Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Спирин Кирилл Евгеньевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 21
Научных статей: 21

Статистика просмотров:
Эта страница:378
Страницы публикаций:5549
Полные тексты:2427
кандидат физико-математических наук (2008)
Специальность ВАК: 05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
E-mail:

Научная биография:

Спирин, Кирилл Евгеньевич. Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых структурах : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 05.27.01; [Место защиты: Ин-т физики микроструктур РАН]. - Нижний Новгород, 2008. - 145 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person56425
Список публикаций на Google Scholar
ИСТИНА https://istina.msu.ru/workers/446435343
https://www.webofscience.com/wos/author/record/AGE-3398-2022

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. Б. А. Жмудь, А. С. Соболев, К. Е. Спирин, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Дисперсия двойного металлического волновода квантово-каскадного лазера в области оптических фононов GaAs”, Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  3–5  mathnet  elib 1
2023
2. К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316  mathnet; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 4
3. А. С. Соболев, А. Ю. Павлов, М. В. Майтама, И. А. Глинский, Д. С. Пономарев, К. Е. Спирин, Б. А. Жмудь, Р. А. Хабибуллин, “Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов”, Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  14–16  mathnet  elib
2019
4. К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404  mathnet  elib; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Residual-photoconductivity spectra in HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1363–1366 5
2018
5. К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485  mathnet  elib; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589 11
6. Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279  mathnet  elib; L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 7
2017
7. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570
8. С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44  mathnet  elib; S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, L. S. Bovkun, K. E. Spirin, A. M. Kadykov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42 6
2015
9. Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682  mathnet  elib; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Exchange enhancement of the electron $g$-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1627–1633 7
10. К. Е. Спирин, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, О. Драченко, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671  mathnet  elib; K. E. Spirin, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, O. Drachenko, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance in InAs/AlSb quantum wells in magnetic fields up to 45 T”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1616–1622
11. С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. П. Калинин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203  mathnet  elib; S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. P. Kalinin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Exchange enhancement of the electron $g$ factor in strained InGaAs/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 191–198 7
2013
12. К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503  mathnet  elib; K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1485–1491 7
13. В. В. Румянцев, А. В. Иконников, А. В. Антонов, С. В. Морозов, М. С. Жолудев, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, S. V. Morozov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1438–1441 19
2012
14. А. В. Иконников, М. С. Жолудев, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Cyclotron resonance in HgTe/CdTe(013) narrowband heterostructures in quantized magnetic fields”, JETP Letters, 95:8 (2012), 406–410  isi  elib  scopus 14
15. К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429  mathnet  elib; K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1396–1401 20
2010
16. А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761  isi  elib  scopus 29
17. К. Е. Спирин, А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68  mathnet; K. E. Spirin, A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Spin splitting in HgTe/CdHgTe (013) quantum well heterostructures”, JETP Letters, 92:1 (2010), 63–66  isi  scopus 24
18. А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, О. Драченко, H. Schneider, M. Helm, “Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, O. Drachenko, H. Schneider, M. Helm, “The cyclotron resonance of holes in InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells in quantizing magnetic fields”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1492–1494 7
19. В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648  mathnet  elib; V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, A. A. Lastovkin, K. V. Marem'yanin, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 44:5 (2010), 616–622 24
2009
20. А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, С. В. Морозов, К. Е. Спирин, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  235–239  mathnet  elib; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. I. Kuritsyn, S. V. Morozov, K. E. Spirin, Y. Kawaguchi, S. Komiyama, “Evolution of the photoresponse time of the GaAs/AlGaAs cyclotron resonance quantum Hall effect detector”, Semiconductors, 43:2 (2009), 223–227
2008
21. В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  846–851  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 828–833 35

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026