features of the excitation spectra and kinetics of photoluminescence of the Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si structures with relaxed heterolayers”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1480–1485
53. А. Н. Яблонский, Б. А. Андреев, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник, “Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, B. A. Andreev, L. V. Krasil’nikova, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, Z. F. Krasil'nik, “Specific features of the mechanisms of excitation of erbium photoluminescence in epitaxial Si:Er/Si structures”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1472–1475 3
54. В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник, “Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  413–417  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, Z. F. Krasil'nik, “Sublimation molecular beam epitaxy of silicon-based structures”, Semiconductors, 44:3 (2010), 396–400 9
55. В. П. Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник, “Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  402–408  mathnet  elib; V. P. Kuznetsov, M. V. Kuznetsov, Z. F. Krasil'nik, “Si:Er/Si diode structures for observing room-temperature electroluminescence at a wavelength of 1.54 $\mu$m”, Semiconductors, 44:3 (2010), 385–391 2
56. А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, В. В. Платонов, С. В. Оболенский, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, “Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351  mathnet  elib; A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, V. V. Platonov, S. V. Obolensky, D. N. Lobanov, Z. F. Krasil'nik, “Effect of irradiation on the luminescence properties of low-dimensional SiGe/Si(001) heterostructures”, Semiconductors, 44:3 (2010), 329–334 14
2009
57. Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ : Er, связанные с ионами Er$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 43:7 (2009),  909–916  mathnet  elib; L. V. Krasil’nikova, M. V. Stepikhova, N. A. Baidakova, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Optically active centers in Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ : Er heterostructures containing Er$^{3+}$ ions”, Semiconductors, 43:7 (2009), 877–884 4
58. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, P. Werner, “Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009),  332–336  mathnet  elib; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, D. V. Shengurov, Yu. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, V. B. Shmagin, Z. F. Krasil'nik, N. D. Zakharov, P. Werner, “Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature”, Semiconductors, 43:3 (2009), 313–317 11
2008
59. В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus 11
60. Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, “Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  291–295  mathnet  elib; Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, A. N. Yablonskii, “Comparative analysis of photoluminescence and electroluminescence of multilayer structures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) island”, Semiconductors, 42:3 (2008), 286–290
61. О. В. Белова, В. Н. Шабанов, А. П. Касаткин, О. А. Кузнецов, А. Н. Яблонский, М. В. Кузнецов, В. П. Кузнецов, А. В. Корнаухов, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 42:2 (2008),  136–140  mathnet  elib; O. V. Belova, V. N. Shabanov, A. P. Kasatkin, O. A. Kuznetsov, A. N. Yablonskii, M. V. Kuznetsov, V. P. Kuznetsov, A. V. Kornaukhov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Electrical properties of Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 42:2 (2008), 137–141
2005
62. М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617  mathnet; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497  isi  scopus 12
2002
63. Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429  mathnet; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369  scopus 26
2000
64. З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, “Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> и Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub>”, УФН, 170:3 (2000),  338–341  mathnet; Z. F. Krasil'nik, A. V. Novikov, “Optical properties of strained Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> and Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> heterostructures”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 295–298  isi 6
1991
65. В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих дырок кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1315–1323  mathnet
66. В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  718–722  mathnet
1990
67. В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов., “Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при ${H}\not\parallel[001]$”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  825–828  mathnet
1989
68. Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, “Моделирование явлений переноса горячих дырок кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  585–591  mathnet
1988
69. В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, М. Д. Чернобровцева, “Циклотронный резонанс горячих дырок германия”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1233–1238  mathnet
70. Р. И. Баширов, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, А. М. Мусаев, В. В. Никоноров, С. Ю. Потапенко, М. Д. Чернобровцева, “Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  479–484  mathnet
71. З. Ф. Красильник, “Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках $p$-типа группы A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  101–104  mathnet
1987
72. В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, М. Д. Чернобровцева, “Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  484–488  mathnet
73. А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Л. М. Кукин, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, В. В. Паршин, Д. Г. Ревин, “Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  634–637  mathnet  isi
1985
74. Л. В. Берман, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, А. П. Чеботарев, “Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне длин волн”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  369–377  mathnet
1984
75. Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, “Нелинейный циклотронный резонанс тяжелых дырок германия при стриминге в полях $\mathbf{ E}\parallel\mathbf{H}$”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  944–946  mathnet
2026
76. С. В. Гарнов, Н. С. Гинзбург, М. Ю. Глявин, В. И. Ильгисонис, В. В. Кведер, В. В. Кочаровский, З. Ф. Красильник, А. В. Красильников, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, А. М. Сергеев, М. И. Яландин, “Григорий Геннадьевич Денисов (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 196:4 (2026),  447–448  mathnet
2025
77. Г. Г. Денисов, Л. М. Зелёный, В. В. Кведер, З. Ф. Красильник, Е. А. Кузнецов, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, О. В. Руденко, А. М. Сергеев, Р. А. Сюняев, Е. А. Хазанов, А. М. Черепащук, “Владимир Владиленович Кочаровский (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 195:11 (2025),  1247–1248  mathnet; G. G. Denisov, L. M. Zelenyi, V. V. Kveder, Z. F. Krasil'nik, E. A. Kuznetsov, A. G. Litvak, E. A. Mareev, O. V. Rudenko, A. M. Sergeev, R. A. Syunyaev, E. A. Khazanov, A. M. Cherepashchuk, “Vladimir Vladilenovich Kocharovsky (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 68:11 (2025), 1175–1177  isi  scopus
2024
78. Е. Б. Александров, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, З. Ф. Красильник, Г. Я. Красников, А. Г. Литвак, О. В. Руденко, А. И. Рудской, М. В. Садовский, А. В. Чаплик, “Памяти Роберта Арнольдовича Суриса”, УФН, 194:6 (2024),  677–678  mathnet; E. B. Aleksandrov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, Z. F. Krasil'nik, G. Ya. Krasnikov, A. G. Litvak, O. V. Rudenko, A. I. Rudskoi, M. V. Sadovskii, A. V. Chaplik, “In memory of Robert Arnol'dovich Suris”, Phys. Usp., 67:6 (2024), 631–633  isi
2021
79. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet
80. П. И. Арсеев, В. А. Волков, Ю. В. Гуляев, Я. В. Гиндикин, С. В. Зайцев-Зотов, Е. Л. Ивченко, З. Ф. Красильник, И. В. Кукушкин, С. А. Никитов, В. А. Петров, Р. А. Сурис, А. А. Суханов, Ю. Я. Ткач, Д. Р. Хохлов, Б. С. Щамхалова, “К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  481  mathnet
81. П. И. Арсеев, А. А. Горбацевич, Е. И. Демихов, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, З. Ф. Красильник, О. Н. Крохин, И. В. Кукушкин, Г. А. Месяц, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков, “Памяти Николая Николаевича Сибельдина”, УФН, 191:3 (2021),  333–334  mathnet; P. I. Arseev, A. A. Gorbatsevich, E. I. Demikhov, V. V. Kveder, N. N. Kolachevsky, Z. F. Krasil'nik, O. N. Krokhin, I. V. Kukushkin, G. A. Mesyats, R. A. Suris, V. B. Timofeev, I. A. Shcherbakov, “In memory of Nikolai Nikolaevich Sibeldin”, Phys. Usp., 64:3 (2021), 319–320  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026